Samsung начнёт массовое производство 2-нм чипов в 2025 году, сначала для мобильных устройств. Затем производитель обратит свое внимание на чипы для высокопроизводительных вычислительных приложений в 2026 году, а к автомобильным полупроводникам перейдёт год спустя.

Вероятно, что часть 2-нанометровой продукции Samsung будет представлять собой чиплеты, которые смогут интегрировать третьи стороны. Ранее компания объявила об «Альянсе MDI» — группе, куда вошли «партнёры, а также крупные игроки в области памяти, упаковки подложек и тестирования». Он сформирует «экосистему упаковочных технологий для гетерогенной интеграции 2.5D и 3D».

Samsung также заявила, что планирует разработать индивидуальную упаковку для приложений, включая HPC и автомобильную промышленность. 

Кроме того, компания:

• запустит литейное производство 8-дюймовых силовых полупроводников на основе нитрида галлия (GaN), ориентированных на потребителей, центры обработки данных и автомобильные приложения, в 2025 году;

• начнёт работать с 5-нм РЧ-процессом, чтобы внедрить его в 2025 году. Как ожидается, он «покажет 40-процентное увеличение энергоэффективности и 50-процентное уменьшение площади по сравнению с предыдущим 14-нм процессом»;

• будет использовать свои 8-нм и 14-нм радиочастотные процессы в автомобильной промышленности;

• запустит третью производственную линию в Пхёнтхэке, Корея, во второй половине 2023 года;

• запустит строящийся завод в Техасе во второй половине 2024 года.