Хабр Курсы для всех
РЕКЛАМА
Практикум, Хекслет, SkyPro, авторские курсы — собрали всех и попросили скидки. Осталось выбрать!
Хабр доступен 24/7 благодаря поддержке друзей
Комментарии 11
>детали самого процесса производства памяти такого типа не раскрываются — на то и проприетарность.
Детали производства в этом случае — коммерческая тайна. Проприетарный не значит, что секретный, он просто запатентованный и требует лицензии для воспроизведения.
Детали производства в этом случае — коммерческая тайна. Проприетарный не значит, что секретный, он просто запатентованный и требует лицензии для воспроизведения.
> Тем не менее, все это дает возможность понять, что возможности текущего техпроцесса уже исчерпаны.
Коллеги, кто в теме, поясните плиз — почему?
Ведь, по идее, если увеличить размер кристалла — то можно же больше ячеек на него запихать? Или нет?
Ну или сделать многослойный чип (V-NAND тот же).
Коллеги, кто в теме, поясните плиз — почему?
Ведь, по идее, если увеличить размер кристалла — то можно же больше ячеек на него запихать? Или нет?
Ну или сделать многослойный чип (V-NAND тот же).
Насколько я понял, в Micro SD уже особо некуда увеличивать размер кристалла.
Такой некратный объем… врятли. Или много ячеек отведено под резерв, или там изначально масса битых ячеек. Реальный объем наверняка 256Гб, но либо велика доля брака либо среднее время жизни короткое и нужен большой резерв.
Разбирал когда-то SD-карточку, так на самом деле реальный её объем в 2 раза больше! И это при том что каждый блок в 128 байт защищен 11-ю байтами на информацию для восстановления ошибок.
Разбирал когда-то SD-карточку, так на самом деле реальный её объем в 2 раза больше! И это при том что каждый блок в 128 байт защищен 11-ю байтами на информацию для восстановления ошибок.
Размер кристалла для microSD нельзя увеличить за пределы форм-фактора microSD. На фотографии Andrew «bunnie» Huang Decapsulated microSD memory card lineup-genuine, questionable, and fake-counterfeit.jpg видно, что чип NAND памяти занимает почти всю площадь карты.
El Reg сообщает, что этом 200 ГБ используются чипы 2D NAND изготовленные по 15 nm с максимальным допустимым размером чипа:
www.theregister.co.uk/2015/03/03/sandisk_launches_200gb_microsd_card/
«Совместное» производство NAND SanDisk+Toshiba массово выпускает примерно с 2014 года именно 15 нм FG память с воздушными зазорами (air-gap process — EEtimes+TechInsights, Jeongdong Choe, 7/25/2013) MLC-2 128 Gbit, и были планы наTLC (MLC-3) с середины 2014 года. По замерам (подсчет чипов на 300мм пластине) от AnandTech в августе 2014 площадь 128 Gbit кристаллов (15 нм) составляла 139 мм2, плотность 0.92 Gbit/mm2, что лишь немного ниже MLC-2 Samsung 1gen V-NAND CTF 24 Layer и сравнимо с MLC-2 Samsung 2gen V-NAND CTF ~40нм[1][2] с 32 слоями (86 Гбит — один из немногих современных серийных чипов с размером, не кратным степени двойки; клевещут, что изначально это должен был стать 128 Гбит TLC=MLC-3, но не осилили не сразу и сделали его MLC-2 для Samsung 850 Pro, затем выпустив на другом заводе очень похожие TLC чипы для 850 Evo; Anand считает что это просто половина от 1gen V-NAND с изменением числа слоев с 24 до 32).
Также AnandTech в августе 2014 привел слайд «Die Size Reduction» от Toshiba+SanDisk images.anandtech.com/doci/8415/Screen%20Shot%202014-08-22%20at%2019.16.52_575px.png в котором заявлено о прогрессе в 15 нм чипах благодаря уменьшению площади периферийной логики и усилителей. Приводится достигнутый размер кристалла в 113 мм2 с отметкой, что он смог уместиться в microSD (часть площади карты тратиться на сдвиг кристаллов друг относительно друга, чтобы было место для приваривания проводов (фото 2010 года стопки 8 NAND и 1 контроллера; патент US20130207280 (pdf)(google) SanDisk с приоритетом 2010 года со схемами упаковки и соединения 8 die NAND + controller для microSD).
> Ну или сделать многослойный чип (V-NAND тот же).
У Toshiba и SanDisk в качестве 3D NAND развивается BiCS (V-NAND — это вариант 3D NAND только от Samsung; Intel+Micron и Hynix тоже планируют развивать свои 3D NAND в 2015-2016 гг; статьи про 3D NAND от Memory Guy). Расширение Toshiba Yokkaichi Fab2 для 3D NAND ожидается лишь в 2016 году — по новостям от сентября 2014, первые тестовые чипы — в конце 2015 BiCS technology usually includes 16 layers (новость от 14 November 2014).
Обычно собирают множество кристаллов в одном корпусе, например год назад SanDisk собирал 128 ГБ microSD из 16 утонченных кристаллов и продавал это за 200 USD — arstechnica.com/gadgets/2014/02/sandisks-128gb-microsd-card-is-the-biggest-tiniest-storage-you-can-buy/
Для получения 200 ГБ могли собрать в один корпус чуть больше кристаллов, либо поставить какие-то новые экспериментальные кристаллы (15 nm TLC?, может быть опять с размером, не кратным степени 2)… Вряд ли они успешно запустили 256 гбит кристаллы без множества пресс-релизов.
El Reg сообщает, что этом 200 ГБ используются чипы 2D NAND изготовленные по 15 nm с максимальным допустимым размером чипа:
www.theregister.co.uk/2015/03/03/sandisk_launches_200gb_microsd_card/
the company /SanDisk/ explained to El Reg that the only reason this is a 200GB device and not 256GB is that at 15nm, the die had reached the maximum size which could be squeezed into the microSD form factor to the specifications and still allow space for SanDisk’s control electronics.
SanDisk says that while the capacity of this card was influenced by the die size, the company is looking at alternative solutions to increase capacity which may not require another process shrink immediately.
«Совместное» производство NAND SanDisk+Toshiba массово выпускает примерно с 2014 года именно 15 нм FG память с воздушными зазорами (air-gap process — EEtimes+TechInsights, Jeongdong Choe, 7/25/2013) MLC-2 128 Gbit, и были планы наTLC (MLC-3) с середины 2014 года. По замерам (подсчет чипов на 300мм пластине) от AnandTech в августе 2014 площадь 128 Gbit кристаллов (15 нм) составляла 139 мм2, плотность 0.92 Gbit/mm2, что лишь немного ниже MLC-2 Samsung 1gen V-NAND CTF 24 Layer и сравнимо с MLC-2 Samsung 2gen V-NAND CTF ~40нм[1][2] с 32 слоями (86 Гбит — один из немногих современных серийных чипов с размером, не кратным степени двойки; клевещут, что изначально это должен был стать 128 Гбит TLC=MLC-3, но не осилили не сразу и сделали его MLC-2 для Samsung 850 Pro, затем выпустив на другом заводе очень похожие TLC чипы для 850 Evo; Anand считает что это просто половина от 1gen V-NAND с изменением числа слоев с 24 до 32).
Также AnandTech в августе 2014 привел слайд «Die Size Reduction» от Toshiba+SanDisk images.anandtech.com/doci/8415/Screen%20Shot%202014-08-22%20at%2019.16.52_575px.png в котором заявлено о прогрессе в 15 нм чипах благодаря уменьшению площади периферийной логики и усилителей. Приводится достигнутый размер кристалла в 113 мм2 с отметкой, что он смог уместиться в microSD (часть площади карты тратиться на сдвиг кристаллов друг относительно друга, чтобы было место для приваривания проводов (фото 2010 года стопки 8 NAND и 1 контроллера; патент US20130207280 (pdf)(google) SanDisk с приоритетом 2010 года со схемами упаковки и соединения 8 die NAND + controller для microSD).
> Ну или сделать многослойный чип (V-NAND тот же).
У Toshiba и SanDisk в качестве 3D NAND развивается BiCS (V-NAND — это вариант 3D NAND только от Samsung; Intel+Micron и Hynix тоже планируют развивать свои 3D NAND в 2015-2016 гг; статьи про 3D NAND от Memory Guy). Расширение Toshiba Yokkaichi Fab2 для 3D NAND ожидается лишь в 2016 году — по новостям от сентября 2014, первые тестовые чипы — в конце 2015 BiCS technology usually includes 16 layers (новость от 14 November 2014).
Обычно собирают множество кристаллов в одном корпусе, например год назад SanDisk собирал 128 ГБ microSD из 16 утонченных кристаллов и продавал это за 200 USD — arstechnica.com/gadgets/2014/02/sandisks-128gb-microsd-card-is-the-biggest-tiniest-storage-you-can-buy/
Для получения 200 ГБ могли собрать в один корпус чуть больше кристаллов, либо поставить какие-то новые экспериментальные кристаллы (15 nm TLC?, может быть опять с размером, не кратным степени 2)… Вряд ли они успешно запустили 256 гбит кристаллы без множества пресс-релизов.
А через пару недель Kingston сделает карточку на 201 Гб. Эх, вот и закончилась эпоха экспоненциального роста емкости носителей. Скоро и закон Мура того.
Сравнение темпов роста говорит, что еще не закончилась. Скорее мы имеем дело с маркетинговыми соображениями. Из комментариев к прошлогоднему посту о карте на 128 ГБ:
geektimes.ru/post/213767/#comment_7349861
geektimes.ru/post/213767/#comment_7349861
Archarious 25 февраля 2014 в 13:01 (комментарий был изменён) #То есть когда между 64 и 128 прошло почти три года, об окончании эпохи никто не заявлял, хотя это было больше похоже на исчерпание потенциала конкретного техпроцесса, — а начали говорить, когда появилась десятичная цифра — признак ориентации на «обычных пользователей».
Если следовать утверждению, что каждые два года объёмы будут увеличиваться в 2 раза, то в 2016 это будет 256Gb, в 2018 — 512Gb, а 1Tb дождёмся к 2020.
Трудно судить о реальном положении дел, но ради сравнения, необходимо обратить внимание, что microSD 64Gb появилась в середине 2011 года, 32Gb в начале 2010, а 16Gb — в конце 2008-ого. Так что поверхностно наблюдается удвоение объёма microSD примерно года за полтора.
Скорее всего, к 2018 нас может ждать какой-то уже более новый форм-фактор мирофлеша.
Зарегистрируйтесь на Хабре, чтобы оставить комментарий
SanDisk выпускает на рынок MicroSD емкостью в 200 ГБ