All streams
Search
Write a publication
Pull to refresh
4
0
Akmarov Konstantin @enclis

не пользователь

Send message
Ок, спасибо, теперь понятно. Только вот откуда вы знаете, что это вертикально выращенные транзисторы?
«самый большой прорыв» среди каких технологий?
Приведу такую цитату из пресс-релиза:

"...company's proprietary vertical interconnect process technology can stack as many as 24 cell layers vertically, using special etching technology that connects the layers electronically by punching holes from the highest layer to the bottom..."

В моём понимании TSV — это любой вариант соединения слоёв микросхемы между собой через отверстия в этих слоях. Про single die я ничего не нашел, вообще слово die не встречается в тексте пресс-релиза.
Тем не менее в своём официальном пресс-релизе Samsung говорит о стеке (stack) 24-х слоёв.

Какой-нибудь пруфлинк отличия используемых переходных отверстий 3D NAND и TSV в студию.
Странно, что в статье не упомянуты квантовые точки. Довольно распространенная вещь. Их предлагает например японская Horiba, ими занимаются в питерском НИУ ИТМО и в Дубне в НПО Криптен. Есть патент от некой ООО ТК-1.

Из человеко нечитаемых признаков также стоит отметить различные дифракционные/голографические элементы, полученные методами микролитографии (патент, ещё один, статья). Еще можно в терагерцовом диапазоне работать (патент).

Ну это только то, что лежит на поверхности и в открытом доступе. Очень часто бывает, что подобные технологии закрыты.
Ну вот как оценить когда появились TSV в памяти, не заглядывая внутрь каждой новой ревизии микросхем? Samsung сделала (вероятно проплаченный) вброс в СМИ, чтобы обратить на себя внимание. Я думаю, что Micron уже относительно давно использует TSV. Micron в отличии от Samsung не далает громких заявлений, выпускает пресс-релиз о новом продукте, а там уж как пойдет. Например, Micron без особой шумихи запустила массовое производство чипов памяти с изменением фазового состояния и уже сейчас их можно купить, тоже самое с RLDRAM и DDR4 SDRAM.
TSV тоже давно появились
"… стековая сборка из кристаллов придумана и реализована не сегодня и не вчера. Она реально используется более 10 лет. Та же компания Samsung, как и бывшая Elpida, представляли сборки с числом кристаллов в стеке свыше 10 штук. Сегодня стек из двух-четырёх кристаллов — это повсеместное явление. В вертикальных соединениях тоже нет ничего принципиально нового..."

Взято отсюда.
Можно и мне в личку контакты. Будет очень интересно узнать про них.

Я когда-то давно задался поиском дешевого производства плат в Китае. В случае простых двухслоек я нашел довольно много контор, которые предлагают цены в 1.5-2 раза (для прототипов почти в 8 раз) ниже чем в России, но срок поставки за эти цены никогда не был меньше месяца, что не устраивало меня. Если говорить о четырех и более слоях, то в Китае примерно такие же цены при том, что сроки опять большие. Ну а если взять какию-нибудь восьмислойку 0.11мм/0.11мм, то получалось как правило дороже.
Ну если и этого мало, то есть вот такой набор девайсов.
Если будет возможность расскажите поподробнее про свой конфокальный микроскоп в отдельной статье, я думаю многим будет интересно.
Извиняюсь, я дважды ошибся — сначала подумал про оптический спектр, а потом про уширение спектра InGaAsP/GaAs лазера от тока накачки, ну и с нанометрами я перегнул, там в худшем случае сотни ГГц.
я так понял, что автору не критично уширение спектра на несколько нанометров.
Спасибо за наводку. Что-то я забыл совсем про него. Уровней там много, но лазерная генерация может работать на 3-х.
Хм, интересный у вас микроскоп. Конфокальник или АСМ? Вообще говоря, есть такое понятие как дифракционный предел, поэтому в DVD размер пятна около 320-400нм.
На сколько я помню, в реальности 3-х уровневых лазеров не существует. Поправьте если я не прав.
Как вы измерили пятно такого диаметра? Как пятно от 660нм может быть таким маленьким? особенно при использовани линзы от DVD-рома.
Для требуемого изменения структуры кварца необходимы короткие импульсы. Но скорее всего именно фемтосекундный лазер использовался, потому что такой был в лаборатории, все остальные лазеры в лаборатории не подходили для этих задач.

Information

Rating
Does not participate
Location
Россия
Registered
Activity

Specialization

Electronics Engineer, Research Scientist