Pull to refresh

Comments 32

ЦТС с небольшим избытком кислорода в полупроводниковой матрице TIxO обладает теми же свойствами. Правда, освещать его приходится скорее ближним УФ, чем видимым спектром, но это не проблема. А эффективный размер кристалла может быть порядка тех же 22 нм при желании.
В любом случае генерация в видимой области проще и дешевле чем в УФ.
Если бы речь шла о жестком УФ, ниже 200 нм — то да, но мы облучали 340 нм — и работало замечательно. А это уже вполне рабочие промышленные длины, проблем никаких
Перечитал статью, используемый BiFeO3 имеет запрещенную зону 2.7 эВ (~459нм), что не очень далеко от УФ. Вот если бы ближе к ИК было бы интересней.
Мне кажется, что видимый свет не подействует на ~22нм размеры ячеек — нужна другая длинна волны, ведь так?
Почему не подействует? Если вы про размер ячейки и длину волны, то это не так. Самое главное размер запрещенной зоны.
А поясните, пожалуйста, если не сложно?
Требуемый шаг в сетке элементов (т.е. с надёжной изоляцией от соседних) — ~20нм.
Длина волны видимого света, грубо говоря, 500 нм. Для уверенной передачи нужна сетка с шагом хотя бы в половину длины волны, что всё равно больше чем на порядок больше, чем требуется.
Где изъян в рассуждениях?
Что вы подразумеваете под «уверенной передачей»?
Передачу сигнала. Освещение.
Шаг в половину длины волны должен быть у дифракционной решетки для фокусировки главного максимума. И это при нормальном падении пучка. При падении под углом там вариации соотвественно sin(f). К области воздействия на самой матрице памяти это отношения как такового не имеет. Да и способов фокусировки, кроме дифрешетки, еще полно.
Для чтения и записи требуется менее 10 наносекунд, а запись требует 3 вольта напряжения. Для сравнения: энергонезависимая флэш-память требует приблизительно в 100 тыс. раз больше времени и требует 15 вольт для записи.

Не очень понятно откуда такие данные. Вот если взять обычную e-MMC от Micron — напряжение питания от 2.7В до 3.6В, время чтения и записи тоже примерно 10нс.
Внутри микросхемы — встроенный умножитель напряжения, который повышает его до нужного уровня для записи.
Примерно в этом диапазоне, зависит от особенностей технологии.

For a tunnel oxide of 8nm and a coupling ratio of 0.6, a programming voltage of at least 10V on the control gate is required to charge the floating gate of a stacked gate Flash memory cell in a programming time of a few milliseconds or less
откуда взята цитата?
Да, действительно первый байт записывается в лучшем случае за 0.1мс, но кого интересует запись одного единственного байта данных? Если взглянуть сюда , то можно увидеть, что даже в случае случайной записи 4KB с глубиной QD=1 некоторые девайсы выдают больше 500MB/s. И даже если взять посредственные 125MB/s мы получим 1нс на запись одного бита данных. В случае с Angelbird Crest 6 XTC получается 240пс.
Время очевидно с учётом стирания, а преобразователи там встроенные.
Ну уж никак не «в 100 тыс. раз больше» (1мс). Не за что не поверю, что в продуктах, использующих 22нм техпроцесс (или даже 19нм) могут быть напряжения в 15В.
Кстати, что-то давно про память на «мемристерах» не слышно. Заявленные HP и Hynix сроки вроде бы подходят уже, пора начинать рекламу на мой взгляд
www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16/15/46
Пока они не представят хотя бы один промышленный образец накопителя на мемристорах, это всё — лишь пустой трёп.
Не принимайте на свой счёт, но я бы не воспринимал всерьёз подобные статьи от пользователя с таким ником.
Статья опубликована в Nature, FakeFactFelis просто пояснил, что там написано.
Авторитетно заявляю, что это ерунда какая-то. Чтение магнитной памяти не представляет никакой проблемы благодаря эффекту гигантского магнетосопротивления, что отлично встраивается в электронные схемы. Основная проблема перед MRAM различных сортов это запись магнитных элементов слабым электрическим полем, а так же стабильность массивов магнитных частиц. И SRC, в частности, тратит на это безумные деньги.
Никто не спорит, что MRAM существует и её используют, например в составе некоторых микроконтроллеров, т.е. в полностью электронной системе. Представленная фотоэлектрическая память уже может быть частью фотонного «микроконтроллера» или гибридной оптоэлектронной микросхемы.
Просто дело в том, что FakeFactFelis неправильно интерпретировал исходную статью. В ней речь шла о сегнетоэлектрической памяти, а не о магниторезистивной.
Ха, действительно же! :)
Не заметил ни одного упоминания о магниторезистивной памяти от FakeFactFelis. Вообще говоря, используемый BiFeO3 является мультиферроиком с выраженными сигнеэлектрическими и магнитными свойствами.
Прямо в заголовке. Наличие у феррита висмута ферромагнитных свойств не делает описываемый тип памяти ферромагнитным.
Кажись, в такой памяти не достичь той же ёмкости, что и во флэшках: невозможно сделать MLC. А dram… Встроенная в комп батарейка делает его энергонезависимым :)
Only those users with full accounts are able to leave comments. Log in, please.