При заявленной плотности записи информации можно использовать помехоустойчивое кодирование, если, конечно, данный тип памяти пойдёт в массовое производство и будет достаточно дёшев.
на компьюленте про эту новость написали, что такая структура способна хранить порядка 100 дискретных значений заряда, и следовательно одна ячейка может содержать не один бит, а множество, тем самым значительно увеличивается плотность записи такой памяти. Это правда?
не совсем верно, просто его физические/химические свойства уникальны и открывают новые возможности от полупроводников до космических лифтов. Это почти как сверхпроводник при комнатной температуре. Да его производство дорого и трудоемко, но и обычная флеш память стоила космических денег изначально, а до нее hdd на 10Мб был чем-то запредельным.
Очень рад подобным статьям на хабре, но не будет ли автор столь любезен написать побольше технических подробностей? Заранее спасибо.
В частности, хочется знать, что такое запрещенный промежуточный слой, зачем он нужен и как влияет на энергию переключения состояния. За неимением объяснения здесь, придется обратиться к Гуглу…
UPD: упс, ошибся в термине.
Напоминает полевой транзистор… Всякие пролетающие нейтрино (и прочие частицы) не будут «шуметь»?? Всякие проверки-перепроверки-дублирования не замедлят всю это чудесно-быструю машинку?
Так ясно что не нейтрино или там гравитоны… Я имел в виду все эти флуктуационные штуки-дрюки на атомном уровне. По идее на таких малых размерах в полевом транзисторе даже тепловой шум будет заметен.
Память на основе графена и молибденита