Comments 18
Рисуй дорожку “шириной” 50 Ом и будет тебе хорошая связь между СВЧ микросхемами
Правильно ли я понимаю, что все RF-микросхемы по умолчанию имеют 50-ти омный импеданс, соответственно эту характеристику для СВЧ падов микросхемы в ее даташите можно даже не выискивать?
П.с. спасибо за статью! Давно ждал подобной.
Нет, и более того, часто бывает наоборот: производитель вскользь упоминает в даташите про некие мифические 50 Ом, но не дает более подробной информации, например, s-параметры чипа, а на практике там оказывается вовсе не 50 Ом. Тут и начинается настоящее развлечение...
Правильно, но обычно все же приводят s11 в полосе частот. Поскольку лучшего согласования можно добиться внешними цепями. Например как описано в статье. То есть согласование в требуемой полосе частот отдается на откуп разработчику.
Правильно, идеальных 50 Ом не будет. И чем шире полоса частот, тем труднее их получить на кристалле интегральной схемы. Неравномерность будет как минимум.
Согласовывать под свой диапазон именно те Омы, отличные от 50 интересней - можно вытянуть желаемые параметры))) Но... Нужно следить за обновлениями применяемой микросхемы, т.к. её разработчик может что-нибудь поменять. Иногда это так и указано в файлах S-параметров или даташитах. Если проект долгоиграющий, то итоговые характеристики изменятся.
Характеристику в любом случае нужно выискивать. Сталкивался со случаями, когда на сайте указан один диапазон частот, в даташите характеристики на более узкий диапазон, а в файлах .sNp (s-параметры) он шире.
По поводу чистых 50 Ом написано в самом последнем абзаце. См. комментарии ниже.
Нет. В последнее время конечно стало популярным у производителей делать микросхемы с 50 Ом входом/выходом. Это понижает порог входа для разработки схемотехники и проектирования цепей согласования. Но процент таких микросхем не велик. Большая часть микросхем имеет отличный от 50 Ом вход/выход. Чаще стали выпускать вход 50 Ом, выход будь любезен согласуй сам поскольку самым простым вариантом электропитания усилительных микросхем все еще остается выход. Цепи согласования хоть и кажутся простыми теоретически, но практически могут оказаться большой головной болью.
Я бы сказал, что для большинства функциональных СВЧ микросхем стараются приблизить параметры к 50 Ом.
Вы не про отдельные СВЧ транзисторы пишите по поводу согласования выхода? Пока только раза два попадались усилители, где на выходе требовался развязывающий конденсатор. К его выбору тоже нужно подходить осознано.
Абсолютно нет. Все зависит от типа функциональной микросхемы. Как Вы сами писали не везде требуется согласование на принятые 50, 75 и т. д. Ом. и микросхема может использоваться для разных применений. Вы же понимаете, что вся суть согласований это уменьшение потерь и искажения сигнала на определенных частотах=компенсация паразитной реактивной составляющий трассы.
Да речь идет именно об усилителях. Микросхемы усилителей могут быть как чисто транзистором, так и транзистор+некий функционал внутри одной микросхемы, но для получения максимум кпд и те и те все равно запитывают через выход, что собственно логично по классической схеме усилителей. И проблема там не только в конденсаторе. Там требуется T-bias для питания, ну и Т или П цепь согласования. То, что Вы встречали с одним конденсатором это как раз таки те микросхемы усилителей которые "максимально" согласованы на определенный импеданс.
Ну и конечно ремарка. Все еще сильно зависит от требуемых частот. Условно до 10 ГГц одни подходы, после другие. Предложенный Вами вариант хорош для >10ГГц.
Просто так конденсатор безнаказанно не вставить, понятно что требуется оптимизировать Т-переход и прочее я фильтрации питания и СВЧ.
Но вы про нелинейный режим говорите, верно? Если от транзистора/усилителя нужен максимальный КПД, вогнать в насыщение и прочее из Load pull то да, там согласование немного другое, спору нет.
магнитная проницаемость - 0,0015;
Это как? Может перепутали с тангенсом угла потерь?
оснвоание
Становиться проблематично
30 дБМ
Поправьте.
Скажите , а если вместо microstrip - взять complanar wave guide, ширину дорожки взять как ширина пада, и рассчитать ширину зазора- ведь тоже 50 ом получиться если верить калькулятору ?
И вот уже усилитель вместо максимально возможной мощности 21 дБм (125 мВт) выдаёт не более 20 дБм (100 мВт).
На мой взгляд смелое утверждение. Коэффициент усиления стал меньше, но судить по нему о выходной мощности усилителя не совсем верно, тем более из малосигнальных S-параметров. Понятно, что оставить как есть не вариант и на шару попасть в какой-то хороший импеданс для усилителя скорее всего не выйдет. А лучше всего использовать подложку соответствующую, чтобы таким не заниматься, если, конечно, там дальше не УМ на жирном транзисторе или патч-антенна какая-нибудь.
Для случая отсутствия подцепи «Match» по всей длине линии образуется режим смешанной волны, формируя периодические участки как с пониженным уровнем мощности, так и с мощностью выше мощности генератора.
Про выше мощности генератора вообще не понял. Наверное взят квадрат напряжения на 50 Ом, но в пучностях то иной импеданс.
Ну и вообще не стоит соединять усилители между собой напрямую: лучше через аттенюатор на 0,5-1,0-2,0 дБ. Да, потеряем в мощности и КУ, но повысим устойчивость усилителей и снизим вероятность генерации в тракте (при КУ > 60). Кстати можно было бы глянуть K-фактор для последовательно соединенных усилителей - может <1 где-нибудь.
Утверждения ваши верны, и для каждого случая есть свои цели и методы их достижения. В статье показан именно вариант согласования в целях уменьшения отражений и увеличения коэффициента передачи. А вы предлагаете аттенюатор))
Понятно, что описать можно многое. Кто знает, тот знает ;) Всё остальное вторично. Усилитель и его пара выбраны лишь для примера. И про насыщение умалчивается, и небольшое упоминание про мВт, чтобы не пугать дБ- и дБм-ами.
Согласование волнового сопротивления на СВЧ