Транзисторы на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience

Китайская компания Innoscience - разработчик и производитель нитрид-галлиевых MOSFET-ов. Это довольно крупная компания, которая специализируется исключительно на технологии GaN. Производит как низковольтные (30-150В), так и высоковольтные (650-700В) транзисторы.

Портфолио транзисторов на 650В весьма впечатляет:

Бегло просмотрев ДШ на транзистор INN650DA240A можно сказать, что параметры вполне неплохи - сопротивление канала 240 мОм, заряд затвора 2 нКл, довольно компактный корпус, плюс кельвиновское подключение сигнала управления на затвор. Явно лучше кремния.

На основе GaN-ов Innoscience сделано уже большое количество компактных источников питания, зарядников с PD - обзоры и teardowns можно найти в сети, так что рекомендую к применению.

Power is cool — deal with it.