Search
Write a publication
Pull to refresh
10
0
Andrey B @404Ohm

User

Send message

Если подходить к сравнению в лоб: при постоянном Vgs мы изменяем температуру.

Значения получаются катастрофическими.

Для транзистора:

Сопротивление изменяется больше чем в два раза, в диапазоне -40 +75.

Для резистора в том же диапазоне, считается через температурный коэффициент, который выражается в ppm (1 ppm - одна миллионная доля от номинала). Если не брать, специальные серии с низким значением ppm, а взять что то распространённое с 200ppm то получается:

На примере 1кОм и 200ppm

dR(-40) = 1000 * 200e-6 * (-65) = -13Ом

(-65) - это dT которое считается от 25 градусов

dR(+75) = 1000 * 200e-6 * (-50) = 10Ом

Если округлять, то получается разброс, который вносит температура, равен +/-1%.

Но опять же, это если сравнивать в лоб, если же у Вас система с обратной связью, то для вас не критично насколько плавает сопротивление JFET при постоянном Vgs. Если брать схему из примера, критично насколько будет плавать уровень threshold.

p.s.задача threshold как это сделано в статье, с точки зрения чувствительность к температуре, мягко говоря применен не лучше подход. Так как для этого используется падение на Vbe, которое тоже плавает в зависимости от температуры.

Да действительно, вы правы. На схеме получился лишний компонент R5

Профдеформация, т.к. всю информацию потребляю на английском, уже привык к англицизмам. Но на будущее учту, не заигрываться с этим.

Information

Rating
383-rd
Registered
Activity

Specialization

Hardware Engineer