Фото: micron.comНа днях Micron объявила о том, что стартовало производство тестовых образцов регистровых модулей оперативной памяти DDR5 для использования в серверах. Они будут построены на микросхемах 10-нм класса (1Znm) и, как заявили в компании, обеспечат прирост производительности подсистемы памяти более чем на 85% по сравнению с существующими DDR4.
Ожидается, что DDR5 будут требовать меньше энергии, так как рабочее напряжение уменьшат с 1,2 до 1,1 В. При этом они обеспечат больший объем вследствие увеличения емкости самих микросхем. Из спецификации JEDEC следует, что память DDR4 обеспечивает скорость 1600–3200 МТ/с, а для памяти DDR5 этот показатель составляет 3200–6400 МТ/с. То есть, процессоры будут быстрее получать данные из памяти.
Первыми новые модули получат ключевые партнеры Micron. О начале массового производства DDR5 информации пока нет. Предположительно, оно начнется к 2021 году ко времени появления первых процессоров с поддержкой DDR5. Intel и китайская Zhaoxin уже заявляли о таких планах.
«DDR5 RDIMM представляет собой значительную веху, приближающую отрасль на шаг ближе к раскрытию ценности ориентированных на данные приложениях следующего поколения», —заявил Том Эби, старший вице-президент и генеральный менеджер подразделения Compute&Networking Business Unit в Micron.
См. также: «На рынке появится отечественный SSD. Чипы для него будут производить в России»
