Comments 49
Какая разница какая мощность и что это «интересное» я не понял.
Я бы еще попробовал на однополярном управлении.
Однополярное управление да, интересно, но тут надо придумать какието внешние воздействия для источника для проверки надёжности такого решения (чтобы он не работал в «тепличных условиях»)
Преобразователь выполнен по полумостовой топологии, мощность 100 Вт, напряжение питания 750В, [...] 330 Ом в затворе – это совершенно невозможное значение! Ставить такие резисторы честно говоря было страшно (разработчики силовухи меня поймут) и удивляюсь, как источник со входным напряжением 750В при этом не сгорел.Не совсем понял — что ему будет при таком высоком напряжении и таких скромных токах при этом?
Ёмкость Миллера при быстром росте напряжения сток-исток может при большом сопротивлении в цепи затвора открыть транзистор когда он меньше всего этого хотел бы. Дальше обычно звуковые и световые эффекты с последующей заменой транзистора, ну и уменьшением сопротивления в цепи затвора.
Кроме пожалуй тезиса про высокую частоту. Мне кажется, до 600-800кГц карбид кремния норм решение, а дальше уже GaN. К тому же, GaN имхо пока сыроватая технология и ставить в жёсткий индастриал я бы не стал. А ещё, разве GaN не существенно дороже?
отрицательного напряжения за затворе — не уверен, что оно нужноу основной массы карбид-кремниевых транзисторов это рекомендуется в даташите.
SiC транзисторы не всегда лучший выборсогласен, я этого и не утверждал
Мы устанавливали в затвор переменник до 100 ом и подбирали опытным путём. В нашем случае наилучший эффект (наименьший звон — меньший нагрев) достигался где-то при 20-22 Омах, но полность подавить его не удалось.
На Ваших осциллограмах хорошо виден «звон» транзистора, как его побороть? Из-за звона, собснно, транзистор по большей части и нагревается, так как затвор не «плотно» прикрыт.это свободные колебания в периоды, когда оба ключа полумоста закрыты — никакого нагрева они не вызывают, кроме того могу вас заверить, затвор в эти периоды закрыт весьма «плотно»)
В нашем случае наилучший эффект (наименьший звон — меньший нагрев) достигался где-то при 20-22 Омахвозможно вы экспериментировали с какой-то другой топологией
"Особенно для режима непрерывного тока (DCM)" исправить бы на CCM надо.
infineon это Европа да еще и немцы, а это значит что клали они болт на санкцииНо прошел буквально год и… вспомнилась крылатая фраза:
"В наше смутное время, Штирлиц, никому нельзя доверять. Слышите? Никому!" ?
А планируются статьи для глубже капнуть в ключи типа GaN, драйвера для SiC, делается ли что -то у нас типа НИЭТ, что предлагает Aliexpress?
Обычно пишу о том, что разрабатываю сейчас или сделал ранее. На GaN-ах пока проектов нет, были мысли сделать петпроектик, но пока нет времени. Что касается НИИЭТ, то только по новостям и с их сайта узнаю инфу. Конечно, было бы интересно ни их ключиках что-нибудь сделать. Про алишку знаю, что знакомые брали там ключики от Innoscience и вроде норм, не палёные.
Эксперименты с карбидом кремния (SiC): замедление переключения SiC-MOSFET