Хабр Курсы для всех
РЕКЛАМА
Практикум, Хекслет, SkyPro, авторские курсы — собрали всех и попросили скидки. Осталось выбрать!
Хабр доступен 24/7 благодаря поддержке друзей
Комментарии 10
Что значит «сверхнизких датчиков сенсорных интерфейсов»? Каламбур какой то. Абстракт к научной статье много понятнее, чем эта статья.
Тема подпитки из окружающей среды не раскрыта. То ли от тепла человека, то ли от энергии радиоволн, то ли ещё от чего.
Я так понял от наводок итп. Транзистор потребляет меньше одного нановатта. Запитать схему от индуктивности, как детекторный приемник. То-есть пассивному датчику можно будет добавить логики которая не требует батарейки. К примеру при достижении какого то порогового значения активировать более энергозатратное устройство.
будущее наступает! и это круто, жить в такое время.
Непонятно, как именно используется барьер Шоттки в этом транзисторе?
_Что значит «сверхнизких датчиков сенсорных интерфейсов»?_
— Согласен, не самое грамотно построенное предложение.
Вот как я его «раскрыл»:
_сверхмаломощных датчиков сенсорных интерфейсов_
Согласен, статья весьма итересна.
И — не ожидал, что аббревиатура раскрывает химию (используемые элементы).
Искал (на автомате) расшифровку наподобие IGBT.
Кстати, полевой транзистор — это пример элемента, что потребляет лишь за счёт своей ёмкости.
— Согласен, не самое грамотно построенное предложение.
Вот как я его «раскрыл»:
_сверхмаломощных датчиков сенсорных интерфейсов_
Согласен, статья весьма итересна.
И — не ожидал, что аббревиатура раскрывает химию (используемые элементы).
Искал (на автомате) расшифровку наподобие IGBT.
Кстати, полевой транзистор — это пример элемента, что потребляет лишь за счёт своей ёмкости.
Полевой управляется напряжением, биполярный — током. Ёмкость затвора — паразитный параметр. И если для полевого ток утечки смогли снизить почти до нуля, вследствии чего затрачиваемая на управление сощность U*I близка к нулю, то для биполярных снизить прямое напряжение база-эмиттер затруднительно. Кстати барьер Шоттки вместо p-n перехода имеет меньшее прямое напряжение, поэтому возможно такой транзистор за счёт него будет экономичней…
И если для полевого ток утечки смогли снизить почти до нуля, вследствии чего затрачиваемая на управление сощность U*I близка к нулю
Для полевого ток утечки и затрачиваемая энергия на переключение вещи не связанные. Вот ёмкость затвора — да. Чтобы его переключить, надо эту ёмкость перезарядить, т.е. затратить энергию.
Это наверняка круто, но из статьи не понятно почти ничего.
То-есть в «светлом» будущем идентификационно-следящие чипы вживляемые ещё до рождения (как кто-то писал в комментарии к статье на geektimes) уже могут не питаться от вращения генератора кровотоком? Здрово же
Зарегистрируйтесь на Хабре, чтобы оставить комментарий
Кембриджские инженеры разработали ультра-маломощные IGZO-транзисторы