Хабр Курсы для всех
РЕКЛАМА
Практикум, Хекслет, SkyPro, авторские курсы — собрали всех и попросили скидки. Осталось выбрать!
Хабр доступен 24/7 благодаря поддержке друзей
Комментарии 30
Спасибо за перевод, тоже хотел перевести — но никак не находилось времени :-)
интересной, но малоизвестной, микросхемы TL431
Малоизвестной? о_О
Для людей не увлекающихся — возможно, но им и 555й неизвестен, и всё остальное просто буковки.
А перевод отличный!
Простите за занудство, но тут будет список стилистических претензий к переводу терминов.
«Используя участок цепи, называемый бандгапом» — вот тут ладонь сама потянулась к лицу.
По-русски это будет «схема, называемая источником напряжения, равного ширине запрещенной зоны кремния». «Бэндгап» — это профессиональный сленг, совершенно недопустимый в статье, которую будут читать люди, не знающие, что это такое.
«схему n-p-n транзистора (вроде той, что ниже)» — у транзистора нет схемы, у него есть изображенный на картинке символ. А эквивалентная схема транзистора выглядит совсем не так.
«Он создаётся, так сказать, боком, планарная структура, вместо глубинной, и база располагается между эмиттером и коллектором.» — перед «вместо» не нужна запятая, а реализации транзистора по-русски называются «вертикальная» и «горизонтальная», а не «планарная» и «глубинная».
«метал коллектора» — либо скажите, кто и куда метал коллектора (я понимаю, их никто не любит), либо пишите «металл».
«большие тока» — токи.
«сопротивления, которые могут быть удалены лазером» — не «удалены», а «подстроены».
«ёмкостное сопротивление разнится» — просто изменяется. Зачем изобретать там, где нужно просто перевести?
«стабилитрон с напряжением запрещённой зоны и с компенсацией температурных воздействий» — стабилитрон не имеет отношения к этой схеме. Это просто фактическая ошибка, безо всяких скидок.
В итоге имеем то, что отличная статья, прекрасно читаемая в оригинале непрофессионалами, сильно запутана и по факту погублена для научпопа человеком, который, начиная перевод, не удосужился узнать, как те или иные термины переводятся на русский язык. Учите матчасть, пожалуйста!
«Используя участок цепи, называемый бандгапом» — вот тут ладонь сама потянулась к лицу.
По-русски это будет «схема, называемая источником напряжения, равного ширине запрещенной зоны кремния». «Бэндгап» — это профессиональный сленг, совершенно недопустимый в статье, которую будут читать люди, не знающие, что это такое.
«схему n-p-n транзистора (вроде той, что ниже)» — у транзистора нет схемы, у него есть изображенный на картинке символ. А эквивалентная схема транзистора выглядит совсем не так.
«Он создаётся, так сказать, боком, планарная структура, вместо глубинной, и база располагается между эмиттером и коллектором.» — перед «вместо» не нужна запятая, а реализации транзистора по-русски называются «вертикальная» и «горизонтальная», а не «планарная» и «глубинная».
«метал коллектора» — либо скажите, кто и куда метал коллектора (я понимаю, их никто не любит), либо пишите «металл».
«большие тока» — токи.
«сопротивления, которые могут быть удалены лазером» — не «удалены», а «подстроены».
«ёмкостное сопротивление разнится» — просто изменяется. Зачем изобретать там, где нужно просто перевести?
«стабилитрон с напряжением запрещённой зоны и с компенсацией температурных воздействий» — стабилитрон не имеет отношения к этой схеме. Это просто фактическая ошибка, безо всяких скидок.
В итоге имеем то, что отличная статья, прекрасно читаемая в оригинале непрофессионалами, сильно запутана и по факту погублена для научпопа человеком, который, начиная перевод, не удосужился узнать, как те или иные термины переводятся на русский язык. Учите матчасть, пожалуйста!
Только приветствую.
1. «Бандгап», в начале я посчитал излишним писать такие длинные названия, тем более если люди не знают что такое бандгап, то не думаю, что ваш «схема, называемая источником напряжения, равного ширине запрещенной зоны кремния» будет понятнее :) Я, кстати, использовал пару раз именно канонический термин, а не сленг, но связи между ними не провёл, да. fixed.
2. «а реализации транзистора по-русски называются «вертикальная» и «горизонтальная»» — как в этом фрагменте? «Таким образом, получается горизонтальный бутерброд, вместо обычной вертикальной структуры n-p-n транзисторов.». Это я к тому, что мне знакомы термины, но в данном случае хотелось их разъяснить более понятно. Возможно не получилось.
3. «Металл», «тока» — fixed.
4. «стабилитрон с напряжением запрещённой зоны и с компенсацией температурных воздействий» — согласен.
> не удосужился узнать, как те или иные термины переводятся на русский язык
Отличный вывод по тому, что я использовал сленговое бандгап вместо разворачивание термина в русскую простыню.
PS: русские термины, я действительно не очень здорово знаю, англоязычные более привычны. Тем не менее кроме спорного бандгапа, не думаю, что есть серьезные отступления от терминологии. Я обычно старался проверять перевод, забивая варианты в гугл и смотря релевантны ли страницы. Но в любом случае, постараюсь учесть.
1. «Бандгап», в начале я посчитал излишним писать такие длинные названия, тем более если люди не знают что такое бандгап, то не думаю, что ваш «схема, называемая источником напряжения, равного ширине запрещенной зоны кремния» будет понятнее :) Я, кстати, использовал пару раз именно канонический термин, а не сленг, но связи между ними не провёл, да. fixed.
2. «а реализации транзистора по-русски называются «вертикальная» и «горизонтальная»» — как в этом фрагменте? «Таким образом, получается горизонтальный бутерброд, вместо обычной вертикальной структуры n-p-n транзисторов.». Это я к тому, что мне знакомы термины, но в данном случае хотелось их разъяснить более понятно. Возможно не получилось.
3. «Металл», «тока» — fixed.
4. «стабилитрон с напряжением запрещённой зоны и с компенсацией температурных воздействий» — согласен.
> не удосужился узнать, как те или иные термины переводятся на русский язык
Отличный вывод по тому, что я использовал сленговое бандгап вместо разворачивание термина в русскую простыню.
PS: русские термины, я действительно не очень здорово знаю, англоязычные более привычны. Тем не менее кроме спорного бандгапа, не думаю, что есть серьезные отступления от терминологии. Я обычно старался проверять перевод, забивая варианты в гугл и смотря релевантны ли страницы. Но в любом случае, постараюсь учесть.
Простите за излишнюю резкость, я что-то погорячился с оценкой, хотя в самом деле очень хорошо видно, что статья — это почти дословный перевод (чего с хорошими переводами обычно не случается).
С бэндгапом идея была в том, что bandgap и «источник напряжения, равного ширине запрещенной зоны кремния» можно загуглить, если интересно, или почитать в учебнике (если вы, допустим, когда-то давно учились электронике, но все забыли), а загуглив «бапдгап», ничего внятного получить нельзя. Но на самом деле какой-то добрый человек написал на википедию статью под названием «бандгап», и довольно крутую, так что тут неправ оказался я, а не вы.
Про реализации транзистора претензия тогда в том, что нет единообразия, и обычному человеку неоткуда знать, что «горизонтальный» и «планарный» — это одно и то же. Надо все-таки чуть-чуть аккуратнее относиться к таким вещам, а то может вылезти еще один стабилитрон.
А с русскими терминами история такая, что они сейчас в основном в учебниках остались, но все равно в печатном тексте на русском надо пользоваться ими, иначе весь смысл перевода пропадает.
С бэндгапом идея была в том, что bandgap и «источник напряжения, равного ширине запрещенной зоны кремния» можно загуглить, если интересно, или почитать в учебнике (если вы, допустим, когда-то давно учились электронике, но все забыли), а загуглив «бапдгап», ничего внятного получить нельзя. Но на самом деле какой-то добрый человек написал на википедию статью под названием «бандгап», и довольно крутую, так что тут неправ оказался я, а не вы.
Про реализации транзистора претензия тогда в том, что нет единообразия, и обычному человеку неоткуда знать, что «горизонтальный» и «планарный» — это одно и то же. Надо все-таки чуть-чуть аккуратнее относиться к таким вещам, а то может вылезти еще один стабилитрон.
А с русскими терминами история такая, что они сейчас в основном в учебниках остались, но все равно в печатном тексте на русском надо пользоваться ими, иначе весь смысл перевода пропадает.
> какой-то добрый человек написал на википедию статью под названием «бандгап»
Retired electrician написал не только её. Еще есть Источник опорного напряжения, Стабилитрон со скрытой структурой, Изобретение транзистора, Резисторная оптопара и другие
Retired electrician написал не только её. Еще есть Источник опорного напряжения, Стабилитрон со скрытой структурой, Изобретение транзистора, Резисторная оптопара и другие
Со статьи про бандгап попал на биографию Боба Видлара (https://ru.wikipedia.org/wiki/Видлар,_Роберт), которую, к стыду, своему не знал.
По-моему, следующий фильм про героев Кремниевой Долины должен быть про Видлара и Тэлбера, ибо эти ребята были круты намного раньше пары Стивов.
По-моему, следующий фильм про героев Кремниевой Долины должен быть про Видлара и Тэлбера, ибо эти ребята были круты намного раньше пары Стивов.
Добавлю — микроскоп металлографический, а не металлургический.
Отличная работа и статья!
Сам учился на технолога по разработке и прозводству чипов. Правда по специальности ни дня не довелось поработать.
Автору респект.
Сам учился на технолога по разработке и прозводству чипов. Правда по специальности ни дня не довелось поработать.
Автору респект.
Если у вас есть какие-то другие варианты микросхем, которые незаслуженно обошли вниманием, оставляйте комментарии.
78xx, в частности 7805.
Во времена шины ISA и простых VGA этот чип TL431 стоял рядом с каждым RAMDAC-ом. Сколько их продалось — не ведаю, но наверняка более сотни миллионов.
И в блоках питания того времени на TL494.
Угу, это есть в примечаниях.
Позвольте не согласится. Ни в «классических» IBM ни в тайваньских компьютерных БП того времени на TL494 чип TL431 не применялся или применялся крайне редко. Пруф — книжка Головко и Любицкого «Блоки питания...» (неплохая кстати). Максимум, там стоит компаратор LM393 на защите.
Другое дело — маломощные однотактные БП для всяких сканеров, принтеров, драйвов и т.д. на UC3842 и подобных. Там TL431 является важнейшим элементом схемы регулирования и включен последовательно с оптроном обратной связи. А мелких блоков питания было выпущено даже больше, чем компьютерных т.к. у каждого компьютера есть 2..3 или больше периферии с БП.
Другое дело — маломощные однотактные БП для всяких сканеров, принтеров, драйвов и т.д. на UC3842 и подобных. Там TL431 является важнейшим элементом схемы регулирования и включен последовательно с оптроном обратной связи. А мелких блоков питания было выпущено даже больше, чем компьютерных т.к. у каждого компьютера есть 2..3 или больше периферии с БП.
Мне кажется что 555-й не так и много где используется. Покрайне мере lm358 и т.п. более используемые :)
Первый конденсатор (под текстом «TLR431A») сформирован обратносмещенным диодом
Интересно! Тогда получается, что этот диод кроме того соединяется со схемой через блокирующий конденсатор? (чтобы изолироваться от напряжения смещения) Т.е. там есть еще мини-конденсатор? (а может и не один по всей схеме)
Резисторы являются ключевым компонентом почти в любой аналоговой схеме. Они реализованы как длинная полоса легированного кремния.
Слышал, что большие сопротивления делают также на полевых транзисторах.
Конденсатор между базой и коллектором транзистора, а на базе напряжение всегда меньше, чем на коллекторе или во всяком случае не больше, чем на напряжение открытого эмиттерного перехода (причем последнее — явно не нормальный режим). Так что во всем этом диапазоне диод будет закрыт.
А, я понял! Если зафиксировать напряжение на коллекторе (например, каскод), то этот самый обратносмещенный диод будет иметь константную емкость.
В современных технологиях довольно много способов сделать резистор. Из транзистора его делать относительно сложно, потому что надоточень точно контролировать напряжение на затворе для этого.
На относительно небольших проектных нормах удобнее всего, наверное, из несилицидированного поликремния набрать.
А вообще в любой аналоговой схеме резисторы и конденсаторы большую часть площади съедают.
На относительно небольших проектных нормах удобнее всего, наверное, из несилицидированного поликремния набрать.
А вообще в любой аналоговой схеме резисторы и конденсаторы большую часть площади съедают.
5 копеек, вынесенные с лекций по технологии производства, где я не оказался-бы даже работая по специальности.
Разница между горизонтальным и вертикальным вариантом транзисторов довольно велика — это достижимая толщина базового слоя, а значит — частотные свойства. У вертикальных базу технологически можно сделать тоньше и получить лучшие частотные свойства. От этого момента перейдём к…
Различию транзисторов разной структуры, n-p-n и p-n-p, с точки зрения того, какой материал подложки наиболее распространён для выращивания. А наиболее распространён — p-субстрат, что приводит к тому, что желая получить p-n-p транзистор вертикальной структуры мы будем должны сделать лишнюю операцию фотолитографирования (а может и две?) и имплантации примесей.
Вот так у кремниевых технологов появляется много параметров для манёвра в плане характеристи-стоимость.
P.S. Например у почившей в бозе «NSC», во многих документах особенно подчёркивается как преимущество конкретной ИМС то, что она
8. p-n-p транзисторы в TL431 имеют круговую структуру, которая их очень сильно отличает от n-p-n.
Про реализации транзистора претензия тогда в том, что нет единообразия, и обычному человеку неоткуда знать, что «горизонтальный» и «планарный» — это одно и то же.
Разница между горизонтальным и вертикальным вариантом транзисторов довольно велика — это достижимая толщина базового слоя, а значит — частотные свойства. У вертикальных базу технологически можно сделать тоньше и получить лучшие частотные свойства. От этого момента перейдём к…
Различию транзисторов разной структуры, n-p-n и p-n-p, с точки зрения того, какой материал подложки наиболее распространён для выращивания. А наиболее распространён — p-субстрат, что приводит к тому, что желая получить p-n-p транзистор вертикальной структуры мы будем должны сделать лишнюю операцию фотолитографирования (а может и две?) и имплантации примесей.
Вот так у кремниевых технологов появляется много параметров для манёвра в плане характеристи-стоимость.
P.S. Например у почившей в бозе «NSC», во многих документах особенно подчёркивается как преимущество конкретной ИМС то, что она
Using an optimized VIPTM (Vertically Integrated PNP) process, the LP2985 delivers unequalled performance in all specifications critical to battery-powered designs:
Зарегистрируйтесь на Хабре, чтобы оставить комментарий
Реверс-инжиниринг TL431, крайне распространенной микросхемы, о которой вы и не слышали