Да, конечно, вы правы. На физическом уровне дело обстоит именно так. В статье упростили, чтобы не углубляться во внутреннее строение разных типов памяти.
Кстати, в том числе и поэтому надежность хранения данных на SLС выше — утечка заряда менее критична для распознавания уровня.
Кстати, в том числе и поэтому надежность хранения данных на SLС выше — утечка заряда менее критична для распознавания уровня.