В книгах со времен рассвета полупроводниковой импульсной силовой схемотехники отечественного (СССР) и зарубежного производства, авторы зачатую прибегают к рассказу принципов работы того или иного устройства основываясь лишь на базовых схемотехнических постулатах, без явного объяснения происходящих внутри биполярного транзистора уникальных явлений. Так, к примеру, подавляющее количество литературы, в частности посвященной описанию принципа работы, разработки и дальнейшего расчёта импульсных источников питания (далее ИБП), не объясняет природы переходных процессов, происходящих в биполярном транзисторе с индуктивной нагрузкой. Данная статья является попыткой автора систематически собрать воедино многие фрагменты знаний электроники и электротехники, с целью избавления следующего поколения пытливых умов от необходимости самостоятельного анализа кривых напряжения и тока в разных участках схемы. Так же в данной работе на конкретном примере продемонстрирован процесс анализа и введения необходимых уточнений и допущений для поддержания корректности дальнейшего повествования.

 В далее излагаемом материале простейшей схемой ИБП (далее ПИБП) автор называет автогенераторную схему, реализованную на минимальном количестве элементов (см рис.1).