Комментарии 42
Почему то GAN в плане сетевых преобразователей прочно обосновались во всяких не особо мощных PD-зарядках. А вот увидеть хотя бы пром. вариант компактного БП на пару сот ватт, было бы здорово.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
А кто сказал про 1 МГц для приводов?)) Про охлаждение вроде бы написал в статье. Более тонкие подробности, боюсь, раскрыть не могу…
Давно жду когда такие транзисторы, но только годные для мощных БП пойдут в массовую продажу. Интересует снижение потерь на переходных процессах именно на мощных апаратах где это наиболее актуально.
Так уже есть на 650В GaN-ключи. Но с ними не так всё просто, что и пытался в статье показать — замена кремния на галлий-нитрид путем выпаивания первого и впаивания второго не работает.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Вот задача: надо влупить ток в пару сотен ампер в течении 1 микросекунды.
Фронты чем круче тем лучше. Напряжение 40-80в. Какой транзистор лучше применить?
Фронты чем круче тем лучше. Напряжение 40-80в. Какой транзистор лучше применить?
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Я пробовал на обычных фетах. У транзисторов на большой ток емкость затвора большая. Приходится применять драйверы помощнее и все равно фронты завалены получаются. В той схеме еще очень желательно переключать + то есть транзисторы П канальные…
Ваша нагрузка — не лазерный диод?
Нее. Нагрузка — металлическая проволочка. Она должна устраивать микровзрыв в воде и резать другой здоровый кусок металла.
Обращайтесь, сделаем. С Вас эскизное ТЗ, с нас бюджет и сроки…
Так не спортивно. И вобще это не коммерческий проект.
А, понял. Тогда, наверное, самым разумным будет купить отладочную плату вроде такой и побаловаться с ней
На данный момент GaN, а так-же драйверы для них — весьма дорогая игрушка. Иногда можно поймать удачу, и получить комплект юного пиротехника — почти бесплатно. Однако это не означает что потом можно будет тот-же комплект приобрести в нужном вам количестве. Компания может передумать или вовсе испариться.
Дык собственно вопрос — где оно уже продаётся поштучно, без предварительных звонков и договоров.
Дык собственно вопрос — где оно уже продаётся поштучно, без предварительных звонков и договоров.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Характеристики у этой микросхемы попроще, зато работать с ней просто
https://www.ti.com/store/ti/en/p/product/?p=LMG5200MOFR
upd: а, там тарами по 250 микросхем продают. Тогда проще семплом заказать
Для нее еще и генератор мертвого времени надо правильный сделать ;-) да и соотношение цена/характеристики весьма спорное…
Там, где обычно применяют GaN, deadband generation обычно встроен в ШИМ-периферию. На тех частотах обычно используют и ШИМ высокого разрешения (на линиях задержки). Поэтому это или TI C2000, или Infineon XMC или STM32G-какой-то-там.
Обычно, но не всегда. Если говорить про аудиоприменения, то в них часто не хватает динамического диапазона, который можно получить при помощи специализированных процессоров с ШИМ высокого разрешения. Недавно, в одном проекте, удалось вытянуть примерно 15-15.5 бит с помощью одного из специализированных процессоров, что маловато, так как на регулировку громкости ДД уже не остается. Результирующая линейность тоже оставляет желать лучшего, виной тому большая DNL/INL этих младших 3-4 бит высокого разрешения.
Ну из чисто цифровых решений я видел только использование FPGA с высокоскоростными линиями (типа SERDES), там 150 пикосекунд (стандартные для МК силовой электроники на флеше) шага можно было снизить до 30-40. Но меньше — это только аналог, и то, далеко не каждый.
Извините за занудство, но почему GaN Вы называете «галлий-нитридом»? Gallium nitride (обратите внимание, без дефиса) на русский язык переводится как нитрид галлия — одно вещество. А то, как Вы пишите, соответствует некой составной системе из галлия и нитрида. Причём, под нитридом «по умолчанию», в технологии ПП, понимают нитрид кремния, т.е. Si3N4. Получается система Ga-Si3N4, что не есть верно.
Вы уже проводили испытания на электромагнитную эмиссию? Интересно, удалось ли обуздать высокие dV/dt с помощью экранированного корпуса? На фото плат не вижу силовых ферритовых бусин/синфазных дросселей. Как реализован ввод/вывод силовых проводников в вашем корпусе?
Полноценные испытания в лаборатории еще впереди, однако, первоначальную оценку я делал. Обуздать imho удалось — ВЧ-составляющие тока коммутации (в основном, это частоты вблизи несущей и их гармоники, и частоты, характеризующие фронты/спады) циркулируют во внутренних цепях модуля. Кроме того, предполагается, что модуль установлен на некую печатную плату, на которой возможно добавить дополнительные элементы для ЭМС. Т.е. подход соответствует общепринятому, используемому при разработке модульных DC/DC конвертеров.
Гальваническая развязка опционального ШИМ-входа (его можно выбрать с помощью подачи соответствующей команды) выполнена на широкополосном трансформаторе, так как существующие модели интегральных гальванических развязок (ADuM12x и прочие) могут вносить заметные временные искажения управляющих импульсов.
Propagation delay ADuM12x — до 270 нс. Почему нельзя взять, скажем, ADuM220N, у которого propagation delay 15 нс?
А как защитить этот широкополосный трансформатор от насыщения? Например, если подадут сигнал с заполнением 90%
Модулятор-демодулятор городить?
Был выбран такой трансформатор и такой режим работы (включая дифференциальный приемник на вторичной обмотке), что данное решение вполне себе работает, с учетом некоторых ограничений по нижней граничной частоте следования импульсов (около 50 кГц). Т.е. на грани насыщения. А если он по какой-либо причине насытится, сработает защита в ПЛИС.
Приветствую, я являюсь новичком по сравнением всего-того, что я тут смог прочитать в попытке накачать максимум литературы по GaN транзисторам. Вот такой вопрос - какие вы ферриты использовали ? Как я понял Вас ВЧ ферриты рассчитанные на частоты в 1 -10 мГц, если я верно понял из статьи, заранее спасибо
Зарегистрируйтесь на Хабре, чтобы оставить комментарий
Высокоэффективный 600 Вт усилитель НЧ на нитрид-галлиевых силовых транзисторах