Как стать автором
Поиск
Написать публикацию
Обновить

Комментарии 25

Да с Optane все просто! Маркетологи как всегда в глазах акционеров, победили инженеров, у Intel, в последние десятилетия, к сожалению, так всегда.
Да никто инженеров не побеждал — их просто как всегда и не спрашивали.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Я считаю что продвижение Optane в Intel состоялось благодаря двум талантливым инженерам и химикам Андрашу Иштвану Грофу и Гордону Муру. Это под их влиянием менеджерский состав осуществил данную идею, и она в общем-то очень даже жизненна., но далека от требуемого большинству идеала. Я не думаю что это плохо, эта технология в практической своей реализации продвинула компанию далеко вперёд.
По сути они сейчас используя другой хим. состав и тех. процесс создания ячейки памяти с таким же успехом могут разместить вместо неё как резистивную так и магнитную ячейки памяти (по типу MELRAM). По крайней мере топология может оставаться практически идентичной.

Еще стоит FRAM упомянуть. Есть даже серия ультранизкопотребляющих МК MPS430 с встроенной FRAM.

Да, сегнетоэлектрики конечно тоже очень перспективное направление. Но разрабатывающиеся типы памяти на их основе, используют всё те же конденсаторные ячейки хранения состояния и они подвержены утечке электронов и в связи с этим к данной теме не относятся.
Рабочая температура от 0 до 70 градусов — это обычный диапазон для commercial grade электроники. Все микросхемы в ваших ноутбуках и мобильной технике — с таким же температурным диапазоном.
Практически для всех других типов памяти предельно низкими будут сверхнизкие температуры меняющие проводимость и магнитные свойства используемых материалов, ячейки с теллуридом будут разрушены значительно раньше это ясно указано в википедии.
По поводу высоких температур так же есть информация о том что данные микросхемы перед окончательной сборкой устройства монтируют и только затем записывают. В общепринятой же практике сборки популярных устройств, память сначала записывают и только затем уже припаивают и в дальнейшем тестируют конечное устройство.
На википедии даже не написано, теллурид чего именно использован, так что я бы на вашем месте поостерёгся по одному слову делать далеко идущие выводы.
Мои предположения ни к чему не обязывают, а какой либо вывод сделать всё равно надо.
У вас есть более подробная информация?
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
В автомобилях электроника automotive grade. Мне, как и вам, лень лезть в гугл, но по памяти — от -40 до +125 градусов цельсия.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Core i7 переживают кратковременные температурыне перепады от -55 до +125

К сожалению, вы путаете понятия «переживают» и «спецификация». Согласно даташиту, рабочий диапазон температур процессоров серии i7-900 — от +5 до +67,9 градусов цельсия. Но на самом деле вы в одном шаге от правильного вывода: значение минимально допустимой температуры 0 градусов не означает, что при этой температуре устройство выключается, а все котики — стираются.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Кроме опубликованной статьи, я не вижу более никаких упоминаний, что 3D XPoint теряет информацию при охлаждении и/или нагреве. Возможно, это просто фантазия автора, основанная на увиденном им рабочем температурном диапазоне микросхем.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Я указал список использованных источников, там вся информация присутствует.
Если вас так заинтересовала эта тема то рекомендую ознакомиться.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
К сожалению более подробной информации в сети нет. Я поищу, если найду отпишу.

Заявление на базе двух строк из product brief и необоснованных предположений автора на тему "фазовый состояний"…


Устройства небольшого объема вполне доступны, можно было бы и эксперимент провести.


Ссылки: https://www.intel.com/content/www/us/en/architecture-and-technology/optane-memory-brief.html
https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/product-briefs/optane-memory-brief.pdf
Product Brief: Intel® Optane™ Memory—Breakthrough Responsiveness
стр.3 "Temperature Operating: 0 to 70 C; Non-Operating: -10 to 85 C"


https://www.intel.com/content/dam/support/us/en/test/Frequently_Asked_Questions_for_Intel_Optane_Memory.pdf Frequently Asked Questions for Intel® Optane Memory — Last Reviewed: 07-Jun-2017 — Article ID: 000024018
"What is the power consumption and operating temperature for the Intel Optane Memory Module? — See the Product Brief for more information"


У партнеров есть примечание, что для коммерческих запросов Интел ответит про минус десять и плюс 85 http://h20195.www2.hp.com/v2/getpdf.aspx/c05575398.pdf "8.Please contact your Intel representative for details on the non-operating temperature range"


О сохранности данных в Optane без питания — стандартные для сегмента "enterprise" накопителей "не менее 3 месяцев" после исчерпания ресурса стираний (при 40 градусах?, можно предположить, что при пониженных температурах химические процессы будут лишь замедляться), см. https://www.anandtech.com/show/11930/intel-optane-ssd-dc-p4800x-750gb-handson-review


Once the P4800X has reached its write endurance rating, it is specified for unpowered data retention of 3 months, which is standard for enterprise SSD. Intel doesn't say anything directly about data retention when the drive is new, but the do caution that the drive will perform background data refreshing. When the drive is powered on, it will devote more time than usual to background data refreshing for a period of about three hours, to clean up any data degradation that may have occurred while the drive was off for an unknowable period of time.

В http://www.russianelectronics.ru/developer-r/review/2194/doc/54612/ пишут, что фазовое состояние меняется между аморфной и кристаллической фазой "халькогенидного стекла на основе сплава антимонида и теллурида германия Ge-Sb-Te (GST)", а techinsights подтверждает использование GST в Optane: "Intel XPoint memory has adopted chalcogenide-based phase change materials. A GST (Ge-Sb-Te) alloy layer is used for the memory element" и GST-based materials are used for the storage и IEDM 2016 7.7 3-D cross-point memory cells formed using germanium-selenium telluride (GST) are discussed in the last paper of the session (7.7) (
Multi-domain compact modeling for GeSbTe-based ...Nuo Xu).
https://www.eetimes.com/author.asp?section_id=36&doc_id=1331894&print=yes "For GST, the maximum crystal growth rate of 0.55m/sec is observed at 750K."


Сходные стекла AgInSbTe, GeInSbTe, GeInSbSn использовались в перезаписываемых CD-RW/DVD-RW/BD-RE и информация вроде как не терялась при замораживании (стекло самопроизвольно не меняло аморфную фазу на кристаллическую). Хотя Стандарты Разрешают хранить лишь при температурах не ниже -10 градусов: https://www.clir.org/pubs/reports/pub121/sec5.html, но опасны не сами низкие температуры, а скорость изменения температуры (быстрый отогрев после заморозки может приводить к расслоению dvd).


В статье http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0042207X17311454 и https://www.nature.com/articles/srep46279 изучали как повысить сохранение фаз в вариантах GST для достижения 10 летней сохранности фазового состояния — https://ars.els-cdn.com/content/image/1-s2.0-S0042207X17311454-gr2.jpg https://www.nature.com/articles/srep46279/figures/1 — при +88 градусах !

А есть сейчас что-нибудь в разработках вроде не перезаписываемой, крайне дешевой памяти с минимальным энергопотреблением и крайне долгим сроком эксплуатации? Что-нибудь идеально подходящее для долгосрочных архивов.
Из не перезаписываемых — кварцевые диски обещают быть почти вечными.
Впервые в 2012 году об этой технологии заявила Hitachi.
Данная технология в связи с её дороговизной не обещает значительного удешевления в ближайшем обозримом будущем.

Кроме того, тоже оптическая запись на диск из нитрида кремния, с инкапсуляцией в него «островков» вольфрама, правда скептики заявляют что в связи с диффузией данные будут разрушены. www.tehnari.ru/f157/t91614,https://arxiv.org/pdf/1310.2961v1.pdf
Такими темпами ленточные библиотеки еще долго будут в строю для долгосрочного хранения.
Зарегистрируйтесь на Хабре, чтобы оставить комментарий

Публикации