В качестве замены флэш-памяти рассматриваются различные технологии от нанокристаллов до магнитной памяти, но наиболее приемлемой технологией разработчики все же считают память, механизм работы которой основан на изменении фазового состояния вещества.
Предыдущий топик по теме — «Intel: массовое производство PRAM к концу 2007»
В 2006 году компания Intel совместно с STMicroelectronics продемонстрировала чип памяти, основанный на технологии, работа над которой в целом ведется уже на протяжении 30 лет. Первые образцы чипа названы Alverston.
В основе чипов Alverston лежит материал, похожий на тот, что применяется для создания оптических дисков (халькогенидное стекло), а принцип работы основан на фазовых переходах.
Впервые об этой технологии стало известно более 30 лет назад, в 1970 году, когда одним из основателей Intel, Гордоном Муром, была опубликована статья о «фазовой памяти» (Phase-change memory).
Материал — халькогенидное стекло (GST), состоит из германия (Ge), сурьмы (Sb) и теллура (Te). В обычном (холодном) состоянии материал представляет из себя аморфную стеклообразную структуру с высоким электрическим сопротивлением (состояние 1). При воздействии высокой температуры (до 600 градусов по Цельсию) материал кристаллизуется, здесь важно добиться температуры выше точки кристаллизации, но ниже точки плавления материала, тогда материал будет обладать очень низким сопротивлением (состояние 2). В результате фазового перехода изменяются как электрические характеристики, так и оптические (показатель преломления). Этот переход может осуществляться менее чем за 5 нс (по данным на 2006г).
В феврале этого года Intel анонсировала разработку, позволяющую удвоить возможную емкость чипов, основанных на технологии фазовых переходов. Ранее «фазовая память» реализовывалась двумя состояниями (описано выше), но исследователями было показано, что между аморфным и кристаллическим состояниями есть еще два, которые также могут быть использованы для хранения информации. Добавив два бита на ячейку Intel совместно с STMicroelectronics добились значительного увеличения производительности чипов. Intel ранее уже освоили аналогичный трюк с флэш-памятью, в которой более чем один бит может храниться на ячейку памяти, так что не удивителен подобный шаг и в разработке «фазовой памяти».
По материалам статей:
Предыдущий топик по теме — «Intel: массовое производство PRAM к концу 2007»
В 2006 году компания Intel совместно с STMicroelectronics продемонстрировала чип памяти, основанный на технологии, работа над которой в целом ведется уже на протяжении 30 лет. Первые образцы чипа названы Alverston.
В основе чипов Alverston лежит материал, похожий на тот, что применяется для создания оптических дисков (халькогенидное стекло), а принцип работы основан на фазовых переходах.
Впервые об этой технологии стало известно более 30 лет назад, в 1970 году, когда одним из основателей Intel, Гордоном Муром, была опубликована статья о «фазовой памяти» (Phase-change memory).
Принцип работы «фазовой памяти»:
Материал — халькогенидное стекло (GST), состоит из германия (Ge), сурьмы (Sb) и теллура (Te). В обычном (холодном) состоянии материал представляет из себя аморфную стеклообразную структуру с высоким электрическим сопротивлением (состояние 1). При воздействии высокой температуры (до 600 градусов по Цельсию) материал кристаллизуется, здесь важно добиться температуры выше точки кристаллизации, но ниже точки плавления материала, тогда материал будет обладать очень низким сопротивлением (состояние 2). В результате фазового перехода изменяются как электрические характеристики, так и оптические (показатель преломления). Этот переход может осуществляться менее чем за 5 нс (по данным на 2006г).
Состояние 1 (слабо организованное) используют для получения сигнала низкого уровня, а состояние 2 (жестко структурированное) — сигнала высокого уровня.
В феврале этого года Intel анонсировала разработку, позволяющую удвоить возможную емкость чипов, основанных на технологии фазовых переходов. Ранее «фазовая память» реализовывалась двумя состояниями (описано выше), но исследователями было показано, что между аморфным и кристаллическим состояниями есть еще два, которые также могут быть использованы для хранения информации. Добавив два бита на ячейку Intel совместно с STMicroelectronics добились значительного увеличения производительности чипов. Intel ранее уже освоили аналогичный трюк с флэш-памятью, в которой более чем один бит может храниться на ячейку памяти, так что не удивителен подобный шаг и в разработке «фазовой памяти».
Исследование «фазовой памяти» значительно продвинулось за последние несколько лет, и если несколько лет назад переход на ее массовое производство не выглядел многообещающим, то теперь нет ни тени сомнений по этому поводу.
Основные преимущества и отличия «фазовой памяти»:
- использование собственного физического состояния, а не электронного заряда для хранения данных,
- возможность использования не только в качестве DRAM и SRAM, но и в качестве энергонезависимой памяти,
- меньшее энергопотребление,
- возможность размещения на кристалле большего количества элементов,
- высокая устойчивость к внешним воздействиям,
- долговечность (выдерживает около 100 миллионов циклов перезаписи, а также медленее вырождается),
- более высокая скорость записи и чтения.
По материалам статей:
