Как стать автором
Обновить

Комментарии 8

В вариантах включения pin-диодов еще можно упомянуть хитрый трюк с включением их через линию в четверть длины волны. Это позволяет при числе диодов N увеличить потери в запертом состоянии до величины N*Lз+(N-1)*6 дБ, где Lз -- потери запирания одного диода, дБ. Потери в открытом состоянии увеличиваются несущественно.

Действительно, есть такой фокус. Но места не всегда хватает для всех этих "четвертей".

А в таких случаях выручает LC-фазовращатель. Правда, он, конечно, ограничивает полосу частот.

Тоже верно, можно добавить электрической длины схемой на сосредоточенных элементах. Хорошая идея. Но конечно потери добавятся, да и мощность ограничится именно этими компонентами.

А мощность пробоя я считал таким способом. Для случая последовательно включенного диода.:

P_{max} = \frac{P_d\cdot z_0}{R_s}

Для случая параллельного диода:

P_{max}=\frac{P_d \cdot z_0}{4R_s}

где Pd -- мощность рассеяния;

z0 -- волновое сопротивление линии передачи;

Rs -- последовательное сопротивление диода в открытом состоянии.

При рассогласовании линии всё умножается на величину:

\left(\frac{2K}{K+1}\right)^2

Где К - КСВН.

Я бы все же называл пробоем именно электрический пробой закрытого диода. Вы говорите о перегреве открытого диода. Тут, несомненно, все правильно. Еще не забудьте прямой ток - он тоже неплохо разогревает диод. Электрический пробой представляется более интересным эффектом - с одной стороны нужно подать обратное смещение, достаточное для управления выбранным уровнем СВЧ мощности, а с другой стороны - не довести диод до пробоя.

Да, точно, спасибо за замечание!

Зарегистрируйтесь на Хабре, чтобы оставить комментарий

Публикации

Истории