Да, вы правы. Стоило осмотрительнее отнестись к току заряда С3. Об этом действительно стоило хотя бы упомянуть. Однако, изначально расчёт делался из размышлений о том, что энергия проходящая через достаточно длинный путь, состоящий помимо прочего из ряда сопротивлений, попросту не осилит открытие VT2 в должной мере. И ток, проходящий только через R2 окажет явно больший эффект на работу схемы, закрыв VT2 Если я не прав, прошу меня поправить
Спасибо Вам за этот комментарий, однако, не могу сказать, что согласен с ним на сто процентов По поводу первого цитирования. Вы не правильно поняли хронологию рассказа."Закрытие коллектора по экспоненциальному закону" оговаривается, что, как раз таки, пик напряжения, падающего в основном на сопротивлении коллектора, имеет колоссально значимый приоритет. Ведь из всего процесса работы схемы, этот момент самый опасный. Обязательно внесу коррективы и добавления в уточнение степени значимости момента пробоя коллектора. Фраза "не представляет интереса" - была написана о кривых изменения напряжения и тока при переходном процессе, происходящем уже после выделения пикового напряжения.
По поводу второго Вашего цитирования. Согласен, гипотеза о делении напряжения при повышении напряжения коллектора не была в должной мере описана. Обязательно исправлю. Однако, себе в оправдание могу привести лишь факт того, что в исходной схеме база VT1 шунтируется на корпус через VT2 в момент открытия последнего. Поэтому мною не была учтена девиация напряжения базы VT1, о которой, весьма справедливо, сказали Вы
Обязательно пересмотрю содержание и очередность изложения этих тонких моментов
Полностью согласен, что не хватало узла По поводу подключения коллектора фототранзистора к базе VT1 - по моему субъективному мнению, не лучшее решение. Да, с одной стороны при активации ОР11 откроется фототранзистор и база VT1, хотя и на короткий промежуток времени, будет шунтирована через ёмкость и малое сопротивление R5 на корпус. НО. Предлагаю к Вашему обозрению обратную философию. Если рассмотреть первоначальную схему, мы получим эффект аккумуляции энергии электрического поля на обкладках конденсатора С3 во время наличия магнитного поля у катушки Т1-2. И за несколько циклов С3 будет заряжен до максимально возможного значения напряжения. Разрядиться он не сможет из-за, с одной стороны, закрытого VD5, с другой - коллектора ОР12. И в момент превышения порогового значения напряжения на выходе схемы, через ОР11 вся мощь конденсатора С3 окажется у эмиттера VT1 (что повысит потенциал эмиттера относительно базы и транзистор закроется) и у базы VT2, что в свою очередь притянет базу VT1 на корпус и приведет к закрытию последнего
Если я не правильно истолковал Вашу мысль - прошу меня вразумить
Константин, добрый день Для начала спасибо Вам за развёрнутый комментарий Но к сожалению, сказать, что я с ним согласен на 100% не могу Данная публикация является флагманом в линейке статей, посвященных тотальному, всеобъемлющему анализу абсолютно всех процессов, казалось бы такой мизерной, простейшей схемы и без такого, как Вы выразились, "Суконного, формального" языка, к сожалению, никуда К тому же, повторюсь, я толком не знал и пока еще не знаю границы дозволенной лексики/речевых оборотов на этом ресурсе, поэтому прошу простить сухость лекционного материала. В дальнейшем постараюсь его (материал) расшевелить
ПРЕКРАСНО понимаю вашу мысль о недостатке так же всеобъемлющих, но простых гайдов Однако, сейчас от курса отклоняться я не могу. Моя первостепенная задача объяснить процессы, обосновывая мою точку зрения лишь на чётких зависимостях. Когда этот этап будет пройден, и для моих предполагаемых читателей и для меня будет постепенно открываться мир практики и реальных советов. А пока всё что придумал для упрощения - это поверхностный анализ общей работы схемы, и текстовые вставки при разборе каждого из этапов работы транзистора на индуктивную нагрузку
Спасибо за Ваш комментарий Вы правы, по опрометчивости забыл поставить точку узла соединения R4-R5, непременно исправлю! Суть утверждения в третьем предложении, признаюсь, не очень понял. Было бы интересно ознакомиться с Вашей точкой зрения
СПАСИБО за Ваш комментарий
В ближайшее время с ним в ОБЯЗАТЕЛЬНОМ порядке ознакомлюсь!!!
Да, прошу меня простить. Обязательно исправлю это недоразумение)
Да, вы правы. Стоило осмотрительнее отнестись к току заряда С3. Об этом действительно стоило хотя бы упомянуть. Однако, изначально расчёт делался из размышлений о том, что энергия проходящая через достаточно длинный путь, состоящий помимо прочего из ряда сопротивлений, попросту не осилит открытие VT2 в должной мере. И ток, проходящий только через R2 окажет явно больший эффект на работу схемы, закрыв VT2
Если я не прав, прошу меня поправить
Спасибо Вам за этот комментарий, однако, не могу сказать, что согласен с ним на сто процентов
По поводу первого цитирования. Вы не правильно поняли хронологию рассказа."Закрытие коллектора по экспоненциальному закону" оговаривается, что, как раз таки, пик напряжения, падающего в основном на сопротивлении коллектора, имеет колоссально значимый приоритет. Ведь из всего процесса работы схемы, этот момент самый опасный. Обязательно внесу коррективы и добавления в уточнение степени значимости момента пробоя коллектора. Фраза "не представляет интереса" - была написана о кривых изменения напряжения и тока при переходном процессе, происходящем уже после выделения пикового напряжения.
По поводу второго Вашего цитирования. Согласен, гипотеза о делении напряжения при повышении напряжения коллектора не была в должной мере описана. Обязательно исправлю. Однако, себе в оправдание могу привести лишь факт того, что в исходной схеме база VT1 шунтируется на корпус через VT2 в момент открытия последнего. Поэтому мною не была учтена девиация напряжения базы VT1, о которой, весьма справедливо, сказали Вы
Обязательно пересмотрю содержание и очередность изложения этих тонких моментов
Полностью согласен, что не хватало узла
По поводу подключения коллектора фототранзистора к базе VT1 - по моему субъективному мнению, не лучшее решение. Да, с одной стороны при активации ОР11 откроется фототранзистор и база VT1, хотя и на короткий промежуток времени, будет шунтирована через ёмкость и малое сопротивление R5 на корпус. НО. Предлагаю к Вашему обозрению обратную философию. Если рассмотреть первоначальную схему, мы получим эффект аккумуляции энергии электрического поля на обкладках конденсатора С3 во время наличия магнитного поля у катушки Т1-2. И за несколько циклов С3 будет заряжен до максимально возможного значения напряжения. Разрядиться он не сможет из-за, с одной стороны, закрытого VD5, с другой - коллектора ОР12. И в момент превышения порогового значения напряжения на выходе схемы, через ОР11 вся мощь конденсатора С3 окажется у эмиттера VT1 (что повысит потенциал эмиттера относительно базы и транзистор закроется) и у базы VT2, что в свою очередь притянет базу VT1 на корпус и приведет к закрытию последнего
Если я не правильно истолковал Вашу мысль - прошу меня вразумить
Спасибо Вам за эти замечания
Непременно исправлю!
Константин, добрый день
Для начала спасибо Вам за развёрнутый комментарий
Но к сожалению, сказать, что я с ним согласен на 100% не могу
Данная публикация является флагманом в линейке статей, посвященных тотальному, всеобъемлющему анализу абсолютно всех процессов, казалось бы такой мизерной, простейшей схемы и без такого, как Вы выразились, "Суконного, формального" языка, к сожалению, никуда
К тому же, повторюсь, я толком не знал и пока еще не знаю границы дозволенной лексики/речевых оборотов на этом ресурсе, поэтому прошу простить сухость лекционного материала. В дальнейшем постараюсь его (материал) расшевелить
ПРЕКРАСНО понимаю вашу мысль о недостатке так же всеобъемлющих, но простых гайдов
Однако, сейчас от курса отклоняться я не могу. Моя первостепенная задача объяснить процессы, обосновывая мою точку зрения лишь на чётких зависимостях. Когда этот этап будет пройден, и для моих предполагаемых читателей и для меня будет постепенно открываться мир практики и реальных советов. А пока всё что придумал для упрощения - это поверхностный анализ общей работы схемы, и текстовые вставки при разборе каждого из этапов работы транзистора на индуктивную нагрузку
Спасибо за Ваш комментарий
Вы правы, по опрометчивости забыл поставить точку узла соединения R4-R5, непременно исправлю!
Суть утверждения в третьем предложении, признаюсь, не очень понял. Было бы интересно ознакомиться с Вашей точкой зрения