Хабр Курсы для всех
РЕКЛАМА
Практикум, Хекслет, SkyPro, авторские курсы — собрали всех и попросили скидки. Осталось выбрать!
Подбор сопротивлений на концах активной и пассивной (англ. victim, quiet line) линий.
Применение экранирующих проводников (англ. guard trace), закороченных на опорный слой на концах и, по возможности, вдоль длины (порядка трёх переходных отверстий на длину tR∙v).
Применение встроенных микрополосковых (англ. embedded microstrip) или полосковых линий, для которых в силу симметрии диэлектрика выполняется VFE ≈ 0.
На рис. 6 изображены осциллограммы измерения перекрёстных помех между двумя 50-омными микрополосковыми линиями на экспериментальной плате в двух случаях: w ~ 2,5 мм, s ~ 0,6 мм, h = 1,39 мм и w ~ 0,6 мм, s ~ 1,9 мм, h = 0,3 мм.
Для некоторых случаев существуют оценочные аналитические соотношения [2], в общем случае для решения этой задачи применяются специализированные программные средства на основе численных методов
Для численного моделирования в этом случае применяется специализированное программное обеспечение
На рис. 1 изображена модель линии с потерями, где последовательное сопротивление моделирует омические потери (в т.ч. скин-эффект)
SamsPcbGuide, часть 6: Трассировка сигнальных линий. Модели потерь и перекрёстных помех