Время от времени некоторые вещи становятся неадекватно популярными — нейроморфные вычисления, нанотехнологии, 3d печать и т.п. В этом нет ничего страшного — это просто проявления моды в технологии и науке. Пройдет лет 5 и все придет в норму — аддитивное производство опять вернется в свою нишу и про него перестанут везде кричать.
Рекомендую пролистать вот эту книжку. А с измерителем рекомендовал бы не возиться, а купить какой-нибудь готовый RLC-метер с внешним интерфейсом, потому что одного аналогового выхода тут будет недостаточно и, если вас не особо интересует электронная часть всего этого проекта, так будет значительно проще.
Дело в том, что функция применяется к номеру алгоритма. Представьте себе, что мы занумеровали все возможные алгоритмы натуральными числами (это возможно, т.к. множество алгоритмов счетно). Каждый алгоритм вычисляет функцию (или зацикливается), то есть, все алгоритмы можно записать как. Так вот, данная теорема о неподвижной точке говорит о том, что для любой вычислимой g существует такое n, что .
То есть, на самом деле, g не имеет никакого отношения к тому, что случается с выходом программы — она действует только на n, давая нам другую какую-то программу. Утверждение говорит лишь о том, что существует такое n, что программы под номерами n и g(n) делают одно и то же.
Конечно, вы можете сконструировать такую функцию g, что она, действуя на программу под номером n и зная, что эта программа выдает, всегда будет выдавать такой номер m, которому соответствует программа, делающая что-то другое. Это можно сделать с помощью оракула, но такая функция окажется невычислимой.
Например, эта функция может выглядеть следующим образом. Представьте, что у нас есть функция , которая возвращает текст программы под номером n и оракул , который возвращает true, если программы s1 и s2 вычисляют одинаковые функции и false в противном случае (это явно оракул согласно теореме Райса). Тогда мы можем написать такую программу:
function m = g(n)
m = 1;
while O(A(n), A(m)) == true
m = m + 1;
end
end
Но функция, описываемая такой программой невычислима, так как использует обращение к оракулу. Конечно, это не доказательство, но, надеюсь, достаточно наглядно, для того, чтобы прояснить этот момент.
Единственная причина, по которой на G нетривиально реализовать квайн — это потому, что он ужасен. При этом еще возникает вопрос, что считать кодом. Если код — это то, что находится в файле .vi, то никаких сложностей в этом нет. А то, что вы привели, квайном не является.
Процесс со smart-cut примерно такой. Ни о каких десятках тысяч (и даже просто сотнях) слоев тут речи быть не может. Самсунг, скорее всего, использует более простой процесс с классическим утонением с задней стороны, потому что им для флеша такая плотность межсоединений не нужна.
На картинке вы видите фотографию с сайта Crossbar. К самсунговской памяти она не имеет никакого отношения. К Кроссбаровской, в общем-то тоже, потому что так выглядит любой чип на срезе — это межсоединения.
«Less than a few» допускает очень гибкую интерпретацию. 10 — вполне себе «less than a few». Утонение до 10 вполне реализуемо. Тут где-то проскакивала ссылка на людей, которые отклеивали функциональный слой от SOI пластин. Как раз будут единицы микрон.
Транзисторы друг над другом растить весьма проблематично — невозможен эпитаксиальный рост и температуры процессов слишком высоки для металлов. Клеить тонкие слои кремния и делать smart-cut тоже не так просто; насколько мне известно, с этим возились в Стэнфорде. Возможно у Самсунга что-то похожее.
Все-таки для этого нужен качественный скачок. Вы не сможете склеить ~30 тысяч чипов, и тем более не сможете утонить их до приемлемой толщины. К тому же, разводка through silicon via позволяет создавать только очень ограниченное количество межсоединений.
Я, конечно, могу ошибаться, но по-моему это просто многокристальная сборка из 24х чипов, поэтому утверждение в статье о толщине слоев, измеряющихся нанометрами, выглядит спорным.
Да идея-то вообщем, тривиальная. Поверхностные состояния заряжаются только вблизи металлизации, поэтому достаточно просто ставить транзисторы реже друг от друга. Остается только проблема с утечкой из стока одного транзистора в канал другого, если сток первого соединен с затвором другого, но это может и не быть проблемой.
То есть, вы хотите сначала травить на одну глубину (до границы затворов), а потом делать еще литографию и травить стоки/истоки? Как обеспечивается выравнивание затвора над каналом?
Проблем с паразитными транзисторами можно избежать, но для этого придется понижать плотность.
В аргоне остаточный кислород все-таки есть, при очень низких скоростях он будет успевать соединяться. Хотя я согласен, что для этого скорости уж очень низкими должны быть.
На счет адгезии — там комплексная проблема. Возможно поможет просто убрать воду с поверхности до нанесения резиста, но это тоже не просто, нужны высокие температуры. К тому же, при охлаждении она садится назад.
В момент осаждения металла кремний все равно уже закрыт, поэтому легироваться он не должен.
Я правильно понимаю, что никакого диэлектрика вы дополнительно осаждать не собираетесь? То есть, затворы и разводка будут физически на одной высоте? Тогда надо ожидать высокой емкости/низкой скорости.
Я понимаю, что скорость распыления не критична, но все таки, если на это будут требоваться дни, это будет не очень удобно. Скорее всего, в этом случае получится пленка оксида алюминия. Скажем, при давлении ~ 10 мкБар при мощности в 500 Вт в среднем в 2'' магнетроне развивается скорость распыления ~50 нм/мин. Это напряжение порядка 400 В и, соответственно, ток 1.2 А. Конечно, можно повышать давление, но больше, чем порядок вряд ли получится вытянуть.
По поводу фоторезистов — новолачные резисты очень плохо держатся на оксиде кремния. Это не так критично при плазмохимии, но может вызывать большие проблемы при травлении HF. Впрочем, небольшое количество HMDS я, наверное, смогу найти, если понадобится.
Затвор вы хотите делать металлический? Если собираетесь распылять металл (алюминий?) плазмой, то как собираетесь достигать нужной плотности плазмы, чтобы скорость была адекватная? Чем будете травить алюминий? Ортофосфорной кислотой?
Вы меня не поняли. Я имел ввиду, что судя по вашим словам понятие «представить» означает «представить вложенным в трехмерное пространство»; это подтверждается также тем, что вы дали ссылку на такое определение. И лист бумаги вы себе представляете всегда как вложение. Естественно вы не можете вложить четырехмерное пространство в трехмерное, поэтому в этой системе понятий фраза «невозможно вообразить четырехмерное пространство» — это просто тавтология.
Однако можно сформировать в сознании какую-то картинку многомерного пространства, не являющуюся вложением.
В двух словах объяснить о чем идет речь можно так. Обычно для того, чтобы область, в которой заключена волна, была ограниченной, вокруг этой области создают другую область, в которой волна распространяться не может. Это может быть либо металл (так устроены обычные зеркала), либо фотонный кристалл, либо еще что-то. Поскольку волна в этих областях не распространяется, то и уйти на бесконечность она не может. Появляется связанная мода.
Однако, у волновых уравнений в некоторых средах с локализованными возмущениями существуют такие решения, которые также не распространяются. При этом, сама среда не препятствует распространению волны. Собственно, сконструировать систему, в которой возникает такая мода и получилось у авторов. При этом, никакой речи про отсутствие потерь там нет. Естественно, свет, перемещаясь внутри нитрида кремния, поглощается средой.
Вы так говорите, как будто у вас есть подписка на Nature и вы прочитали целиком.
Именно так. Это немного пересекается с одной из интересующих меня тематик, поэтому я потратил 10 минут на то, чтобы прочитать статью. Что вы в этом видите удивительного?
Ну а вообще — вы хотя бы абстракт прочитали, для этого подписка не нужна.
То есть, на самом деле, g не имеет никакого отношения к тому, что случается с выходом программы — она действует только на n, давая нам другую какую-то программу. Утверждение говорит лишь о том, что существует такое n, что программы под номерами n и g(n) делают одно и то же.
Конечно, вы можете сконструировать такую функцию g, что она, действуя на программу под номером n и зная, что эта программа выдает, всегда будет выдавать такой номер m, которому соответствует программа, делающая что-то другое. Это можно сделать с помощью оракула, но такая функция окажется невычислимой.
Например, эта функция может выглядеть следующим образом. Представьте, что у нас есть функция
Но функция, описываемая такой программой невычислима, так как использует обращение к оракулу. Конечно, это не доказательство, но, надеюсь, достаточно наглядно, для того, чтобы прояснить этот момент.
«Less than a few» допускает очень гибкую интерпретацию. 10 — вполне себе «less than a few». Утонение до 10 вполне реализуемо. Тут где-то проскакивала ссылка на людей, которые отклеивали функциональный слой от SOI пластин. Как раз будут единицы микрон.
Транзисторы друг над другом растить весьма проблематично — невозможен эпитаксиальный рост и температуры процессов слишком высоки для металлов. Клеить тонкие слои кремния и делать smart-cut тоже не так просто; насколько мне известно, с этим возились в Стэнфорде. Возможно у Самсунга что-то похожее.
А как прицеливаться планируете?
Проблем с паразитными транзисторами можно избежать, но для этого придется понижать плотность.
В аргоне остаточный кислород все-таки есть, при очень низких скоростях он будет успевать соединяться. Хотя я согласен, что для этого скорости уж очень низкими должны быть.
На счет адгезии — там комплексная проблема. Возможно поможет просто убрать воду с поверхности до нанесения резиста, но это тоже не просто, нужны высокие температуры. К тому же, при охлаждении она садится назад.
Я правильно понимаю, что никакого диэлектрика вы дополнительно осаждать не собираетесь? То есть, затворы и разводка будут физически на одной высоте? Тогда надо ожидать высокой емкости/низкой скорости.
Я понимаю, что скорость распыления не критична, но все таки, если на это будут требоваться дни, это будет не очень удобно. Скорее всего, в этом случае получится пленка оксида алюминия. Скажем, при давлении ~ 10 мкБар при мощности в 500 Вт в среднем в 2'' магнетроне развивается скорость распыления ~50 нм/мин. Это напряжение порядка 400 В и, соответственно, ток 1.2 А. Конечно, можно повышать давление, но больше, чем порядок вряд ли получится вытянуть.
По поводу фоторезистов — новолачные резисты очень плохо держатся на оксиде кремния. Это не так критично при плазмохимии, но может вызывать большие проблемы при травлении HF. Впрочем, небольшое количество HMDS я, наверное, смогу найти, если понадобится.
Вообще интересное у вас хобби :)
Однако можно сформировать в сознании какую-то картинку многомерного пространства, не являющуюся вложением.
Однако, у волновых уравнений в некоторых средах с локализованными возмущениями существуют такие решения, которые также не распространяются. При этом, сама среда не препятствует распространению волны. Собственно, сконструировать систему, в которой возникает такая мода и получилось у авторов. При этом, никакой речи про отсутствие потерь там нет. Естественно, свет, перемещаясь внутри нитрида кремния, поглощается средой.
Именно так. Это немного пересекается с одной из интересующих меня тематик, поэтому я потратил 10 минут на то, чтобы прочитать статью. Что вы в этом видите удивительного?
Ну а вообще — вы хотя бы абстракт прочитали, для этого подписка не нужна.