В общем, с учетом налогов и накладных расходов сумма вырастет до 1млн $.
Накладные расходы (бухгалтерия, руководство, отопление, техперсонал) а институтах уже существуют и оплачиваются из других статей. Насчет налогов на ЗП это порядка 50%' а как я написал ранее 10 специалистов это с избытком. Обычно разработкой занимаются 2-3 спеца. Но, настаивать не буду, пусть это будет 1млн долларов. Думаю эта сумма на разработку МЭМС и закладывалась, учитывая, как все было «размазано» на разные работы по разным организациям.
Подскажите - как выглядит работа с Маппер - это чисто производство или разработка под заказ также присутствует?
Есть разработка под заказ. Производства логики у них нет, т.к. нет имплантации.
Есть ли в сфере МЭМС производства понятия библиотеки?
Я не специалист по МЭМС, но насколько мне известно, библиотеки нужны для упрощения разработки логики. Это когда на фабе есть отлаженная технология производства «полей» КМОП, а разработчику остается разводить слои металлизации. С МЭМС. это бессмысленно. В МЭМС не делают транзисторных «грядок»' которые потом соединяют. Но, повторюсь, я не специалист по МЭМС, как в прочем и в КМОП, у меня только общие представления.
Не говорил ли чего Маппер в общем как раз по поводу микрозеркал?
Ну собственно мне не давали, какого-то ни было ни запрета, ни разрешения, для распространения информации. И информация эти типа "сплетни". Единственно, могу сказать, что у МИЭТа возникли серьезные проблемы еще прошлым летом (2022) с МЭМСами и они видимо тыкались везде где можно. А у самого МИЭТа хватило опыта только на апертурную пластину.
И количество потенциальных работ в НИР было заявлено ого-го сколько...
Заявлять можно все что угодно (и понятно, для чего это делается), а проблема, собственно, сводиться к возможности создания МЭМСов и их работоспособности. Если "не надувать щеки" то в 400к долларов вложиться можно - это штук 20-30 запоротых пластин + годовая оплата труда 10 специалистов (хотя зачем их столько? только мешать друг другу будут:)) ). Про зеркала и рентген-источник все бодро докладывали, что все уже работает, по-крайней мере как прототип (а нам, собственно, прототип и нужен)
Если же делать прототип "по-взрослому", а не "подумать смогу или нет", то конечно выделенных денег не хватит.
В Mapper говорили, что вроде как МИЭТ (сам или с помощью кого-то) сделал апертурную пластину (пластина с дырками без какой-либо управления). Но дальше пошли трудности, сделать пластину с элементами МЭМС оказалась не тоже самое, что сделать апертурную пластину.
А МИЭТ вообще занимался зеркальной темой? Есть некоторая информация что МИЭТ официально занимался только пропускной маской.
Чем конкретно, занимался МИЭТ, сказать, невозможно. Т.к. они, видимо, не очень заинтересованы, чтобы эта информация имела какую-то огласку.
Какое может быть подтверждение - денег дали недостаточно, времени дали недостаточно , при том что опыта и наработок в этой теме было недостаточно - кто-то ждал результата в виде полностью работоспособного решения?
Для рентгеновской оптики пожалуй и в 10х денег, от тех что дали будет недостаточно. Что такое 680млн руб? 10млн долларов. Для того, чтобы сделать прототип рентген аппарата - это очень мало. Для того, чтобы понять, смогут или нет сделать, что и значилось в конкурсной документации - очень много. Сделать апертурную пластину стоит 2-4к долларов, поэкспериментировать с МЭМС 100-400к долларов.
В многолучевой электронной литографии не видно научных проблем, только технологические. Которые в наших условиях вполне преодолимы за разумные сроки при наличии желания и нужных ресурсов.
Спасибо ссылку, очень интересно! Еще летом, общаясь с Mapper-ом, было ощущение, что безмасочный рентген-литограф угасает. У МИЭТ еще тогда возникли проблемы с МЭМС-зеркалами. Мое мнение, теперь подтвержденное из видео, что рентгеновские МЭМС-зеркала - это авантюра. Кроме того, что по МЭМС технологии сложно сделать приемлемый коэффициент отражения, это еще, какая-никакая механика. А это почти "никакая" надежность для применения в таком приложении, как литография.
Объяснение зачем карусель на 6 вафель не объясняет ничего
Возможно это мое кривое объяснение.
В материалах описывающих технологию, говорится, что причина в том, что невозможно создать линейный (координатный) стол с требуемыми параметрами ускорений. Для целевой производительности 10 пластин в час, как пишут авторы требуется линейная скорость примерно 2,5 м/с. Подробнее посмотреть можно здесь
Я лишь добавил мои рассуждения, почему при той же расчетной производительности скорость стола у Mapper значительно ниже. Объяснить это можно только тем, что у Mapper есть возможность сканирования лучом в межлучевых промежутках. Т.е. значительную часть скорости движения луча по поверхности пластины берет на себя система отклонения лучей в колоне. А у KLA такой возможности нет. У них стопка лучей шириной 100 мкм и промежутков между лучами нет. Отклонять же стопку на 100 мкм (чтобы засветить две полосы за один проход), тоже нет. Т.к. при таком отклонении будет закритическая дефокусировка. Они хотя не докладывают какое у них фокусное расстояние, но я предполагаю, что не более 1 мм (у Mapper 0.1 мм, у IMS до 1 мм). Mapper чтобы удержать фокус, при их отклонении стопки лучей на 2 мкм, применял специальные технические ухищрения. Поэтому, думаю, отклонить стопку на 100 мкм (требуемых у KLA), вообще нереально.
Возможность установки нескольких колонн явно не предусмотрена т.к. колонна слишком большая. Да и это большая головная боль-с двух колонн светить, как минимум одну нужно будет делать подвижной.
Да, все верно, требуется подвижные колоны. И все это не было реализовано. Это только мечты KLA. Кстати последние данные о проекте заканчиваются 2015 годом.
Предположу что это обход проблемы охлаждения.
Это скорее бонус с такой компоновкой. Слишком много проблем от такого стола, да и стоимость его "некислая".
Все же, я думаю, что KLA хотели решить проблему со слабым источником, а поймали кучу других проблем.
Так может быть имеет смысл подобрать то, что просто так валяется, стряхнуть пыль, доработать напильником... ;)
Мы собственно (наш startup), это и хотим сделать. От Mapper осталось отлаженное производство в Москве. Они делают одну из самых прецизионных частей в аппарате - апертурные пластины и дефлекторы (и даже электронные микро-линзы, которые не используются в технологии от IMS).
Mapper (Москва) не против предоставить для проекта свои компетенции.
Вряд ли напрямую это можно соединить с вакуумом и отсутствием полей.
Это точно.
С планарными столами вообще сложно. Они не те устройства, которые могут приехать на место и стоять. У них постоянно идет "ряб", так что 5 нм - это по факту "размытая" полоса "дрожи" в 10 нм. Эту "дрож" невозможно подавить подруливающими системами.
Но есть многоговорящий факт, что IMS вначале разрабатывали ионно-многолучевую-систему (у таких систем разрешение выше чем у электронно-лучевых), построили аппарат, получили результаты лучше чем у электронно-лучевой системы у них на данный момент, но в итоге забросили эту тему.
Нужно не только, чтобы стол был прецизионным, но и чтобы он работал в вакууме (не загрязняя его), и не создавал неконтролируемых электромагнитных полей.
Насчет НИУ МЭИ не слышал.
Вообще тема литографии летает в воздухе и соответственно координатных столов для нее.
Наши бюджетные организации не страдают открытостью. Финансирование литографии получил МИЭТ. Он нанимает подрядчиков, кто в их рядах, сказать сложно.
Мы пытаемся запустить свой startup. Даже стали участником Сколково. Но стать участником и получить финансирование - это две большие разницы.
Но от тока же зависит и «расталкивание» в луче, выше ток – хуже фокус
Да все верно, поэтому IMS и подняли ток лучей до некоторого компромисса между скоростью засветки и силой Кулоновского взаимодействия в луче.
В общем, я так и не понял, почему в кулонах удобнее мерять
Потому что энергия электронного луча почти не влияет на скорость засветки. Значимой величиной является кол-во электронов прилетевших в цель. Так например у Mapper электроны разгоняют до 5 кэВ, т.е. в 10 раз меньше чем у IMS, а время засветки одинаково, как у одних, так и у других, при одинаковом кол-ве электронов попавших в цель и одинаковой чувствительности резиста..
На проекционном аппарате типа ASML можно засветить резист менее чем за 30 сек на все площади пластины. Дальше травление, опять же на всей площади пластины сразу. Причем в аппарат травления можно запихнуть несколько пластин сразу. Обычно производительность фабрики зависит от производительности литографов.
Если травить лучом ионов с сечением в несколько десятком нм, то травить одну пластину придется 1000 лет (в прямом смысле), а то и больше, т.к. скорость процесса на несколько порядков ниже, чем засветка фоторезиста.
При засветке заряженными частицами (например, электронами), энергия электронов не сопоставима с энергией фотонов, при засветке чисто электромагнитной волной. Так, например, Mapper использует электроны с энергией 5кэВ, а результат в основном зависит от тока, а не от скорости электронов. Этот результат получен эмпирически. Под него пытаются смастерить теорию, кое-какая имеется, но факт в том, что при засветке электронами, как чувствительность указывают суммарный заряд, а не суммарную энергию, как в случая с фотонами.
Энергия электронов сказывается на нагреве пластины, т.е. в основном уходит в тепло, а не на хим.связи
Похоже на PMMA, тогда и разрешение сходится
PMMA возможен, но в "показательных выступлениях" используют HSQ и pCAR (посмотрите подписи под фотографиями с результатами засветок).
скорее неровности не менее 2 нм, разве нет?
Я еще раз посмотрел отчеты, где фигурировали данные по дельта CD (Critical Dimension), т.е. "рваность" краев. У IMS на HSQ получено 1,6 нм (3 сигма), pCAR 1,5 нм (3 сигма), но... чувствительность резиста при этом была 1000мкКл/см2, т.е. в нашем примере 45х45нм - это 133 тыс. электронов, т.е. примерно 8х8 электронов на нм2.
Встречный вопрос, откуда у Вас такой интерес к фоторезисту?
1. Окончательное схождение в пятно 20 нм происходит на коротком участке пути. Для IMS это менее 1 мм (фокусное расстояние проецирующей линзы). Такие сложные места в этом вопросе, как кроссовер, IMS специально размазывает вдоль оси симметрии, компенсируя размазывание разными энергиями электронов. Это довольно интересное инженерное решение. У них есть патент на это.
2. По этому поводу можно написать несколько книг. Как самое интересное решение от IMS - это специальная "дивергирующая" (дефокусирующая) линза. Специалисты по электронной оптике скажут, что такая линза невозможна. Но... IMS сделали это.
означенных 5 нм
3. У них пятно 20 нм. Расплывающееся в резисте в пятно 24-26 нм. Пятно с почти Гаусовым распределением. 50 кэВ это результат их экспериментов по минимизации расползания пятна вторичных электронов. Здесь возможно только экспериментальным путем придти к оптимальным параметрам с конкретным фоторезистом
Чтобы обеспечить 1–5нм нужен очень особый резист и очень особый проявитель
4. Луч 20 нм, засвечивает не разом пятно, а со смещением с неполной экспозицией. Получается довольно "прямоугольный" профиль засветки. "Рваность" краев порядка 2 нм, если мне не изменяет память, по их отчетам.
Так же "рваность" краев зависит от чувствительности резиста. Так на пятно 45х45нм при чувствительности фоторезиста 30мкКл/см2 надо порядка 4000 электронов, а на резист с чувствительностью 150мкКл/см2 в пять раз больше - 20000 электронов. Относительное количество электронов залетевших за край будет меньше, а значит и край ровнее.
Хвастаются результатами, обычно, на менее чувствительных резистах.
Вообще, это творческий процесс - достижение ровных краев. Это называется стратегия экспозиции. У них порядка 10-ти патентов по этому поводу. Кстати у Mapper еще больше патентов на эту тему.
Спасибо за внимательное чтение, скорректировал. Хотя, фактически, используют те же резисты, что и для фотолитографии.
Накладные расходы (бухгалтерия, руководство, отопление, техперсонал) а институтах уже существуют и оплачиваются из других статей. Насчет налогов на ЗП это порядка 50%' а как я написал ранее 10 специалистов это с избытком. Обычно разработкой занимаются 2-3 спеца. Но, настаивать не буду, пусть это будет 1млн долларов. Думаю эта сумма на разработку МЭМС и закладывалась, учитывая, как все было «размазано» на разные работы по разным организациям.
Есть разработка под заказ. Производства логики у них нет, т.к. нет имплантации.
Я не специалист по МЭМС, но насколько мне известно, библиотеки нужны для упрощения разработки логики. Это когда на фабе есть отлаженная технология производства «полей» КМОП, а разработчику остается разводить слои металлизации. С МЭМС. это бессмысленно. В МЭМС не делают транзисторных «грядок»' которые потом соединяют. Но, повторюсь, я не специалист по МЭМС, как в прочем и в КМОП, у меня только общие представления.
Ну собственно мне не давали, какого-то ни было ни запрета, ни разрешения, для распространения информации. И информация эти типа "сплетни". Единственно, могу сказать, что у МИЭТа возникли серьезные проблемы еще прошлым летом (2022) с МЭМСами и они видимо тыкались везде где можно. А у самого МИЭТа хватило опыта только на апертурную пластину.
Заявлять можно все что угодно (и понятно, для чего это делается), а проблема, собственно, сводиться к возможности создания МЭМСов и их работоспособности. Если "не надувать щеки" то в 400к долларов вложиться можно - это штук 20-30 запоротых пластин + годовая оплата труда 10 специалистов (хотя зачем их столько? только мешать друг другу будут:)) ). Про зеркала и рентген-источник все бодро докладывали, что все уже работает, по-крайней мере как прототип (а нам, собственно, прототип и нужен)
Если же делать прототип "по-взрослому", а не "подумать смогу или нет", то конечно выделенных денег не хватит.
В Mapper говорили, что вроде как МИЭТ (сам или с помощью кого-то) сделал апертурную пластину (пластина с дырками без какой-либо управления). Но дальше пошли трудности, сделать пластину с элементами МЭМС оказалась не тоже самое, что сделать апертурную пластину.
Чем конкретно, занимался МИЭТ, сказать, невозможно. Т.к. они, видимо, не очень заинтересованы, чтобы эта информация имела какую-то огласку.
Для рентгеновской оптики пожалуй и в 10х денег, от тех что дали будет недостаточно. Что такое 680млн руб? 10млн долларов. Для того, чтобы сделать прототип рентген аппарата - это очень мало. Для того, чтобы понять, смогут или нет сделать, что и значилось в конкурсной документации - очень много. Сделать апертурную пластину стоит 2-4к долларов, поэкспериментировать с МЭМС 100-400к долларов.
Спасибо!
Ответ случайно упал в новую ветку
https://habr.com/ru/post/721662/#comment_25351492
Я полностью согласен с Вашим мнением о возможностях реализации проекта электронной много-лучевой литографии:
Вот с этим https://habr.com/ru/news/t/695128/comments/#comment_24856056
и этим
отсюда https://habr.com/ru/news/t/695128/comments/#comment_24860558
поэтому мы ни начали наш стартап.
А глядя на все происходящее с рентген-литографией в нашей стране, утверждаешься в мысли, что не зря начали.
Спасибо ссылку, очень интересно! Еще летом, общаясь с Mapper-ом, было ощущение, что безмасочный рентген-литограф угасает. У МИЭТ еще тогда возникли проблемы с МЭМС-зеркалами. Мое мнение, теперь подтвержденное из видео, что рентгеновские МЭМС-зеркала - это авантюра. Кроме того, что по МЭМС технологии сложно сделать приемлемый коэффициент отражения, это еще, какая-никакая механика. А это почти "никакая" надежность для применения в таком приложении, как литография.
Спасибо, за комментарий.
Возможно это мое кривое объяснение.
В материалах описывающих технологию, говорится, что причина в том, что невозможно создать линейный (координатный) стол с требуемыми параметрами ускорений. Для целевой производительности 10 пластин в час, как пишут авторы требуется линейная скорость примерно 2,5 м/с. Подробнее посмотреть можно здесь
Я лишь добавил мои рассуждения, почему при той же расчетной производительности скорость стола у Mapper значительно ниже. Объяснить это можно только тем, что у Mapper есть возможность сканирования лучом в межлучевых промежутках. Т.е. значительную часть скорости движения луча по поверхности пластины берет на себя система отклонения лучей в колоне. А у KLA такой возможности нет. У них стопка лучей шириной 100 мкм и промежутков между лучами нет. Отклонять же стопку на 100 мкм (чтобы засветить две полосы за один проход), тоже нет. Т.к. при таком отклонении будет закритическая дефокусировка. Они хотя не докладывают какое у них фокусное расстояние, но я предполагаю, что не более 1 мм (у Mapper 0.1 мм, у IMS до 1 мм). Mapper чтобы удержать фокус, при их отклонении стопки лучей на 2 мкм, применял специальные технические ухищрения. Поэтому, думаю, отклонить стопку на 100 мкм (требуемых у KLA), вообще нереально.
Да, все верно, требуется подвижные колоны. И все это не было реализовано. Это только мечты KLA. Кстати последние данные о проекте заканчиваются 2015 годом.
Это скорее бонус с такой компоновкой. Слишком много проблем от такого стола, да и стоимость его "некислая".
Все же, я думаю, что KLA хотели решить проблему со слабым источником, а поймали кучу других проблем.
Спасибо!
Ну как видите, я этим уже занимаюсь
Мы собственно (наш startup), это и хотим сделать. От Mapper осталось отлаженное производство в Москве. Они делают одну из самых прецизионных частей в аппарате - апертурные пластины и дефлекторы (и даже электронные микро-линзы, которые не используются в технологии от IMS).
Mapper (Москва) не против предоставить для проекта свои компетенции.
Но, пока, еще стоит вопрос с финансированием.
Это точно.
С планарными столами вообще сложно. Они не те устройства, которые могут приехать на место и стоять. У них постоянно идет "ряб", так что 5 нм - это по факту "размытая" полоса "дрожи" в 10 нм. Эту "дрож" невозможно подавить подруливающими системами.
Я не очень разбираюсь в ионном травлении.
Но есть многоговорящий факт, что IMS вначале разрабатывали ионно-многолучевую-систему (у таких систем разрешение выше чем у электронно-лучевых), построили аппарат, получили результаты лучше чем у электронно-лучевой системы у них на данный момент, но в итоге забросили эту тему.
Нужно не только, чтобы стол был прецизионным, но и чтобы он работал в вакууме (не загрязняя его), и не создавал неконтролируемых электромагнитных полей.
Насчет НИУ МЭИ не слышал.
Вообще тема литографии летает в воздухе и соответственно координатных столов для нее.
Наши бюджетные организации не страдают открытостью. Финансирование литографии получил МИЭТ. Он нанимает подрядчиков, кто в их рядах, сказать сложно.
Мы пытаемся запустить свой startup. Даже стали участником Сколково. Но стать участником и получить финансирование - это две большие разницы.
Да все верно, поэтому IMS и подняли ток лучей до некоторого компромисса между скоростью засветки и силой Кулоновского взаимодействия в луче.
Потому что энергия электронного луча почти не влияет на скорость засветки. Значимой величиной является кол-во электронов прилетевших в цель. Так например у Mapper электроны разгоняют до 5 кэВ, т.е. в 10 раз меньше чем у IMS, а время засветки одинаково, как у одних, так и у других, при одинаковом кол-ве электронов попавших в цель и одинаковой чувствительности резиста..
Причина - время.
На проекционном аппарате типа ASML можно засветить резист менее чем за 30 сек на все площади пластины. Дальше травление, опять же на всей площади пластины сразу. Причем в аппарат травления можно запихнуть несколько пластин сразу. Обычно производительность фабрики зависит от производительности литографов.
Если травить лучом ионов с сечением в несколько десятком нм, то травить одну пластину придется 1000 лет (в прямом смысле), а то и больше, т.к. скорость процесса на несколько порядков ниже, чем засветка фоторезиста.
:) , очевидными они становятся когда их сделают.
А пока, например, решения с загрязнением системы не придумано.
Когда придумают, многие будут говорить, что это же очевидно )
При засветке заряженными частицами (например, электронами), энергия электронов не сопоставима с энергией фотонов, при засветке чисто электромагнитной волной. Так, например, Mapper использует электроны с энергией 5кэВ, а результат в основном зависит от тока, а не от скорости электронов. Этот результат получен эмпирически. Под него пытаются смастерить теорию, кое-какая имеется, но факт в том, что при засветке электронами, как чувствительность указывают суммарный заряд, а не суммарную энергию, как в случая с фотонами.
Энергия электронов сказывается на нагреве пластины, т.е. в основном уходит в тепло, а не на хим.связи
PMMA возможен, но в "показательных выступлениях" используют HSQ и pCAR (посмотрите подписи под фотографиями с результатами засветок).
Я еще раз посмотрел отчеты, где фигурировали данные по дельта CD (Critical Dimension), т.е. "рваность" краев. У IMS на HSQ получено 1,6 нм (3 сигма), pCAR 1,5 нм (3 сигма), но... чувствительность резиста при этом была 1000мкКл/см2, т.е. в нашем примере 45х45нм - это 133 тыс. электронов, т.е. примерно 8х8 электронов на нм2.
Встречный вопрос, откуда у Вас такой интерес к фоторезисту?
1. Окончательное схождение в пятно 20 нм происходит на коротком участке пути. Для IMS это менее 1 мм (фокусное расстояние проецирующей линзы). Такие сложные места в этом вопросе, как кроссовер, IMS специально размазывает вдоль оси симметрии, компенсируя размазывание разными энергиями электронов. Это довольно интересное инженерное решение. У них есть патент на это.
2. По этому поводу можно написать несколько книг. Как самое интересное решение от IMS - это специальная "дивергирующая" (дефокусирующая) линза. Специалисты по электронной оптике скажут, что такая линза невозможна. Но... IMS сделали это.
3. У них пятно 20 нм. Расплывающееся в резисте в пятно 24-26 нм. Пятно с почти Гаусовым распределением. 50 кэВ это результат их экспериментов по минимизации расползания пятна вторичных электронов. Здесь возможно только экспериментальным путем придти к оптимальным параметрам с конкретным фоторезистом
4. Луч 20 нм, засвечивает не разом пятно, а со смещением с неполной экспозицией. Получается довольно "прямоугольный" профиль засветки. "Рваность" краев порядка 2 нм, если мне не изменяет память, по их отчетам.
Так же "рваность" краев зависит от чувствительности резиста. Так на пятно 45х45нм при чувствительности фоторезиста 30мкКл/см2 надо порядка 4000 электронов, а на резист с чувствительностью 150мкКл/см2 в пять раз больше - 20000 электронов. Относительное количество электронов залетевших за край будет меньше, а значит и край ровнее.
Хвастаются результатами, обычно, на менее чувствительных резистах.
Вообще, это творческий процесс - достижение ровных краев. Это называется стратегия экспозиции. У них порядка 10-ти патентов по этому поводу. Кстати у Mapper еще больше патентов на эту тему.