С одной стороны, любопытно, а с другой — приобретал 2DIN магнитолу CarPad на Android за ~20К и доволен как слон. Бонусом штатная мощная GPS-антенна и отключаемый Android-box (можно куда-нибудь воткунть в HDMI как приставку). Свои минусы есть, но всё равно вариант, на мой взгляд, проще и не хуже.
Пользуюсь клоном первого Omate Truesmart. Время жизни со включенным GSM и выключенными остальными модулями — неделя; с передачей данных по 3G и синхронизацией почты и небольшим количеством музыки по BT — пара дней, с вайфаем и включенным экраном — пара-тройка часов; с GPS, активным трекингом с передачей данных по 3G от часа до двух. По-моему, очень прилично. И часы на полноценном андроиде перестают быть бесполезной игрушкой и могут серьёзно выручить как запасной смартфон, пусть и неудобный.
Но круглый экран в новой версии — глупость, приложения из маркета потеряют смысл. И цена устрашающая.
Очередной раз убеждаюсь, что в модераторском составе википедии полно склочников и бюрократов, которые вместо развития ресурса занимаются какими-то полувнутренними скандалами и чисто формальными придирками. Не раз видел откаты статей на неправильные, но «проверенные» версии, по совершенно невменяемым причинам типа неверного оформления (что особенно смешно в узкоспециализированных статьях). Шум подняли невероятный, словно википедия — последний оплот человеческих знаний и мудрости, в то время как это всего лишь удобный, но довольно поверхностный справочник. Но википедия как источник информации даже в студенческих работах не приветствуется, не говоря уж о серьёзном исследовании.
А где же первые Безумные Максы? В оригинальных фаллаутах несметное количество отсылок к этим фильмам, в том числе кожанка без рукава, собака, Джанктаун и прочее.
Галлий, таллий, теллур весьма ядовиты, многие из металлов легко плавятся, многие весьма химически активны (цезий). Интересно, как это всё учитывается? Может, снаружи кубики покрыты безопасным металлом (никелированы)?
По-моему, это не троллинг, а обыкновенный чёрный пиар, организованный конкурирующими компаниями. Тролли цели другие преследуют, и представленные схемы слишком сложны для таких простых целей.
Ну полная чушь же. В девяностые годы мне мерещились звонки в дверь. В двухтысячные на городской телефон. Вибраций в наше время море, особенно там, гдее сть несбалансированные электродвигатели (ну то есть в общественном транспорте, например). Так что открывать заново собаку Павлова совершенно излишне, и так понятно, что современными коммуникациями регулярно пользуется много людей.
Позвольте разбавить оптимизм небольшой порцией скепсиса. До перемещения объектов с субмикронным разрешением (я уж молчу про нанометровое), на мой взгляд, пока ещё далеко. Дифракционный предел пока ещё не никто не отменил, поэтому в описанных условиях самое радужное разрешение — 532 нанометра пополам, то есть четверть микрона. На практике же даже весьма дорогостоящие микрообъективы меньше микрона редко дают. Разумеется, если речь идёт о манипуляциях с одним-двумя объектами, то можно по-всякому ухищряться и тогда при достаточной точности позиционирования объектива (что вполне возможно, взять ту же продукцию attocube) можно будет не хуже тыркать и то, что есть желание тыркать. Но и это ещё не всё. Десять милливатт на двухмикронное пятно — это не так и мало. Так можно и просто пожечь то, что хотелось перемещать. Словом, как мне кажется, исследование интересное, но делать слишком далеко идущие выводы пока рано.
Не совсем. В статье-оригинале в Nature, прямо в аннотации написано: «The less known pseudodirect bandgap configuration can be found in wurtzite (WZ) semiconductors» и «...we show that the luminescence of WZ GaAs nanowires can be switched on and off, by inducing a reversible direct-to-pseudodirect band structure transition, under the influence of a small uniaxial stress». (Кстати, очень уже интересно ознакомиться с полной версией статьи, потому что тушение люминесценции может быть вызвано и другими причинами, помимо изменения типа перехода.) То есть — арсенид галлия с вюрцитоподобной структурой. А сам вюрцит — это ZnS.
В статье на сайте ibmresearch тоже сказано: «This structure is possible only because the nanowire dimensions are so small». Но неверно это переводить как «подобная структура появляется только в проводниках сверхмалого размера». Правильнее: «реализация такой структуры возможна только благодаря сверхмалым размерам нанопроволоки». Речь идёт о реализации структуры вюрцита в GaAs, а не вообще.
Опередили вы меня. (Карма, однако, не позволяет плюсануть.) Но тогда вопрос от человека, немного знакомого с ФТТ, что всё же стоит за словом псевдопрямозонный? Банально запрещённые отбором, но осуществляемые переходы или нечто более сложное?
Переводчику, разумеется, простительны фактические и смысловые ошибки, однако следует обратить внимание на некоторые моменты.
> Для преобразования первого типа обычно используются материалы III-V групп полупроводников, которые излучают свет. Ну, а для обратного преобразования, света в электричество используются кремний и германий.
В целом вранья здесь нет, но было бы точнее сказать, что для излучения используются прямозонные полупроводники, а для поглощения — непрямозонные. ru.wikipedia.org/wiki/Запрещённая_зона Список тех и других. Отличие их состоит в том, что в прямозонных для акта поглощения или излучения изменение импульса не требуется, а в непрямозонных — требуется; таким образом, в прямозонных полупроводниках возможно излучение и затруднено поглощение (за счёт высокой вероятности переизлучения), а в непрямозонных наоборот, поглощение намного вероятнее излучения (за счёт низкой вероятности совпадения появления фонона с нужным импульсом и актом рекомбинации электрона).
> состояние, которое мы называем „управляемой энергетической щелью“ (direct bandgap)
Неправда. Direct bandgap и есть direct bandgap — прямая запрящённая зона. Никто никаких новых определений не вводил.
> Мы называем эту кристаллическую структуру „Вюрцит“ (Wurtzite). Подобная структура появляется только в проводниках сверхмалого размера.
Это полный фуфел: вюрцит — вполне конкретный минерал. Это название используется в кристаллографии как характеристика структур подобного гексагонального строения, наравне с цинковой обманкой (тот же сульфид цинка в другой конфигурации). Сейчас у меня, к сожалению, нет доступа к полному тексту статьи, поэтому не могу пока сказать, что имелось в виду. Видимо, речь о том, что арсенид галлия, о котором идёт речь в статье, обычно обладает именно сфалеритовой структурой, и вюрцитоподобная фаза может быть реализована только в наноструктурах.
В целом же, хотя пока про механически (или термически, или любым другим, помимо выращивания соответствующей структуры, способом) управляемый переход из прямого в непрямой поулпроводник я ничего конкретного не нашёл, революции вроде бы нету, потому что изменение свойств зон при механическом напряжении — и теоретически и практически общеизвестная вещь, пруфы: www.nature.com/nnano/journal/v9/n2/full/nnano.2013.277.htmlwww.iue.tuwien.ac.at/phd/dhar/node16.html Но! Врать не буду, нужно изучать детальнее.
Извините, но переводить «Shannon's maxim» как «принцип Шеннона Максима» — это, мягко говоря, неверно. Не говоря уж о том, что это переформулировка принципа Керкгоффса (нет, не Кирхгофа).
Но круглый экран в новой версии — глупость, приложения из маркета потеряют смысл. И цена устрашающая.
(А ещё есть arxiv.org, но выкладывать ли туда статьи — это добрая воля авторов. Этой статьи там, например, нет.)
Не совсем. В статье-оригинале в Nature, прямо в аннотации написано: «The less known pseudodirect bandgap configuration can be found in wurtzite (WZ) semiconductors» и «...we show that the luminescence of WZ GaAs nanowires can be switched on and off, by inducing a reversible direct-to-pseudodirect band structure transition, under the influence of a small uniaxial stress». (Кстати, очень уже интересно ознакомиться с полной версией статьи, потому что тушение люминесценции может быть вызвано и другими причинами, помимо изменения типа перехода.) То есть — арсенид галлия с вюрцитоподобной структурой. А сам вюрцит — это ZnS.
В статье на сайте ibmresearch тоже сказано: «This structure is possible only because the nanowire dimensions are so small». Но неверно это переводить как «подобная структура появляется только в проводниках сверхмалого размера». Правильнее: «реализация такой структуры возможна только благодаря сверхмалым размерам нанопроволоки». Речь идёт о реализации структуры вюрцита в GaAs, а не вообще.
> Для преобразования первого типа обычно используются материалы III-V групп полупроводников, которые излучают свет. Ну, а для обратного преобразования, света в электричество используются кремний и германий.
В целом вранья здесь нет, но было бы точнее сказать, что для излучения используются прямозонные полупроводники, а для поглощения — непрямозонные. ru.wikipedia.org/wiki/Запрещённая_зона Список тех и других. Отличие их состоит в том, что в прямозонных для акта поглощения или излучения изменение импульса не требуется, а в непрямозонных — требуется; таким образом, в прямозонных полупроводниках возможно излучение и затруднено поглощение (за счёт высокой вероятности переизлучения), а в непрямозонных наоборот, поглощение намного вероятнее излучения (за счёт низкой вероятности совпадения появления фонона с нужным импульсом и актом рекомбинации электрона).
> состояние, которое мы называем „управляемой энергетической щелью“ (direct bandgap)
Неправда. Direct bandgap и есть direct bandgap — прямая запрящённая зона. Никто никаких новых определений не вводил.
> Мы называем эту кристаллическую структуру „Вюрцит“ (Wurtzite). Подобная структура появляется только в проводниках сверхмалого размера.
Это полный фуфел: вюрцит — вполне конкретный минерал. Это название используется в кристаллографии как характеристика структур подобного гексагонального строения, наравне с цинковой обманкой (тот же сульфид цинка в другой конфигурации). Сейчас у меня, к сожалению, нет доступа к полному тексту статьи, поэтому не могу пока сказать, что имелось в виду. Видимо, речь о том, что арсенид галлия, о котором идёт речь в статье, обычно обладает именно сфалеритовой структурой, и вюрцитоподобная фаза может быть реализована только в наноструктурах.
В целом же, хотя пока про механически (или термически, или любым другим, помимо выращивания соответствующей структуры, способом) управляемый переход из прямого в непрямой поулпроводник я ничего конкретного не нашёл, революции вроде бы нету, потому что изменение свойств зон при механическом напряжении — и теоретически и практически общеизвестная вещь, пруфы: www.nature.com/nnano/journal/v9/n2/full/nnano.2013.277.html www.iue.tuwien.ac.at/phd/dhar/node16.html Но! Врать не буду, нужно изучать детальнее.