Comments 111
А что с температурной стабильностью?
После той статьи никаких упоминаний ни о чём-то подобном я не встречал (ясное дело, идея сильно опередила своё время), и вот спустя такой огромный срок тема всплыла вновь.
Научный прорыв: холодный ядерный синтез стал управляем
Наука
В российской и мировой ядерной физике осуществлён долгожданный научный прорыв. Впервые реализована управляемая реакция ядерного синтеза при комнатной температуре
Научный прорыв: холодный ядерный синтез стал управляем
Дмитрий Иконников. В единстве производства и науки — могущество и будущность страны! 1986
Москва, 26 мая 2018, 10:36 — REGNUM Этот сенсационный результат получен международной исследовательской группой под руководством известного физика-экспериментатора (Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова) Аллы Александровны Корниловой.
Подробности: regnum.ru/news/2421626.html
Любое использование материалов допускается только при наличии гиперссылки на ИА REGNUM.
Но из-за сильно подпорченной разными фриками и мошенниками репутации у «холодного термояда» никто не воспринимает подобные исследования всерьез. Тема считается «токсичной», большинство ученых категорически не хочет, чтобы даже имя их рядом с обсуждением этой темы появлялось.
С этой работой скорее всего так же будет.
Есть вполне реальный общепризнанный вариант холодного (да хоть в жидком водороде!) ядерного синтеза — мюонный катализ. Только, увы, при современных технологиях производства мюонов он энергетически выгодным никак не получается, а как «удешевить» их производство совершенно непонятно. Но реакция точно идёт, тут сомнений нет.
Подробнее в бюллетене «В защиту науки», страница 44.
А почему бы вновь не обратить внимание?
Из тупика нехватки энергии надо выползать.
А то на Марс и Луну собрались, почти-что с голым задом, но уверенные в себе.
На ненаучных проектах далеко не улетишь — они для другого нужны и вложенные в них государством деньги просто осядут в карманах мошенников.
Вспомните на ту же российскую "Гравицапу", которую всё же запустили, несмотря на мнение экспертов.
Какое отношение разбор КЛН по биологической трансмутации (якобы происходящий в некоторых живых организмах) имеет к опубликованной работе о возможности резонансного синтеза в кристаллах металлов, насыщенных дейтерием под воздействием звуковых волн?
а температура слабо влияет.
К счастью, при низком напряжении электроны никогда не наберут достаточно большой энергии для ионизации гелия. Поэтому, если размеры вакуумного транзистора будут гораздо меньше среднего свободного пути электронов (чего легко достичь), а рабочее напряжение будет достаточно низким (и это устроить нетрудно), то устройство сможет прекрасно работать при атмосферном давлении. То есть, в этой, номинально вакуумной электронике миниатюрного размера вообще не нужно будет поддерживать никакого вакуума!
А как насчет того, что при атмосферном давлении поверхность всегда покрыта в несколько слоев адсорбированными молекулами атмосферных газов, а также воды и органики? Удаляются эти слои только в сверхвысоком вакууме при нагревании.
Чистое производство как раз не проблема. Давно отработано на классической электроннике. А вот производство объёмных конструкций строгой геометрии и размеров уже даёт сложности.
Мало "закачать" внутрь идеальный вакуум. Его надо сохранить внутри. А все материалы на таких уровнях вакуума газят. Причем собственными парами. Именно поэтому экстремальные уровни вакуума получаются только при непрерывной откачке, да и ламповая девятая степень живет там только за счет непрерывного поглощения газа геттером. А тут девятой степени мало.
Тут же вылазит проблема утечки гелия.
Даже слой в 1-2 молекулы «левого» состава осевший там где не надо неприемлемо ухудшает свойства транзисторов при современных производственных нормах. И от них научились избавляться при производстве.
«при атмосфером давлении» <> «сообщающееся с атмосферой»
Все это тщательно зачищается, пустоты заполняются гелием, и наглухо запечатывается.
Гелий тоже же будет адсорбироваться, только с меньшей скоростью. И при атмосферном давлении монослой его образуется не за микросекунды, а допустим, за миллисекунды. Но только абсолютно чистого ничего не бывает. И получить гелий, в котором доля примесей 10^-17 ничуть не проще, чем вакуум в 10^-14 мм рт.ст. А в отпаянном объеме и вовсе нереально.
Я от вас о таком вообще впервые слышу. Проблемы очистки и дегазации — полно и разных. А вот чтобы например гелий «налипал» плотным слоем скажем на кремний или германий при «комнатных» температурах — впервые слышу.
Как понимаю речь об обычной адсорбции (2D аналог абсорбции), а не чем-то экзотическом?.. Но при адсорбции далеко не все газы «липнут» далеко не ко всем поверхностям. В формулах скорости адсорбции газов есть коэффциент адсорбции зависящий от конкретных веществ газа и материала поверхности. И показывающий какая в среднем доля молекул газа из достигших поверхности «приклеивается», а какая «отскакивает» (обычный эффект давления газа на стенки).
И меняется он в очень широких пределах — от практически абсолютного 0 и до 1.
Не нашел пока коэффициентов для пары гелий-кремний, но в процессе нагуглились для азота, аргона, водорода и других газов относительно кремния:
Адсорбция газов поверхностью кремния
Даже для таких довольно активных газов как водород и угарный газ этот коэффициент определяемый экспериментально порядка 0.00001, т.е. всего 1 «прилипшая» молекула газа на 100 000 столкновений с поверхностью и скорость адсорбции соответственно в 100 тыс. раз ниже чем у вас насчитано.
Для инертных же газов (инертные газы инертны не только в плане химических реакций, но во многих других тоже — конфигурация электронной оболочки влияет на все физические свойства), например азота и аргона при «комнатных» температурах она вообще стремится к нулю (как минимум меньше точности лабораторных измерений):
Аргон и азот подводились к нити отдельно. В каждом случае не наблюдалось никакой десорбции при нагреве нити до 600°. Можно поэтому предположить, что при 300° К и давлениях ниже 10в-4 мм рт. ст. не происходит адсорбция аргона и азота. Подобный результат при тех же условиях был получен для германия.
У логического элемента, чтобы он работал в ключевом режиме, должнл быть достаточно большое усиление. Так что чтобы он работал на частоте 3 ГГц, транзисторы нужны с граничной частотой десятки гигагерц.
Вариантов я вижу два:
— Все эти изобретения не показали практичность.
— Отрасль не хочет менять налаженный процесс и делать революционные изменения, обгоняющие «закон Мура» (который больше маркетинговый, чем технологический).
Но чип это не один такой ключик, а сотни миллионов штук таких ключей, которые должны работать синхронно в одной схеме. Даже если брать не весь чип целиком, а какой-то минимальный логический блок (один сумматор/умножитель, один декодер, блок регистров и т.д.) то это десятки-сотни тыс. таких ключей в одной схеме.
А между ними существуют не нулевые расстояния и задержки распространения сигнала. Которые дает как собственно скорость света — которая ограничивает минимальное время прихода фронта сигнала. Так и разные паразитные емкости и индуктивности схемы, ограничивающие минимальное время нарастания сигнала до порогового уровня срабатывания следующего ключа в схеме.
Совсем простенькие схемки в отличии от сложных микрочипов уже работают на десятках ГГц. Например приемники/детекторы/усилители передатчиков на спутниках и РЛС: Ku и Ka диапазоны.
А сложные чипы типа микропроцессоров в это время с большим трудом пытаются штурмовать только отметку 5 ГГц.
P.S.
А где хотя бы одиночные транзисторы на 1 ТГц? Кремниевые работают максимум до нескольких десятков ГГц, альтернативные, не на базе кремния максимум сотня другая ГГц. 1 ТГц еще вроде никто не брал даже в лабораториях, не говоря уже о производстве.
В 2014 году преодолели — 10dB усиления на 1THz. Навскидку:
www.electronicsweekly.com/news/research-news/us-claims-thz-transistor-speed-record-2014-10
www.extremetech.com/extreme/193343-darpa-creates-first-1thz-computer-chip-earns-guinness-world-record
www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1327330
Скорость фронта импульса — только трехмерную структуру делать и переходить на формат потоков «сообщений» между узлами. Т.е. проц-кэш-память вместе, а между такими ячейками передача пакетов, «сеть на чипе». И таких ячеек много, как на GPU.
Одиночные "Si" транзисторы достаточно быстры — сотни "ГГц": 2011 https://ieeexplore.ieee.org/iel5/5976318/5984315/05984622.pdf peak fT/Fmax of 349/265GHz for NMOS, 242/184GHz for. PMOS
https://www.semiwiki.com/forum/content/7604-fdsoi-status-roadmap.html 28FDS provides fmax >400GHz for RF applications,
Задержка одиночных логических вентилей (не нагруженных множеством потребителей) сравнительно невелика: https://en.wikipedia.org/wiki/Logical_effort
Delay is expressed in terms of a basic delay unit, τ = 3RC, the delay of an inverter driving an identical inverter with no parasitic capacitance
In a typical 600-nm process τ is about 50 ps. For a 250-nm process, τ is about 20 ps. In modern 45 nm processes the delay is approximately 4 to 5 ps.
Однако за длительность такта должна сработать целая сеть комбинационной логики и выдать результат в регистры.
Для заданного цифрового дизайна можно оценить задержку такта в единицах задержки FO4 (https://en.wikipedia.org/wiki/FO4 "Fan-out of 4 — delay of an inverter, driven by an inverter 4x smaller than itself, and driving an inverter 4x larger than itself."). Подставив значение FO4 для техпроцесса приближенно оценивается частота дизайна (процессора). Процессоры с высокими (и сверхвысокими) частотами могут иметь достаточно короткую задержку в FO4, например "IBM Power6 (4-5ГГц) has design with cycle delay of 13 FO4;[3] clock period of Intel's Pentium 4 at 3.4 GHz is estimated as 16.3 FO4.[4]". Обратной стороной становится удлинение конвейера и рост задержек исполнения в тактах (например, простые целочисленные операции начинают занимать не 1 такт, а 3; попадание в l1 кэш — не 3-4 такта а 6-10 и т.п.). Также часть длительности такта приходится тратить на задержки проводов, различные перекосы дерева тактирования, работу регистровых станций между комбинационной логикой и учет вариаций техпроцесса (углы TT, FF, SS, ..).
Для конкретных схем (сумматор, сдвиг, flop; для каждого формата — 32 или 64 бита) есть разные варианты реализации. Некоторые имеют минимальную площадь, но большую задержку в штуках fo4, другие для снижения задержки используют большую площадь и "лишние вычисления". https://www.realworldtech.com/fo4-metric/3/ https://www.realworldtech.com/fo4-metric/4/ ("it appears clear that a 32 bit barrel shifter will not be able to fit within a single cycle timing budget of the previously given estimate of 12~16 FO4 delay depth").
Схожие проблемы и при адресации массивов памяти, таких как кэш или регистровый файл. Чем больше память — тем дольше будет к ней доступ. https://books.google.com/books?id=OR6yVXCPcLUC&pg=PA400&lpg=PA400&dq=fo4+metric
Подробнее про Logical effort http://bwrcs.eecs.berkeley.edu/Classes/icdesign/ee141_f05/Lectures/Notes/ComputingLogicalEffort.pdf
про FO4 (2002) https://www.realworldtech.com/fo4-metric/2/
или https://habr.com/post/401815/#comment_18076761 — ответ пользователю Mad__Max от 2 марта 2017 (там же пример "процессора на 20 ГГц" в котором "для одной операции над 8 битным регистром требуется 12 тактов")
Но вы видимо почему-то хотели/ждали процессоров (или других сложных микрочипов) работающих на таких частотах. Хотя читали про транзисторы, а не про чипы.
Про воздействие ядерного взрыва на различные электронные компоненты было бы полезно упомянуть. Это кстати, одна из причин долгой жизни вакуумных приборов в военной электронике.
Основная проблема совсем в другом. Вояки консервативны по отношению к имеющемуся оборудованию. ОЧЕНЬ КОНСЕРВАТИВНЫ! А очень серьёзные системы типа СПРН выключать вообще нельзя ни на минуту, тут только строить новое и сносить старое. Собственно, только там лампы с дискетами по большей части и остались. Разумеется, если используется бронированный олдскул из 60-70-х, то там лампы тоже будут.
Однако, тренды таковы, что старое реально модернизируется путём выбрасывания сотен кг радиодеталей в пользу пары небольших IP68-ящиков с электроникой. Совсем другое дело, что лампы и платы из 5-мм текстолита легко нас с вами переживут, в отличие от хайтека…
Просто сам как раз сейчас участвую в модернизации хайтека прошлого до актуального железа. Повезло, что мы заказчик в ТЗ дал явное добро на извлечения большинства шкафов радиодеталей взамен на компактное, куда менее потребляющее и более понятное человеку из XXI века автоматизированное рабочее место. Правда, от ЭМИ будет очень больно))
Эх… жаль всего на 10 часов. А то включил тут телевизор — и сразу понял — хорошая идея-то… хорошая! Развивать надо!
Как то все это звучит опасно. "Аля улю, шашки наголо, гони городских к лесу!!!" Какие предпочтения блин? Есть утвержденные нормативы и стандарты. Либо ваша новая аппаратура их соблюдает и проходит испытания и приемку, либо нет. А Вы рисуете какой то модный хайп "куяк куяк и в продакшен".
Классическая аналоговая аппаратураДискретные логические элементы без разницы на чем собирать, можно на тех же лампах. Были АВМ, там как и лампы, так и полупроводники и микросборки/микросхемы применялись. И даже простые гидравлические механизмы использовались. И эти АВМ успешно решали задачи интегрирования и дифференцирования. Просьба не путать эти понятия.
Кстати, думаю, что из всех указанных приборов по стойкости данный вакуумный прибор будет ближе к СВЧ диоду.
А я считаю, что вояки отнюдь не дураки использовать лампы. Их до сих пор производят в Саратове и номенклатура давно известна и не менялась уже 70 лет. А вот попробуйте купить японский транзистор, выпущенный хотя бы в 90х. Это очень трудно. С отечественными деталями тоже очень непонятная ситуация. У меня такое впечатление, что сейчас можно купить только детали 80х годов производства, которые не отличаются особым качеством.
Полупроводники деградируют со временем. С лампами в чем то проще в этом плане
Хотя эдиссоновская лампа работает уже больше ста лет.
Ждем «теорию заговора производителей светодиодных ламп»…
Но, что не так с радиолампами? Ведь они должны быть надёжнее, а это, увы, не так.
Я, честно говоря, не интересовался ЭВП ввиду того, что не планировал с ними работать… Да и читали нам всего лишь часть ЭВП — в курсе АиУСВЧ, всякие там клистроны-магнетроны-ЛБВ.
Я какое то время часто менял светодиодные(порой 2-3 раза за год гарантии).
А сдать по гарантии заметно потускневшие, но рабочие лампы, не получилось.
Сейчас взял за правило не брать лампы меньше чем с двухлетней гарантией
А еще КЛЛ в холодных помещениях при включении набирают яркость до номинальной аж несколько минут.
По поводу деградации, у меня есть несколько ртутных ламп на е27 отработавших лет 5(или даже более) и у них яркость заметно выше в отличии от светодиодной проработавшей год.
Так, светодиодные IEK на 11 Вт оказались ярче чем 30 Вт КЛЛ после 4 лет работы.
Светодиодные я всего года полтора начал устанавливать и год как перевёл на светодиодки весь дом. Пока снижения яркости незаметно — как дальше будет, посмотрим. Что касается сдыхания — за это время я установил 33 лампы (дешевых REV, IEK и т.п.), сдохло 6 — почти 20%. Одну разобрал — увы, дешёвка на то и дешёвка, никакой стабилизации тока — только выпрямитель и сглаживающий конденсатор.
Я потрошил средние по цене(ASD, Ecola, Saffit), везде полноценные драйвера, куча емкостей, правда все сдохли от перегрева. Особенно выделился saffit, максимальная экономия на радиатора, плюс светодиоды распаяны на отдельной пластине, соединяясь с радиатором краями пластины. Соединение сухое, ни пайки, ни термопасты. В результате их завалили возвратами.
Держите.
Разбирал недавно одну сгоревшую. Прослужила где-то полгода. Так там сердечник мелкого тороидального транса был сделан из какого-то говна. Транс буквально рассыпался на куски в руках.
Еще у парочки сгоревших был совершенно никакой теплоотвод от полос с диодами. Которые от такого расклада помирали только так. При вскрытии там прямо припой потекший был :(
Производитель(если есть договор с местным магазином) сам себя наказывает. Как к примеру я писал выше с Saffit. Их просто завалили возвратом(там где я сдавал, было сразу несколько коробок за неделю). К концу срока гарантии(1 год всего) к примеру меняли уже на переделанные лампочки(правда проработали они полгода максимум). И так раза три за год менял(сгорели все 100%)
И магазины и покупатели в следующий раз задумаются над покупкой ламп этой фирмы.
Благо я их взял всего пять, сейчас осталось 4, одну пустил на донорские органы(лампы прекрасно разбираются, драйвера попались живучие, а диоды легко перепаиваются).
Нормальная лампочка имеет температуру около 2700 К, а у той — что-то типа 1300 К. И это гигантская разница! При 1300 К вольфрамовая нить и должна жить сотни лет.
Она в жутком недокале, вот и весь ее секрет. Включи нынешнюю лампочку на 220 В в 42 вольта и оставь в покое без включений-выключений и сотрясенй — тоже сто лет может проработать.
Параметры электронных ламп могут уплыть еще быстрее, чем у полупроводников. Заводы-изготовители, в среднем, заявляют 500-5000 часов работы у бытовых ламп и вдвое больше у военных. Лампа чем проще — она на панельке и может быть и заменена любым солдатом.
Насчет замены — это да, конкуренции нету. Даже агрегатная замена не шибко быстрее.
Лампа чем проще — она на панельке и может быть и заменена любым солдатом
Видно невооружённым взглядом неисправности?
По сути, в военных приборах, если это не компьютер, ламп не так много и их все разом можно заменить. Ну а потом методом исключения… А еще можно слегка ногтем пощелкать по лампам, работоспособность может восстановиться или помехи уходят, или их еще больше. Обычно лампа-то не так быстро дохнет, если конечно, не перегорает нить накала. Внешне вполне можно определить лампы, выработавшие свой ресурс по зеркальному/темному налету (не геттер), там где его не должно быть.
Тем более, что многие виды приборов опломбированы и вскрывать их можно только в присутствии особиста, по особому разрешению. Или вообще нельзя, ремонт только на секретном заводе.
Оно ведь уже больше десятка лет обсуждается, в чем новость-то? Или это не тот тип транзистора?
Не тот, оказывается — в баллистическом поток электронов отклоняют, а не прерывают, затрачивая на порядки меньшую мощность, в отличии от предложенного.
Тогда тем более не ясна новизна и смысл.
Всем тёплых, светящихся триггеров на 6Ж1П, короче.
Баллистические транзисторы — собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей намного больше размера канала транзистора.Т.е. сабж тоже подходит. То, что в основном экспериментировали с двумерным электронным газом в сверхпроводнике — не значит что без него не сделать.
А отклонение пучка электронов в вакууме сложно сделать, не направив его в стенку, поэтому прерывать проще.Там зато двуханодные конструкции aka дифпары получаются на раз-два.
Корпус летательного аппарата был сделан грубее, чем у современных ему американских истребителей, и в основном состоял из стали, а не из титана. Приборные отсеки были заполнены оборудованием, работавшим на электронных лампах, а не на транзисторах. Очевидным заключением, несмотря на бытовавшие страхи, стало то, что даже самая передовая технология безнадёжно отстала от западной.
Ведь в США электронные лампы [которые там называют вакуумными трубками / прим. перев.] уступили дорогу меньшим по размеру и энергопотреблению твердотельным устройствам за два десятилетия до этого, вскоре после того, как Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Брэттейн собрали первый транзистор в Лабораториях Белла в 1947.
1) В Миг-25 использовался титан, хотя да, почти на 90% самолет стальной. Однако, «титановый» самолет в США был только один — SR-71 Блэкбёрд. В остальных же титан применялся так же локально.
2) В современных Мигу самолетах, таких как Фантом 2, лампы ещё были в ходу. Первым (насколько я знаю) полностью «транзисторным» боевым самолетом стал F-15, который на вооружение приняли в том же 1976-ом году, когда Беленко угнал самолет.
3) Ламп в приборах в американских вооруженных силах было полным-полно, просто за счет наполнения складов и долгих сроков эксплуатации между модернизациями (на флоте например). Лампы правда, думаю, были лучше советских.
4) Была байка, что американцы такую «ламповость» Миг-25 сначала объясняли устойчивостью ламповых приборов к низким температурам (а Миг-25 летал очень высоко). Впрочем, может и устойчивость ламп тоже байка.
5) Миг-25 до сих пор держит рекорд по высоте полета (37 650 м) — безнадежно отстал…
Не то чтобы спорю с изложенным, но давайте честно — вступление про угон самолета плохо согласованно с основной темой про вакуумные транзисторы
То есть, в этой, номинально вакуумной электронике миниатюрного размера вообще не нужно будет поддерживать никакого вакуума!
Фи… Да какие это тогда лампы, без теплого вакуума
Наш прототип ТВК работает от 10 В, что на порядок больше используемого микросхемами напряжения. Однако исследователи из Питтсбургского университета уже смогли сделать ТВК, работающие от 1 или 2 В, хотя это потребовало серьёзных компромиссов в гибкости дизайна.
Чем плохо питание 10 вольт?
Такую энергию накопленную в паразитных емкостях линий и затворов приходится рассеивать переключающим элементам схемы при каждом переключении. Именно поэтому напряжение питания современных процессоров не превышает полутора вольт, а часто и вольта (мобильные экономичные процессоры)
Плюс энергии электрона в 10 эВ более чем достаточно, чтобы оторвать атом. А значит, электроды "транзистора" будут портиться и срок его службы окажется микроскопическим.
При заряде энергия C * U^2 / 2 зальется в емкость, и столько же рассеется в цепи заряда. При обратном переключении все это сольется в цепь разряда. Получается, на полный цикл нужно энергии C * U^2. Причем от напряжения зависимость квадратичная, при 10 В потребление в 100 раз выше, чем при 1 В.
А чем ограничен нижний предел питания в теории? Тепловым шумом?
А возможно ли какая-то рекуперация, как при торможении? Что бы эту энергию не рассеивать? (В теории, конечно).
А у подобных вакуумных штуках типа старых ламп с электронами в свободном полете — работой выхода из материала.
Хотя тут судя по статье примяют «хак» позволяющий подобное ограничение обойти — автоэлектронная эмиссия
Теоретически возможно что-то вроде «рекуперации» — обратимые вычисления
отклонился от курса тренировочного полёта над Сибирью, который он проводил в самолёте Миг-25П, быстро пересёк Японское море на малой высоте, и посадил самолёт в гражданском аэропорту Хоккайдо
Потрясающе. Где Чугуевка а где Сибирь. Одно непонятно, почему ни слова про матрешку и медведя с водкой.
Вообще, уже даже по одному тому, что именно подразумевается под «Сибирью», можно весьма точно отличить перевод на русский от статьи, изначально на русском написанной жителями Вост. Европы.
Иностранцы под «Российской Сибирью», обычно подразумевают Сибирь географическую( всё, что за Уральскими горами или ~75% территории РФ. Иначе говоря «где-то в РФ, но не в Мск, Питере и их окрестностях». И Чугуевка туда входит ), жители РФ в частности, да и Вост. Европы в общем, под Сибирью обычно подразумевают Сибирский Федеральный Округ, от которого до Чугуевки почти как до Москвы.
В современных вычислительных системах используются полевые(униполярные) транзисторы двух типов проводимости, однако ранее существовали системы на транзисторах одного типа (NMOS, PMOS)
Устройствами с одним типом проводимости десятки лет обходились, ничего не мешает вернуться к ним в вычислительных устройствах.
На самом деле потребление стоит сравнивать уже после реализации конкретного устройства, потому что там еще и разные типы логики и кодирования можно применять, как в свое время в NMOS уменьшали количество одновременно открытых транзисторов, и довольно успешно.
А это поставит крест на их использовании в логике — только «тёплый ламповый» аналог.
- Добавляем ускоряющую сетку… Ой, динатронный эффект появился!
- Добавляем экранирующую сетку...
- Слушайте, а чего так неэкономно расходуем количество элементов? Давайте добавим еще пару электродов чтоб один элемент сразу функцию 'И' реализовывал.
А на выходе получится гептод.
-> habr.com/post/227433
Про такие приборы рассказывал на ютубе один инженер исследователь (из Сибири кажется) лет 10 назад сам видел. А теперь, видите ли, НАСА разрабатывает эти приборы!!! Ну кроме как продолжением откровенного предательства российской власти продавшей все наработки советских инженеров и ученых на запад назвать это никак не могу.
Представляем вакуумный транзистор: устройство, сделанное из пустоты