В вариантах включения pin-диодов еще можно упомянуть хитрый трюк с включением их через линию в четверть длины волны. Это позволяет при числе диодов N увеличить потери в запертом состоянии до величины N*Lз+(N-1)*6 дБ, где Lз -- потери запирания одного диода, дБ. Потери в открытом состоянии увеличиваются несущественно.
Ну вот самое главное, что меня всегда заставляет заново всё перечитывать по pin-диодам, это когда требуется использование на высоких мощностях, расчёт для схем последовательного и параллельного включения диодов, даже памятку с формулами себе делал, но забыл, куда её дел) И схемы драйверов: собственно, кроме одной классической из Вайсблата и ещё много откуда, ничего не использую, а хотелось бы некоторого разнообразия, упрощения, увеличения управляющих токов, быстродействия и т.д.
Всё, я разобрался с методами измерения КСВН переходов. С помощью ГОСТ 20465-85 для случая одного перехода (о чём говорил я) и с помощью статьи https://kit-e.ru/circuit/metodika-izmereniya-ksvn/ два перехода, как в вашем случае.
Спасибо, очень полезная дискуссия, узнал, хоть и косвенно, много нового. Правда, на тех частотах, где (пока) работаю я, эти моменты не особенно принципиальны, но тем не менее.
Да, спасибо за развёрнутый комментарий. Но всё-таки... :-)
Всё-таки мне неясен вот какой момент: "опять же именно поэтому важно определять реальный уровень КСВ, а не для конкретной длины платы" -- но ведь когда вы измеряете КСВН на плате с конечной длиной вы и получаете не реальное значение, а в какое-то в определённой мере приближенное к реальности: плюс потери на рассеяние в диэлектрике (для кого-то незначительные, а если вы делаете какой-нибудь измеритель мощности с КСВН < 1,1 в полосе от 0,3 до 6000 МГц, то это уже какую-то роль да играет), плюс, как вы сами совершенно верно заметили переход и разъём на том конце, плюс разброс эпсилон, плюс технологические допуски. То есть по моему представлению вы не только не определяете истинный КСВН перехода, но вообще в общем случае не знаете, что за значение вы измерили. Кроме того, когда вы показываете построенную вами огибающую: её надо именно вот так от руки строить или всё-таки существует строгий способ? Почему огибающая в вашем комментарии ниже в районе 8 ГГц не следует за уменьшением уровня КСВН?
Измерение же с нагрузкой зависят уже только от параметров самой нагрузки, а их сейчас делают очень точными и широкополосными. И не понимаю, а тут-то зачем длинная плата?
Кстати да, может, мы под переходом понимаем разные вещи? Я имею в виду следующее: отрезок проводящей линии определённой формы, определённым образом сформованный и соединяющий срез коаксиальной линии и срез планарной линии, и "вспомогательные" соединения с "землёй".
P.S. Очень надеюсь, что вы понимаете, что я действительно хочу разобраться, а ваш метод измерения КСВН идёт как-то так в разрез с моими представлениями о вещах :-)
Всё же не дискуссии ради, а просто для справки: лаком РЧ-платы до сих пор покрывают для изделий со всепогодным исполнением, главным образом против, конечно, влажности, росы и т.п.
Спасибо, понятно. Почему нельзя для оценки КСВН перехода использовать согласованную нагрузку, установленную прямо впритык к плоскости перехода? Ведь по сути все измерения КСВН любых устройств и сводятся к тому, что между срезом согласованной измерительной линии и срезом согласованной нагрузки (которой может являться вторая линия при измерениях коэффициентов |S21| и |S12|) помещается измеряемое устройство, в данном случае переход с коаксиальной линии на полосковую. И в таких случаях как раз стремятся сделать как можно лучший de-embedding (или в более общем смысле калибровку VNA), то есть исключить все подводящие линии. Ваш метод же предполагает, как мне представляется, нечто обратное. Оптимальной, видимо, будет линия бесконечной длины, чтобы огибающая получилась непрерывной, это предполагает некоторый существенный предел по точности измерения, кроме того анизотропия величины эпсилон, допуски на неё, то есть. например на материале FR-4 такие измерения уже не провести (хотя на 10 ГГц вряд ли кто-то его использует) -- короче говоря, думаю, вы понимаете, о чём я.
Не могли бы вы, если вас не затруднит, разъяснить, в чём я, возможно ошибаюсь в своих рассуждениях, и если нет, что в чём преимущество вашего метода?
После прочтения вашей статьи возникло несколько вопросов:
Прошу вас показать подробнее и обосновать, если возможно, как строить упомянутую вами огибающую и почему этот метод позволяет достоверно определить КСВН перехода.
Почему результат измерения коротких плат будет обманчивым, если, предположим, на частоте 10 ГГц мне требуется длина проводника от перехода до следующего узла, скажем, 5 мм. Что в таком случае считать достоверным результатом? То, что получается в реальности или в условной модели, роль которой играет длинная плата.
Какая оптимальная длина проводника для 99% достоверного определения КСВН перехода?
------
В вариантах включения pin-диодов еще можно упомянуть хитрый трюк с включением их через линию в четверть длины волны. Это позволяет при числе диодов N увеличить потери в запертом состоянии до величины N*Lз+(N-1)*6 дБ, где Lз -- потери запирания одного диода, дБ. Потери в открытом состоянии увеличиваются несущественно.
Ну вот самое главное, что меня всегда заставляет заново всё перечитывать по pin-диодам, это когда требуется использование на высоких мощностях, расчёт для схем последовательного и параллельного включения диодов, даже памятку с формулами себе делал, но забыл, куда её дел) И схемы драйверов: собственно, кроме одной классической из Вайсблата и ещё много откуда, ничего не использую, а хотелось бы некоторого разнообразия, упрощения, увеличения управляющих токов, быстродействия и т.д.
Всё, я разобрался с методами измерения КСВН переходов. С помощью ГОСТ 20465-85 для случая одного перехода (о чём говорил я) и с помощью статьи https://kit-e.ru/circuit/metodika-izmereniya-ksvn/ два перехода, как в вашем случае.
Спасибо, очень полезная дискуссия, узнал, хоть и косвенно, много нового. Правда, на тех частотах, где (пока) работаю я, эти моменты не особенно принципиальны, но тем не менее.
Спасибо за гайд по pin-диодам на русском :-)
Очень интересна тема pin-диодов в мощных приложениях и схем драйверов pin-диодов (ну кроме всем известной из книжки Вайсблата).
Да, спасибо за развёрнутый комментарий. Но всё-таки... :-)
Всё-таки мне неясен вот какой момент: "опять же именно поэтому важно определять реальный уровень КСВ, а не для конкретной длины платы" -- но ведь когда вы измеряете КСВН на плате с конечной длиной вы и получаете не реальное значение, а в какое-то в определённой мере приближенное к реальности: плюс потери на рассеяние в диэлектрике (для кого-то незначительные, а если вы делаете какой-нибудь измеритель мощности с КСВН < 1,1 в полосе от 0,3 до 6000 МГц, то это уже какую-то роль да играет), плюс, как вы сами совершенно верно заметили переход и разъём на том конце, плюс разброс эпсилон, плюс технологические допуски. То есть по моему представлению вы не только не определяете истинный КСВН перехода, но вообще в общем случае не знаете, что за значение вы измерили. Кроме того, когда вы показываете построенную вами огибающую: её надо именно вот так от руки строить или всё-таки существует строгий способ? Почему огибающая в вашем комментарии ниже в районе 8 ГГц не следует за уменьшением уровня КСВН?
Измерение же с нагрузкой зависят уже только от параметров самой нагрузки, а их сейчас делают очень точными и широкополосными. И не понимаю, а тут-то зачем длинная плата?
Кстати да, может, мы под переходом понимаем разные вещи? Я имею в виду следующее: отрезок проводящей линии определённой формы, определённым образом сформованный и соединяющий срез коаксиальной линии и срез планарной линии, и "вспомогательные" соединения с "землёй".
P.S. Очень надеюсь, что вы понимаете, что я действительно хочу разобраться, а ваш метод измерения КСВН идёт как-то так в разрез с моими представлениями о вещах :-)
Да, и кроме того в линиях большой длины на величину КСВН будет оказывать влияние и тангенс дельта.
Всё же не дискуссии ради, а просто для справки: лаком РЧ-платы до сих пор покрывают для изделий со всепогодным исполнением, главным образом против, конечно, влажности, росы и т.п.
Спасибо, понятно. Почему нельзя для оценки КСВН перехода использовать согласованную нагрузку, установленную прямо впритык к плоскости перехода? Ведь по сути все измерения КСВН любых устройств и сводятся к тому, что между срезом согласованной измерительной линии и срезом согласованной нагрузки (которой может являться вторая линия при измерениях коэффициентов |S21| и |S12|) помещается измеряемое устройство, в данном случае переход с коаксиальной линии на полосковую. И в таких случаях как раз стремятся сделать как можно лучший de-embedding (или в более общем смысле калибровку VNA), то есть исключить все подводящие линии. Ваш метод же предполагает, как мне представляется, нечто обратное. Оптимальной, видимо, будет линия бесконечной длины, чтобы огибающая получилась непрерывной, это предполагает некоторый существенный предел по точности измерения, кроме того анизотропия величины эпсилон, допуски на неё, то есть. например на материале FR-4 такие измерения уже не провести (хотя на 10 ГГц вряд ли кто-то его использует) -- короче говоря, думаю, вы понимаете, о чём я.
Не могли бы вы, если вас не затруднит, разъяснить, в чём я, возможно ошибаюсь в своих рассуждениях, и если нет, что в чём преимущество вашего метода?
После прочтения вашей статьи возникло несколько вопросов:
Прошу вас показать подробнее и обосновать, если возможно, как строить упомянутую вами огибающую и почему этот метод позволяет достоверно определить КСВН перехода.
Почему результат измерения коротких плат будет обманчивым, если, предположим, на частоте 10 ГГц мне требуется длина проводника от перехода до следующего узла, скажем, 5 мм. Что в таком случае считать достоверным результатом? То, что получается в реальности или в условной модели, роль которой играет длинная плата.
Какая оптимальная длина проводника для 99% достоверного определения КСВН перехода?