Физики из Военно-морской исследовательской лаборатории США (Naval Research Laboratory) заявили о важнейшем достижении в области спинтроники, науки о передаче информации через спины электронов.
Учёным удалось достичь полного контроля над спинами электронов в кремниевом слое n-типа. Как оказалось, с помощью пары магнитных контактов, составляющих туннельный барьер Fe/Al2O3, можно модулировать эти спины в веществе и детектировать их после передачи. Кремниевый слой выполняет роль транспорта для передачи данных. Теоретически, это изобретение может стать основой для транзисторов следующего поколения, которые будут гораздо эффективнее существующих.
Результаты своего исследования учёные резюмировали в работе “Electrical injection and detection of spin-polarized carriers in silicon in a lateral transport geometry”, которая опубликована в журнале Applied Physics Letters.
Учёным удалось достичь полного контроля над спинами электронов в кремниевом слое n-типа. Как оказалось, с помощью пары магнитных контактов, составляющих туннельный барьер Fe/Al2O3, можно модулировать эти спины в веществе и детектировать их после передачи. Кремниевый слой выполняет роль транспорта для передачи данных. Теоретически, это изобретение может стать основой для транзисторов следующего поколения, которые будут гораздо эффективнее существующих.
Результаты своего исследования учёные резюмировали в работе “Electrical injection and detection of spin-polarized carriers in silicon in a lateral transport geometry”, которая опубликована в журнале Applied Physics Letters.
