В Японии разработали способ производства нанопроводов из халькогенидов переходных металлов. Ученые заявляют, что они смогли создавать нанопровода достаточной длины, позволяющей применять их в электронике.

На сегодня у ученых уже есть такие материалы, как углеродные нанотрубки и смеси переходных металлов, которые могут собираться в нанопроволоки. Проблема в том, чтобы сделать их достаточно длинными. Команда из Токийского столичного университета разработала способ изготовления нанопроводов из переходных металлов в масштабах, недоступных ранее.

Нанопровод создается с использованием химического осаждения из паровой фазы (CVD) на подложку. Изменяя структуру подложки, ученые настраивают расположение проводов. Таким образом они получают прямые проводники или случайные сети пучков. Например, нанесение химического осаждения на подложку из кремния или диоксида кремния образует беспорядочную сеть пучков, а на сапфировой подложке провод собирается в заданном направлении, следуя структуре сапфирового кристалла. Ученые обнаружили, что провода имеют упорядоченную кристаллическую структуру и отличную проводимость. На подложку также можно наносить пленку толщиной в одну нанонить или в несколько слоев. 

В университете рассчитывают, что возможность создания большого количества длинных нанопроволок поможет физикам изучить эти структуры более подробно. 

«Суть электроники в том, чтобы делать вещи меньше. Например, меньшие возможности микросхемы означают большую вычислительную мощность при том же объеме пространства, а значит, лучшую эффективность, что необходимо для удовлетворения растущих требований современной ИТ-инфраструктуры. По мере того, как устройства становятся меньше, те же требования предъявляются к сложной проводке, связывающей все вместе. Конечная цель — проволока толщиной всего в один-два атома».

Ученые надеются, что производство нанопроводов откроет путь к промышленному развертыванию промышленной электроники следующего поколения, включая адаптивные и гибкие электронные устройства.