Добрый вечер, Хабр!
Вчера Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли RDIMM памяти стандарта DDR4 емкостью 64 ГБ. Новые модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых, в свою очередь, состоит из четырех кристаллов DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Чипы отличаются низким энергопотреблением и производятся с использованием передового техпроцесса класса 20 нм. Микросхемы собираются в единый стек с помощью новейшего метода по сквозному соединению кристаллов под названием TSV (Through Silicon Via). Новые модули высокой плотности будут играть ключевую роль в дальнейшем развитии сегмента корпоративных серверов и облачных приложений, а также в диверсификации решений для центров обработки данных.
Запуск массового производства модулей 3D TSV знаменует собой начало новой вехи в истории технологий памяти; напомним, что последней важной разработкой Samsung в этой области стала флэш-память 3D Vertical NAND (V-NAND), впервые представленная в прошлом году. В то время как технология 3D V-NAND основывается на высоких вертикальных структурах массивов ячеек внутри монолитного кристалла, 3D TSV — это инновационная технология построения пакетов, позволяющая соединять между собой вертикальные слои кристаллов.
Для создания пакета 3D TSV DRAM кристаллы DDR4 стачиваются до толщины в несколько десятков микронов, после чего в кристаллах проделываются сотни мельчайших отверстий. Они вертикально соединяются между собой посредством электродов, которые пропускаются через эти отверстия. В результате, новый модуль 3D TSV имеет в два раза большую производительность и вдвое меньшее энергопотребление по сравнению с модулем, построенным на базе проводной обвязки кристаллов.
В ближайшем будущем Samsung планирует связывать между собой более четырех кристаллов DDR4, используя технологию 3D TSV, чтобы создавать DRAM модули более высокой плотности. Это позволит ускорить расширение решений для рынка памяти класса премиум и, соответственно, переход с памяти DDR3 на память DDR4 на рынке серверов.
Samsung усиленно работает над улучшением технологии 3D TSV с 2010 года, когда были впервые разработаны модули 8 ГБ DRAM RDIMM класса 40 нм. В этом году, Samsung стала использовать новую систему производства пакетов TSV, предназначенную для массового производства новых серверных модулей.
Вчера Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли RDIMM памяти стандарта DDR4 емкостью 64 ГБ. Новые модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых, в свою очередь, состоит из четырех кристаллов DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Чипы отличаются низким энергопотреблением и производятся с использованием передового техпроцесса класса 20 нм. Микросхемы собираются в единый стек с помощью новейшего метода по сквозному соединению кристаллов под названием TSV (Through Silicon Via). Новые модули высокой плотности будут играть ключевую роль в дальнейшем развитии сегмента корпоративных серверов и облачных приложений, а также в диверсификации решений для центров обработки данных.
Запуск массового производства модулей 3D TSV знаменует собой начало новой вехи в истории технологий памяти; напомним, что последней важной разработкой Samsung в этой области стала флэш-память 3D Vertical NAND (V-NAND), впервые представленная в прошлом году. В то время как технология 3D V-NAND основывается на высоких вертикальных структурах массивов ячеек внутри монолитного кристалла, 3D TSV — это инновационная технология построения пакетов, позволяющая соединять между собой вертикальные слои кристаллов.
Для создания пакета 3D TSV DRAM кристаллы DDR4 стачиваются до толщины в несколько десятков микронов, после чего в кристаллах проделываются сотни мельчайших отверстий. Они вертикально соединяются между собой посредством электродов, которые пропускаются через эти отверстия. В результате, новый модуль 3D TSV имеет в два раза большую производительность и вдвое меньшее энергопотребление по сравнению с модулем, построенным на базе проводной обвязки кристаллов.
В ближайшем будущем Samsung планирует связывать между собой более четырех кристаллов DDR4, используя технологию 3D TSV, чтобы создавать DRAM модули более высокой плотности. Это позволит ускорить расширение решений для рынка памяти класса премиум и, соответственно, переход с памяти DDR3 на память DDR4 на рынке серверов.
Samsung усиленно работает над улучшением технологии 3D TSV с 2010 года, когда были впервые разработаны модули 8 ГБ DRAM RDIMM класса 40 нм. В этом году, Samsung стала использовать новую систему производства пакетов TSV, предназначенную для массового производства новых серверных модулей.