Компания Fujitsu опубликовала информацию о своей новой разработке: энергонезависимой памяти с произвольным доступом ReRAM (Resistive RAM) с низким уровнем энергопотребления и высокой скоростью передачи данных.
Добиться серьезных успехов инженерам Fujitsu Labs удалось, изменив структуру ReRAM, путем добавления титана к оксиду никеля и понижением силы тока в транзисторе, требуемой для операций стирания, до 100 мА. Это позволило сократить время этой операции до 5 нс. Таким образом, изготовленная Fujitsu память ReRAM, оказалась в 10 тысяч раз быстрее, чем существующие на сегодняшний день образцы ReRAM, выполненные без применения титана.
С учетом этих усовершенствований, а также за счет более низкой стоимости производственного процесса, ReRAM вполне может составить конкуренцию флэш-памяти. Массовое производство резистивной памяти Fujitsu планирует начать в 2010 году.
via Gizmodo
Добиться серьезных успехов инженерам Fujitsu Labs удалось, изменив структуру ReRAM, путем добавления титана к оксиду никеля и понижением силы тока в транзисторе, требуемой для операций стирания, до 100 мА. Это позволило сократить время этой операции до 5 нс. Таким образом, изготовленная Fujitsu память ReRAM, оказалась в 10 тысяч раз быстрее, чем существующие на сегодняшний день образцы ReRAM, выполненные без применения титана.
С учетом этих усовершенствований, а также за счет более низкой стоимости производственного процесса, ReRAM вполне может составить конкуренцию флэш-памяти. Массовое производство резистивной памяти Fujitsu планирует начать в 2010 году.
via Gizmodo
