К сожалению производители железяк всегда портят хорошо продуманные вещи :(
Уже сколько раз такое было. Что с «мультиплатформенным» java. Что с андроидом.
Как говорится надежда умирает последней. А вдруг бумбуруму попадется кто-нибудь более-менее технически грамотный из Интла. Так хоть вопросы будут каке интересные :)
А про эффект миграции — это происходит в процессе заготовки пластины (при отжиге).
При диффузии тоже наблюдается, но там температуры ниже и не так интересен )
32 нм — это минимальный размер который позволяет делать технология.
Реальный транзистор должен быть больше. Да и как минимум нужно 2 вывода для транзистора (а это уже 2 по 32х32 + еще изоляция).
Откуда вы вычитали в моем посте про несколько транзисторов один под другим. Я говорил про возможность формирования на разных частях подложки транзисторов с различными характеристиками.
З.Ы. Хотя както раз от нечего делать наваял в Silvaco такой тех процесс чтобы получось 2 вертикальных транзистора один под другим. Но характеристики у нижнего были очень хреновые :)
Спасибо за ответ — но цель тех вопросов была здать тему для возможных будущих статей бумбурума по этой тематике. И меня больше интересуют не общие ответы — а то что думают об этом в интеле.
З.Ы. 3) Полировать вторую поверхнсть если не используеш оную — себе дороже ибо есть такой интересный эффект- миграция дефектов с верхней (полированной) стороны к нижней (не полированной) стороне при нагревании.
Что-то я пропустил момент где в статье об этом говорится.
Правда описание формирования активных структур немного коряво сделано. Видимо вы про эту часть говорите.
Вобщем если другими словами сказать — то можно загонять примеси на разный уровень. Благодоря чему pn переходы можно сфорировать в «середине подожки» а не на поверхности (где куча дефектов и прочих радостей связанных с оборванными связями).
Так вот уровней на которые загоняются примеси — можно делать много. Сколько хватит фантазии и процессорных мощьностей чтоб промоделировать сие безобразие.
Монокристалический кремний — в подложке. Именно там делают транзисторы. Все что выше — это либо метализация, либо затворы, либо диелектрики (или еще чего такого). Про 2 уровня в которых формируются активные структуры — я не слышал. (Можно конечно сделать SOC, объеденив 2 подложки вместе на еще одной подложке, но это не совсем то :) )
Как говорил мой преподователь — есть 2 способа сделать что-то новое в микроэлектронике:
1) Придумать что-то. Хорошенько помоделировать. Проверить на реальных устройсвах.
2) Стырить идею у соседа. Методом проб и ошибок подогнать техпроцесс :)
Глядя на успехи китая становистя ясно какой сопосб выгоднее :)
Несколько слоев транзитора — это очень сложно. Иначе проще было бы сделать грязнущую подложку (условно). Напылить туда кремния и в нем все делать. Видимо характеристики осаждаемого кремния хреновые.
А вообще обычо все танзисторы формируются в подложке, но вот связи между ними лепятся поверх (и чем сложнее логика-тем сложнее соеденить транзисторы как надо и тем больше нужно уровней метализации).
Есть еще такое понятие как SOC (system on chip, система на кристале по русски). Это когда несколько отдельных устройств объеденяются в одно (причем не обязаетльно все устройства должны быть кремниевые) на одной подложке.
Куча способов есть. Из популяронго (по крайней мере лет 5 назад было так) метод CVD (chemical vapor deposition, по русски — химическое осаждение из газовой фазы).
Угу и поле каждого слоя — неплохо бы сдать планаризацию полученной поверхности. А то на 20 слоях без планаризации заколебешся проектировать и тех процесс моделировать )
Из интересностей хотелось бы узнать:
0) Почему подложка зовется вафля? Это только языковой прикол (wafer по английски еще и вафля) или есть еще какието причины.
1) Почему кремний до сих пор используют в микроэлекторонике? Отработанная технология (и методы проектирования)? Относительная дешевизна заготовки? Чем он так хорош?
2) Метод зонной плавки еще используется? Это уже устарело и химия у нас такая чистая что сразу получаем заготовку с нужным уровнем примесей?
3) Используется ли обе стороны подложки или только одна? Полируют ли нижнюю часть пластины? Интересно былобы узнать (в еще лучше увидеть) как происходит процесс полировки.
4) Как устроена «чистая комната»?
А вообще довольно много чего есть интересного и по технологии (тех же спосбов фотолитографии сколько, у вас показан только бесконтактный способ видимо только для объяснения принципа) и по проектировке всего этого безобразия.
Ролики с реальными установками и процессами — вот это было бы очень интересно посмотреть )
А еще лучше заставить дизайнера сделать картинку вида:
(левая сторона) — (1-2 пикселя серединки) — (правая сторона)
А потом установить фон кнопки вот так:
UIImage *strechableOne = [img stretchableImageWithLeftCapWidth:5 topCapHeight:0];
[btn setBackgroundImage:strechableOne forState:...]
Сам текст пишем текстом. В итоге — при локализации меньше гемора (просто строками текст переводим). И кнопку можно делать разной ширины. (если точнее — то не уже исходной картинки)
Естественно всякие хитрые шрифты и эффекты таким способом рисуются очень сложно. Но для большинства задач — отличное решение.
Работал лет эдак 3 на Qt.
Сейчас вот уже 2-й год как под ифоны пишу.
И хотя подходы к построению интерфейса очень сильно отличаются — мне и там и там удобно.
Самое главное не лезть в чужой фреймворк со своим апи :)
Уже сколько раз такое было. Что с «мультиплатформенным» java. Что с андроидом.
А про эффект миграции — это происходит в процессе заготовки пластины (при отжиге).
При диффузии тоже наблюдается, но там температуры ниже и не так интересен )
Реальный транзистор должен быть больше. Да и как минимум нужно 2 вывода для транзистора (а это уже 2 по 32х32 + еще изоляция).
З.Ы. Хотя както раз от нечего делать наваял в Silvaco такой тех процесс чтобы получось 2 вертикальных транзистора один под другим. Но характеристики у нижнего были очень хреновые :)
З.Ы. 3) Полировать вторую поверхнсть если не используеш оную — себе дороже ибо есть такой интересный эффект- миграция дефектов с верхней (полированной) стороны к нижней (не полированной) стороне при нагревании.
Правда описание формирования активных структур немного коряво сделано. Видимо вы про эту часть говорите.
Вобщем если другими словами сказать — то можно загонять примеси на разный уровень. Благодоря чему pn переходы можно сфорировать в «середине подожки» а не на поверхности (где куча дефектов и прочих радостей связанных с оборванными связями).
Так вот уровней на которые загоняются примеси — можно делать много. Сколько хватит фантазии и процессорных мощьностей чтоб промоделировать сие безобразие.
1) Придумать что-то. Хорошенько помоделировать. Проверить на реальных устройсвах.
2) Стырить идею у соседа. Методом проб и ошибок подогнать техпроцесс :)
Глядя на успехи китая становистя ясно какой сопосб выгоднее :)
А вообще обычо все танзисторы формируются в подложке, но вот связи между ними лепятся поверх (и чем сложнее логика-тем сложнее соеденить транзисторы как надо и тем больше нужно уровней метализации).
Есть еще такое понятие как SOC (system on chip, система на кристале по русски). Это когда несколько отдельных устройств объеденяются в одно (причем не обязаетльно все устройства должны быть кремниевые) на одной подложке.
Да и КНИ (кремний на изоляторе) вообще довольно популярная тема была лет 5 назад когда я в универе был…
0) Почему подложка зовется вафля? Это только языковой прикол (wafer по английски еще и вафля) или есть еще какието причины.
1) Почему кремний до сих пор используют в микроэлекторонике? Отработанная технология (и методы проектирования)? Относительная дешевизна заготовки? Чем он так хорош?
2) Метод зонной плавки еще используется? Это уже устарело и химия у нас такая чистая что сразу получаем заготовку с нужным уровнем примесей?
3) Используется ли обе стороны подложки или только одна? Полируют ли нижнюю часть пластины? Интересно былобы узнать (в еще лучше увидеть) как происходит процесс полировки.
4) Как устроена «чистая комната»?
А вообще довольно много чего есть интересного и по технологии (тех же спосбов фотолитографии сколько, у вас показан только бесконтактный способ видимо только для объяснения принципа) и по проектировке всего этого безобразия.
Ролики с реальными установками и процессами — вот это было бы очень интересно посмотреть )
Но много интересных особенностей упущенно…
Хотя может в этом и смысл. 5-е обновление 10.6 :)
(левая сторона) — (1-2 пикселя серединки) — (правая сторона)
А потом установить фон кнопки вот так:
UIImage *strechableOne = [img stretchableImageWithLeftCapWidth:5 topCapHeight:0];
[btn setBackgroundImage:strechableOne forState:...]
Сам текст пишем текстом. В итоге — при локализации меньше гемора (просто строками текст переводим). И кнопку можно делать разной ширины. (если точнее — то не уже исходной картинки)
Естественно всякие хитрые шрифты и эффекты таким способом рисуются очень сложно. Но для большинства задач — отличное решение.
Сейчас вот уже 2-й год как под ифоны пишу.
И хотя подходы к построению интерфейса очень сильно отличаются — мне и там и там удобно.
Самое главное не лезть в чужой фреймворк со своим апи :)