Специалисты МИРЭА — Российского технологического университета (РТУ МИРЭА) разработали и запатентовали конструкцию полевого транзистора на основе алмаза, который по важнейшим параметрам и производительности превосходит аналоги на основе традиционных полупроводников. По мнению создателей, новый прибор найдёт применение в ядерной энергетике и космической технике.
Транзистор — прибор, управляющий электрическим током с помощью электрического сигнала через полупроводник. Новое устройство использует кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 микрона, созданный методом термохимической обработки. Эта технология позволяет устранить дефекты поверхности, что значительно улучшает электрофизические характеристики транзистора.
«Транзистор, как ожидается, сможет продемонстрировать на 10-15% лучшую производительность по сравнению с существующими аналогами. Его ключевое преимущество — сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности», — рассказал ведущий разработчик, заведующий лабораторией «Алмазная СВЧ-электроника» РТУ МИРЭА Андрей Алтухов.
Разработка особенно актуальна для применения в экстремальных условиях, от космической техники до ядерной энергетики, где обычные кремниевые транзисторы быстро выходят из строя.
Проект реализован на базе Передовой инженерной школы СВЧ-электроники РТУ МИРЭА, созданной при поддержке Минобрнауки России в рамках национальных проектов.
