..... датчик напряжения (делитель напряжения на резисторах) был подключён, и даже удалось его откалибровать так, чтобы он показывал достаточно точные значения. Однако он работал хорошо только при условии, что источник питания и источник замера напряжения были разными.
Просто ошибка в схеме - 99,(9) %
..... сам датчик уже не подходил, поскольку максимальное напряжение на аналоговом выводе ESP32C3 оказалось меньше, чем мог уменьшить делитель напряжения.
И вот - подтверждение.
-------------------------
NSFW / Срачь!
Я говорил знакомым, что в городе теперь работает бесплатный Wi-Fi, и те, кто решил проверить, испытали массу «позитивных» эмоций.
Фу таким быть.
Безотносительно по отношению к душевнобольным, порицание которых - сменилось с узкорелигиозного на общее. Вызванное ни кем иным, как не в меру экстравертированными носителями данной болезни.
Лет 15 назад Atmel заявлял стоимость изготовления набора масок к своим 350 нм БМК на уровне 25 k$. Полный цикл для такой технологии - оцениваю снизу в 5-10 раз дороже.
"Прошитая FPGA (ПЛИС)" - ближе к БМК (ASIC) и отличается отсутствием огромного количества транзисторов, коммутирующих простейшие внутренние ячейки (таблицы + Д-триггер, LUT + DFF).
ПЛИС могли использоваться на этапе отладки ядра и периферии МК. Потом, полученная RTL "компилировась" напрямую в "кремний".
В ресурсных испытаниях журнала АвтоРевю - были тесты ЛКП оцинкованного железа. Насколько помню - ускоренные, несколько тарированных по глубине надрезов ЛКП в камере соляного тумана.
Да, ошибся в воспроизведении формулы Ic ~ Vbe по памяти. Площадь не в показателе экспоненты.
Но можете измерить падения напряжения Б-Э и Б-К и увидеть, что у многих маломощных транзисторов, падение на коллекторном переходе чуть-чуть - да меньше.
Лишнее. Только для завлечения неофитов.
Поправка. Не "частота волны", а "частота колебаний".
Да. Но в данном случае, индуктивность - не только фильтр. Максимальное напряжение на нагрузке - больше амплитуды на вторичке трансформатора.
Есть ли у этой чудесной детали part number или торговое название?
А чуть выше, как это часто случается в автомобилях, - и хана всему прибору.
Значит - ошибка в схеме. Об этом-же - толкуют и другие.
Кажется - полезно.
Но в опросах, как всегда, не хватает промежуточных вариантов "вероятно - да" и "вероятно - нет".
Просто ошибка в схеме - 99,(9) %
И вот - подтверждение.
-------------------------
NSFW / Срачь!
Фу таким быть.
Безотносительно по отношению к душевнобольным, порицание которых - сменилось с узкорелигиозного на общее. Вызванное ни кем иным, как не в меру экстравертированными носителями данной болезни.
Третье-четвёртое следствие (котики) впереди причины (осёдлость).
Лет 15 назад Atmel заявлял стоимость изготовления набора масок к своим 350 нм БМК на уровне 25 k$. Полный цикл для такой технологии - оцениваю снизу в 5-10 раз дороже.
"Прошитая FPGA (ПЛИС)" - ближе к БМК (ASIC) и отличается отсутствием огромного количества транзисторов, коммутирующих простейшие внутренние ячейки (таблицы + Д-триггер, LUT + DFF).
ПЛИС могли использоваться на этапе отладки ядра и периферии МК. Потом, полученная RTL "компилировась" напрямую в "кремний".
Пока один топ вешает лапшу доверчивым когнитариям, другой - идёт на службу в армию. Д - диверсификация.
В ресурсных испытаниях журнала АвтоРевю - были тесты ЛКП оцинкованного железа. Насколько помню - ускоренные, несколько тарированных по глубине надрезов ЛКП в камере соляного тумана.
Привет от Atmel с STK500.
Прям "Зенитные кодексы"...
Насколько знаю, для проброса железа в ВМ нужна поодержка IOMMU в чипсете.
Это мудачье из бэкэнда уже который год не может довести редактор хотя бы до уровня notepad или конференций времён Web2.0.
Книжка называется "Designing analog chips", если поисковик даст прямую ссылку на сайт designinganalogchips.com, то по ней всё скачается без логина.
Тогда - так.
Например - формула внизу стр. 5-3 одноимённой книги. Проистекает напрямую из модели Гуммеля-Пуна, ЕМНИП.
Да и Юрий - тоже из их числа.
Да, ошибся в воспроизведении формулы Ic ~ Vbe по памяти. Площадь не в показателе экспоненты.
Но можете измерить падения напряжения Б-Э и Б-К и увидеть, что у многих маломощных транзисторов, падение на коллекторном переходе чуть-чуть - да меньше.