В 2026 году Россия начнёт работу над созданием литографа для производства чипов по топологии 90 нм. Об этом 20 марта 2026 года на отраслевой научно‑технической конференции радиоэлектронной промышленности заявил заместитель министра промышленности Василий Шпак. Исполнитель работ будет определён по результатам конкурса. Кроме этого, представители Минпромторга не ответили на вопрос о подробностях создания нового литографа.
В России разработкой и созданием литографов занимается Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) совместно с белорусским предприятием «Планар». Компания работала над литографами на 350 нм и 130 нм. Генеральный директор ЗНТЦ Анатолий Ковалёв отметил, что компания пока не решила, будет ли участвовать в конкурсе.
При этом по состоянию на март 2026 года работа над оборудованием по топологии 130 нм продолжается. В ноябре 2026 года ЗНТЦ планирует завершить разработку степпера с разрешением 130 нм. Стоимость литографа по технологии 130 нм от ЗНТЦ составит 6 млн долларов. Производитель обещает скорость обработки от 100 до 140 пластин в час.
Эксперт РИНКЦЭ и академик Международной академии связи Дмитрий Пшиченко рассказал, что разработка литографа с нуля может занять от пяти до десяти лет и потребовать сотни миллионов долларов. Если речь идёт о локализации или доработке существующих решений на базе 130 нм, сроки могут составить от двух до четырёх лет.
Как объяснил Дмитрий Пшиченко, чипы по 130 нм техпроцессу используются для автомобильной электроники, промышленной автоматизации и энергетики. По мнению Пшиченко, главный вопрос состоит не в самом литографе, а в наличии полной экосистемы фотошаблонов, материалов и EDA-инструментов и компетенций. Также эксперт отмечает, что ещё основное значение имеет наличие компетенций и персонала, который может развивать и обслуживать установку. Без этого даже наличие установки не гарантирует массового производства.
Независимый эксперт, автор канала RUSmicro Алексей Бойко отметил, что разработанный литограф на 130 нм с помощью двукратного экспонирования можно использовать для создания чипов по топологии 90 нм. Требуется доработать имеющиеся элементы и технологии, заменить объективы, лазерные модули и систему управления, чтобы получить разрешение в 90 нм.
