Comments 21
130нм — 120 млн евро
90нм — 27 млн евро
не понял, куда она экспоненциально растёт…
90нм — 27 млн евро
не понял, куда она экспоненциально растёт…
А у нас Сколково и Олимпиада(
А так я рад что технологии не стоят на месте.
Судя по публикациям сейчас каждый нанометр с трудом даётся.
А так я рад что технологии не стоят на месте.
Судя по публикациям сейчас каждый нанометр с трудом даётся.
Да, сейчас не то что каждый нанометр — атомы в штуках считать уже можно.
Транзистор создать, не тех процесс отладить.
Цены на светочувствительные CMOS матрицы растут экспоненциально их размерам, хотя тех процесс куда уж толще.
Единичный элемент создать, много ума не надо, а intel из таких элементов процессоры делает, и пусть обходится не без отбраковки, урезания, но всё-же их тонкий тех процесс, ещё и экономически выгодней процессов конкурентов.
Цены на светочувствительные CMOS матрицы растут экспоненциально их размерам, хотя тех процесс куда уж толще.
Единичный элемент создать, много ума не надо, а intel из таких элементов процессоры делает, и пусть обходится не без отбраковки, урезания, но всё-же их тонкий тех процесс, ещё и экономически выгодней процессов конкурентов.
Здесь 22нм весь транзистор, у интела — реальный размер транзистора в несколько раз больше, 22нм размер самого маленького элемента (из-за происков маркетологов, которые любят «быстрее выше сильнее»). ЕМНИП, конечно.
Тут вопрос этот «22нм весь транзистор» существует в единственном экземпляре, или всё-таки воспроизводим серийно. Технологии уже давным-давно позволяют сделать не только 22нм, но и гораздо меньше, если речь идет о единичных транзисторах, или если цена не имеет значения. Интересно, как у китайских ученых с себестоимостью и серийностью дело обстоит…
Я бы отметил, что 0,543 нм — это параметр кристаллической решетки кремния, которая у него алмазноо типа. А реальное расстояние между атомами 0,23 нм, что тоже несложно заметить по масштабу фотографий.
Няня я у них поел
Только вот дислокации (которые эти самые «искусственно созданные дефекты кристаллической решетки») — они не для сжатия кремния в канале, а для его растяжения — для увеличения подвижности электронов в NMOS напряжение сжатия не нужно (как для дырок PMOS, например).
Метод называется SMT Интел его уже давно использует, для мобильных устройств такие транзисторы на подходят — токи утечки большие, поэтому IBM и примкнувшие к ним foundry такую технологию не используют, хотя мы ее проверяли и в производстве она как раз проста.
Молодцы, конечно, китайцы, но это все а) упертое старье, б) до технологии от одного транзистора еще очень далеко, а от технологии до чипа еще дальше… Но сам факт того, что они получили что-то, что было cutting age лет 6-7 назад — довольно серьезно.
Метод называется SMT Интел его уже давно использует, для мобильных устройств такие транзисторы на подходят — токи утечки большие, поэтому IBM и примкнувшие к ним foundry такую технологию не используют, хотя мы ее проверяли и в производстве она как раз проста.
Молодцы, конечно, китайцы, но это все а) упертое старье, б) до технологии от одного транзистора еще очень далеко, а от технологии до чипа еще дальше… Но сам факт того, что они получили что-то, что было cutting age лет 6-7 назад — довольно серьезно.
Эти дефекты в кремнии — они 1) долго продержатся? 2) не переместятся?
Снимок получен электронным микроскопом? Я так понимаю в фотонный микроскоп отдельные атомы не увидеть
В «фотонный» микроскоп это можно увидеть, только это должно быть гамма или рентгеновское излучение :-)
В общем да, электронный.
В общем да, электронный.
Это обычный cross-section TEM высокого разрешения.
>Возможно в будущем технологии придется покупать уже у Китая.
Я думаю, что пока Китай гонится за миниатюризацией, в недрах Интела разрабатывается что-нибудь нейронно-оптическое.
Я думаю, что пока Китай гонится за миниатюризацией, в недрах Интела разрабатывается что-нибудь нейронно-оптическое.
Sign up to leave a comment.
Китайский институт микроэлектроники создал 22нм транзисторы