Pull to refresh

Comments 19

Если вас интересует полный текст оригинальной статьи, обращайтесь.
Да, напишите, пожалуйста! А то некоторые в лженаучестве обвиняют :)
Я имел ввиду, что могу скинуть оригинальный текст в личку. К сожалению, я не могу выложить его в открытый доступ. Кто заинтересован — обращайтесь.
Очень Вас прошу об этом. Сбросьте, пожалуйста, в личку.
>выдающихся электрических характеристик
Мне кажется, или вольт-амперная характеристика у него совсем не впечатляющая? Там же даже плато нет. Или я совсем физику забыл?
Вы имеете ввиду горизонтальную часть I-V в характеристике MOS транзистора?
В digital electronics она совсем не нужна, главное чтобы было минимум тока в закрытом состоянии и максимум в открытом. Т.е. если при одном и том же напряжении этот транзистор даст сильнее ток, то он лучше (при прочих равных).
Соответственно и минимум в закрытом. Желательно чтобы тока вообще не было, когда транзистор закрыт.
отделяются методом механической эксфолиации (скотч-метод)


ПлАчу =)))
Что именно так расстроило?
Наверное, высоконаучное название для долгого и вдумчивого склеивания кусков скотча. :-)
ПС: мопед не мой, я просто предложил расшифровку сообщения.
Ну если перефразировать известный анекдот — «кто с графеном работает, тому в этом месте не смешно». После нобелевской лекции Новоселова это выражение стало общеупотребительным, по-крайней мере, среди специалистов, и улыбок давно уже не вызывает.
Тоже мне, открыли новое напрвление в науке. Рекламщики с оракалом и монтажной пленкой негодуют — там и более сложные схемы встречаются
UFO just landed and posted this here
Мне одному кажется, что в данном предложении фактическая ошибка: «3–4 монослоя гексагонального нитрида бора (BN)являются диэлектрическим слоем, а би-слой селенида вольфрама WSe2 играют роль диэлектрика»

WSe2 — это наверное двумерный полупроводник, как MoS2/WS2, разве не так?

PS: о применении — проблема с любой эксфолиацией в том, что это не промышленный метод, ибо промышленность хочет любые 2D структуры на подложке 300 мм монослоем и желательно выращенные CVD/PVD и прочими парогазовыми методами…
В оригинале «bilayers of WSe2 were used as the semiconducting channel material for the TFTs». Сам я с этим веществом не знаком, поэтому наверняка утверждать, что они имели ввиду, не стану.
Ну вот и я о том же, что странно, когда полупроводник используют, как диэлектрический слой. До словный перевод фразы: «бислои WSe2 использовались в качестве полупроводникового (полупроводящего) канала при создании (для) тонкоплёночных транзисторов». То бишь играют роль они допированного кремния в обычных транзисторах)))

Вы уж поправьте с основном тексте статьи:)))
Да, у меня опечатка была — два диэлектрических слоя и ни одного полупроводникового. Исправил, спасибо.
Sign up to leave a comment.

Articles