Comments 14
Еще есть перспективная MRAM. Её скорости будет достаточно, чтобы делать ОЗУ и при этом она энергонезависима, что открывает отличные возможности энергосбережения, у тех же смартфонов например (телефонный модуль держать в включенным, а при необходимости во всех возможностях телефона быстренько выводить телефон из гибернации).
Да, действительно, в разработке есть множество технологий энергонезависимой памяти: CBRAM, SONOS, Racetrack, Millipede, NRAM, FJG. Все они вместе с RRAM на данный момент считаются перспективными.
А вот MRAM изобретена уже десятки лет назад, с 2004 года существуют работающие прототипы. В те времена она могла быть востребована даже при производстве по 90-нм технологии.
Основной проблемой MRAM принято считать невозможность ее масштабирования до современных процессов, при уменьшении объема ячеек снижается стабильность управления намагниченностью, а также возникают проблемы с долговременным хранением состояния. Максимум чего достигла компания Samsung — 50 нм.
А вот MRAM изобретена уже десятки лет назад, с 2004 года существуют работающие прототипы. В те времена она могла быть востребована даже при производстве по 90-нм технологии.
Основной проблемой MRAM принято считать невозможность ее масштабирования до современных процессов, при уменьшении объема ячеек снижается стабильность управления намагниченностью, а также возникают проблемы с долговременным хранением состояния. Максимум чего достигла компания Samsung — 50 нм.
В принципе даже 50 нм вполне нормальный показатель, я понимаю, что сейчас круто уже 5-22 нм и т.д., но думаю, что если в технологию вложиться, то улучшить можно.
Хотя там соперничество этих всех технологий, все видят в своих наработках только лучшее. Думаю лет через 5 DRAM уйдет в прошлое. Во всяком случае начнет уходить.
Хотя там соперничество этих всех технологий, все видят в своих наработках только лучшее. Думаю лет через 5 DRAM уйдет в прошлое. Во всяком случае начнет уходить.
Для встраивания памяти в системы-на-чипе например, смартфонов, 50-нм не подойдет потому что тогда придется весь чип делать 50 нанометровым, а это неконкурентоспособно ни по производительности, ни по энергопотреблению, ни по цене. Вот поэтому RRAM и кажется более выгодным для таких применений.
Не думаю что DRAM вообще уйдет в прошлое, ведь далеко не для всех применений требуется энергонезависимость. Эти технологии первым делом будут вытеснять NAND (флеш память)
Не думаю что DRAM вообще уйдет в прошлое, ведь далеко не для всех применений требуется энергонезависимость. Эти технологии первым делом будут вытеснять NAND (флеш память)
Ну сейчас есть люди, которые ещё DDR1 используют и им норм, такие всегда будут, я всё же про большую массу людей. Насчет 50 нм согласен. Но многие перспективные типы памяти (включая ту же MRAM) в плане скорости показывают лучшие результаты, при этом являются энергонезависимыми — какие же плюсы останутся у DRAM? Вездесущность?
Насколько я знаю нынешние 14-22 нм процессоры сделаны не целиком с такой точностью.
Забыли еще FeRAM (или FRAM), которая уже используется в некоторых микроконтроллерах TI вместо flash.
btw, в москве даже открыли завод mram: www.crocusnano.com/
Там особенно интересно вот это: «MLU™ (магнитная логическая ячейка) – магнитно-расширенная полупроводниковая технология, реализующая как функцию памяти, так и функцию логики» — читал про договор с IBM. впрочем, не представляю, какие задачи можно решить транзистором с функцией памяти и логики одновременно.
Там особенно интересно вот это: «MLU™ (магнитная логическая ячейка) – магнитно-расширенная полупроводниковая технология, реализующая как функцию памяти, так и функцию логики» — читал про договор с IBM. впрочем, не представляю, какие задачи можно решить транзистором с функцией памяти и логики одновременно.
Если RRAM действительно окажется такой же быстрой, как DRAM и такой же дешевой, как HDD, это может поменять целиком архитектуру ПК — с такой памятью не будет смысла как-то разделять ОЗУ и устройства хранения данных.
Sign up to leave a comment.
Технология RRAM достигла стадии коммерциализации