25 марта 2021 года Samsung представила модуль памяти registered DIMM (RDIMM) DDR5 на 512 ГБ.
На планке памяти расположены 40 штук (по четыре чипа памяти на банк, пятый для встроенной проверки ECC — on-die-ECC) 8-ми слойных модулей DDR5 с плотностью 16Гбит и объемом 16 ГБ, созданных с использованием новейшей технологии HKMG (High-K Metal Gate — транзисторы с подзатвором из материала, который имеет большую диэлектрическую проницаемость, чем оксид кремния). Чипы памяти объединены между собой с помощью технологии объемной компоновки с межслойными соединениями (Through-Silicon Vias, TSV).
Samsung заявила, что новая память DDR5 работает в два раза быстрее, чем память DDR4, а ее энергопотребление на 13% эффективнее из-за пониженного напряжения. Компания пояснила, что память DDR5 обеспечивает скорость передачи данных с одного пина до 7200 Мбит/с.
Samsung планирует, что новые модули памяти будут использоваться в суперкомпьютерах и вычислениях, связанных с искусственным интеллектом и машинным обучением. Компания не уточнила, когда появятся варианты высокоплотных планок памяти для обычных пользователей. Также Samsung не назвала дату выпуска новой памяти RDIMM DDR5 на 512 ГБ для высокотехнологичного сегмента рынка.
Samsung уточнила, что уже начала тестировать модули DDR5 с различными вендорами серверного оборудования. Компания ожидает в скором времени окончания всех необходимых проверок памяти и проведения сертификации для ее применения в серверах, поддерживающих память DDR5, которые появятся вскоре на рынке.
Вероятно, что модуль памяти DDR5 на 512 ГБ можно будет использовать в новых серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5, например, на базе процессоров AMD EPYC (Genoa) и Intel Xeon (Sapphire Rapids).
Фактически, при использовании с новыми серверными процессорами с восемью каналами памяти и двумя модулями DIMM на канал, новые модули памяти Samsung емкостью 512 ГБ позволяют оснастить каждый процессор до 8 ТБ памяти DDR5. Это в два раза больше, чем возможно сейчас — до 4 ТБ.
