Комментарии 16
«Возможно, уже через несколько лет ядром компьютеров будет чип на арсениде галлия-индия» — говорят нам всем уже лет сорок. И еще лет десять будут говорить, судя по всему.
У III-V полупроводников проблемы с созданием на них диэлектрика — а значит нет нормальной КМОП-технологии, без которой современный микропроцессор не сделать.
У III-V полупроводников проблемы с созданием на них диэлектрика — а значит нет нормальной КМОП-технологии, без которой современный микропроцессор не сделать.
возможны глубокий ультрафиолет
Как и не говорят про проблемы с линзами, фокусировкой и пр. (даже при двойной экспозиции)
Комплементарная логика в А3В5 есть, хотя это и сложнее реализовать, чем на кремнии. Основная проблема, как мне кажется, это размер подложек. Если сейчас почти повсеместно используются 300мм кремниевые пластины с очень скорым переходом к 450мм, то, скажем, подложки для арсенида галия обычно не больше 6'' (150мм). Это значит — меньше кристаллов на пластине, что, ясно дело, процесс значительно удорожает.
КМОП технология на A3B5? Покажите, если не сложно)
Не комплементарный биполяр или какие-нибудь ещё mesfet-ы, а именно КМОП.
Не комплементарный биполяр или какие-нибудь ещё mesfet-ы, а именно КМОП.
Я не сказал КМОП, я сказал комплементарная логика :) Вот какие статьи показывает гугл школяр: логика на GaAs. Одним словом: экзотика, транзисторы на быстрых электронах и т.п.
Но в общем-то да, оксид кремния — это причина, почему мы используем кремний (хотя подзатворный диэлектрик уже давно не SiO2, да). И, как говорится, если это можно сделать на кремнии, это будет сделано на кремнии. Так что пока на А3В5 будет делаться аналоговая и силовая электроника.
Но в общем-то да, оксид кремния — это причина, почему мы используем кремний (хотя подзатворный диэлектрик уже давно не SiO2, да). И, как говорится, если это можно сделать на кремнии, это будет сделано на кремнии. Так что пока на А3В5 будет делаться аналоговая и силовая электроника.
Так кому нужна та комплементарная логика? Сила КМОП не в комплементарности, а в низком статическом энергопотреблении и малых размерах элементов (при равных проектных нормах с чем-то ещё).
У хорошо всем известных junction-gated транзисторов по вашей ссылке через затвор течёт ток, и ёмкость затвора огромная, а это сразу до свидания для возможных высокоинтегральных применений.
Я думал может что-то действительно интересное с A3B5 произошло, а я пропустил, но нет арсенид галлия продолжает быть материалом будущего в последних слайдах обзорных презентаций.
У хорошо всем известных junction-gated транзисторов по вашей ссылке через затвор течёт ток, и ёмкость затвора огромная, а это сразу до свидания для возможных высокоинтегральных применений.
Я думал может что-то действительно интересное с A3B5 произошло, а я пропустил, но нет арсенид галлия продолжает быть материалом будущего в последних слайдах обзорных презентаций.
а почему не отказываются от уменьшения техпроцесса в пользу увеличения количества ядер?
Потому что увеличение количества ядер не дает пропорционального роста производительности. Связать много ядер между собой — не самая тривиальная задача.
зачем связывать? сервера, обычно исполняют N-цать VM, это же не десктоп.
потому что им еще общаться с RAM, Storage и прочими…
мда-а, вопрос был: «а почему не отказываются от уменьшения техпроцесса в пользу увеличения количества ядер? », то Ваш ответ звучит очень не тривиально, если Вас не затруднит уточнить ответ, как же смена элементной базы с кремния на арсенид галия или…, смена техпроцесса может решить проблему узкой шины данных. Или Вы считаете NUMA неприемлемой? я же считал, что современный одноядерный универсализм — отжившей идеологией, в чем я ошибался?
70px выше моего комментария ваш вопрос «зачем связывать?»
по поводу NUMA — я лично не вижу где это применить для массмаркета, в каких-нибуть суперкомпьютерах возможно…
можно память к процессору попробовать поместить на 1 кристал — например для мобильных, но не факт что будут какие-то значительные улучшения. а стоить будет несколько дороже
по поводу NUMA — я лично не вижу где это применить для массмаркета, в каких-нибуть суперкомпьютерах возможно…
можно память к процессору попробовать поместить на 1 кристал — например для мобильных, но не факт что будут какие-то значительные улучшения. а стоить будет несколько дороже
Вы что-то напутали.
Чем меньше проектные нормы, тем дешевле каждый транзистор, однако стоимость единицы площади кристалла непрерывно растет, а размер чипов не падает, потому что растет их сложность. В итоге всегда выбираются самые большие проектные нормы, достаточные для решения задачи. Просто у Intel и компании такая конкуренция, что задачи все время усложняются, иначе не выжить на рынке.
Еще с падением проектных норм сильно растет стоимость фотошаблонов для изготовления. Для таких тиражей, как у Intel, это не важно, однако для специализированных мелкосерийных микросхем до сих пор в ходу проектные нормы порядка 350-90 нм — именно из экономических соображений.
Чем меньше проектные нормы, тем дешевле каждый транзистор, однако стоимость единицы площади кристалла непрерывно растет, а размер чипов не падает, потому что растет их сложность. В итоге всегда выбираются самые большие проектные нормы, достаточные для решения задачи. Просто у Intel и компании такая конкуренция, что задачи все время усложняются, иначе не выжить на рынке.
Еще с падением проектных норм сильно растет стоимость фотошаблонов для изготовления. Для таких тиражей, как у Intel, это не важно, однако для специализированных мелкосерийных микросхем до сих пор в ходу проектные нормы порядка 350-90 нм — именно из экономических соображений.
Я уверен в будущем Intel постарается запихнуть на процессор больше памяти до предела скорости чипа, дабы вывести HDD и SSD в разряд бекап хранилищ, а память в основное место для программ. Сокращение и уменьшение комплектующих неизбежно и приведет к наиболее быстрой производительности. Единственная преграда — отсутствие ОС умеющей работать с постоянно запущенными процессами и быть самой постоянно запущенной.
Зарегистрируйтесь на Хабре, чтобы оставить комментарий
Intel показала планы по покорению 10 и 7 нанометров