Samsung готовится начать массовое производство 236-слойной флэш-памяти V-NAND 8-го поколения с повышенной плотностью и пропускной способностью. Кроме того, компания откроет новый центр исследований и разработок, который будет отвечать за создание более продвинутых продуктов твердотельной памяти, сообщает Tom’s Hardware.
Samsung представила первую серию памяти 3D NAND, получившую название V-NAND, в 2013 году. 24-слойная флэш-память в то время значительно опережала продукты конкурентов, однако через восемь лет, в 2021 году, Micron Technology объявила о разработке первой в мире 232-слойной флэш-памяти NAND, а чуть позже SK Hynix завершила разработку 238-слойного продукта, оставив Samsung позади.
Текущий рекорд Samsung по количеству слоёв памяти составляет 176. С новым продуктом компания увеличит их число на 60. Тестовое производство памяти V-NAND 8-го поколения стартовало ещё в прошлом году, и сейчас компания готовится к массовому выпуску.
Одной из целей разработки памяти NAND следующего поколения будет повышенная пропускная способность ввода-вывода. Кроме того, флэш-память будет оптимизирована для многозадачности и запуска ресурсоёмких рабочих нагрузок, позволяя, например, одновременно осуществлять 3D-моделирование и редактирование видео.
Samsung рассчитывает, что сможет создать в будущем V-NAND-память, состоящую из 1000 слоев, что значительно больше планов SK Hynix, которая говорила о теоретической возможности выпуска 600-слойной NAND.
