Pull to refresh

Comments 18

Прям вот точно 1010. Не 1009, не 1011. У меня ощущение, что бедный журналист никак не может отбиться от нежелательных сексуальных ласк учёного.

UFO landed and left these words here
UFO landed and left these words here

Возможно это 105-106 перезаписей без учёта работы алгоритмов коррекции ошибок.

Там тоже степень потерялась. Должно быть 10^5 — 10^6 циклов перезаписи.
Они же (но не все) три года назад.
image
Ученые МФТИ вырастили на основе оксида гафния материал для энергонезависимой памяти нового типа


Упоминание в пресс-релизе вот этого «сегнетоэлектрического конденсатора», IMXO, перебор. Теперь этот «конденсатор» растащили по всему рунету. Речь всего лишь об условном накоплении заряда. Об остаточной поляризации в рабочем слое. Нет там никаких конденсаторов.
Пресс-релиз, конечно, местами так себе, но чем конденсатор вам не угодил? :)
Конденсатор предполагает интерес к вариативной ёмкости, а ячейка памяти это несколько другое. Тем более, что речь об энергонезависимой ячейке.
Конденсатор — это штука с двумя терминалами, напряжение между которыми определяется протекшим через него зарядом. То, что в качестве диэлектрика в него засунут ферроэлектрик не мешает ему оставаться конденсатором.
Ну а здесь такой особый конденсатор, который не может находиться в полузаряженном состоянии (он либо поляризован в одном направлении, либо в другом), но в целом для внешней цепи ведет себя так же. Впрочем, ещё саморазряда нет.

При "грамотном" подходе можно и текущие 10^15-10^16 на "классической" FRAM ухайдокать достаточно быстро.
Исследовали — молодцы. Но "прорывной" технологией пока и не пахнет.

Ухайдокать 10^16 (если это действительно 10^16) довольно проблематично — даже если предположить фантастическое для текущей FRAM время цикла записи 1 нс, и все время писать в одну и ту же строку, придется заниматься этим на протяжении 200 лет :D
Sign up to leave a comment.

Other news