Samsung заявила о массовом производстве чипов флеш-памяти 8-го поколения 3D V-NAND TLC. У новых чипов ёмкость 1 Тбит и, предположительно, 236 слоёв, однако сама Samsung не раскрывает этот момент. Samsung только указала, что у разработки самая высокая плотность битов в отрасли. Об этом сообщает портал Tom’s Hardware.
По утверждениям экспертов, Samsung создаёт память с 200 слоями, накладывая друг на друга 128-слойные кристаллы. Во время этого процесса некоторые слои теряются, и это не позволяет добиться идеала в виде 256 слоёв в микросхемах 3D NAND, но разработчики к этому стремятся. Ранее в этом году компания Micron представила чипы 3D NAND с 232 слоями, а SK hynix — с 238 слоями.
Samsung 3D V-NAND TLC имеет скорость передачи 2400 МТ/с и интерфейс PCIe 5.0. Кроме того, разработчики утверждают, что использование новой технологии производства позволило получать на 20% больше памяти с одной кремниевой пластины по сравнению с выпущенными ранее микросхемами флэш-памяти той же ёмкости. Это позволяет уменьшить производственные затраты и, возможно, удешевит выпуск твердотельных накопителей для потребителей.
Остальные подробности архитектуры новых чипов 3D V-NAND TLC компания не раскрывает.
