Я сейчас проверил свои расчеты в программе FEMM.
То есть я взял материал с определенным Нс и пересчитал эквивалентный виток тока по формуле.
Поле в контрольных точках хорошо совпадают.
Ну и должен признаться, что как я ни пытался, ничего не смог найти на тему: как связаны остаточная намагниченность и магнитный момент постоянного магнита.
Я бы попробовал так. Магнитный момент намагниченного шара pm=4/3*pi*R^3*I, где I — намагниченность, то есть магнитный момент единицы объема. (Кириченко Н.А. Электричество и магнетизм. МФТИ, c. 113). Что бы найти I, возьмем бесконечно плоский и широкий диск из вашего материала (неодимовый магнит). Поле в центре B=0, так как молекулярные токи на большом расстоянии. Тогда из H=B/mu0-I, I=-H. H при этом равен Hc, то есть коэрцитивной ммф, где точка BH характеристики магнита при B=0.
Поэтому pm=4/3*pi*R^3*Hc, то есть можно по Hc из справочников определять.
Спасибо за идеи. Пара моментов.
1. Если у транзистора емкость базы 2пФ, как мы можем измерять емкость меньше 2пФ, если постоянная времени R2*C1 намного меньше R3*Cбаз? R3*Сбаз ФНЧ просто отфильтруют короткие импульсы.
2. Есть еще конечная длительность фронта сигнала МК, допустим 10нс. И если это время длиннее R2*C1, то мы тоже не сможем детектировать малые емкости.
Не могли бы поделиться файлом модели?
Перед калибровкой я получил 6,04 мТл/A, хотя по теории должно было быть 3,50 мТл/A. Поэтому я умножил константу калибровки в 18-й строчке кода на 0,58. Готово – магнитометр откалиброван!
Может надо было хотя бы по двум точкам, может там еще смещение влияло.
Спасибо за эксперименты. У вас диполь питается от коаксиала без симметрирования. Для балансировки можно применить синфазный фильтр (балун) — несколько витков питающего кабеля на ферритовом кольце, высокочастотном, ближе к антенне.
Еще можно расчитать укорочение для настройки в резонанс на средней частоте.
Практически невозможно питание умножителя непосредственно напряжением промышленной частоты, так как в этом случае требуются конденсаторы большой ёмкости, что сильно ухудшает массогабаритные показатели устройства.
В данном случае ток нагрузки очень мал, поэтому пульсации напряжения будут малыми все-таки.
Симуляторы тут не барахлят. Токи через транзисторы Т1 Т2 могут быть разными при разных напряжениях коллектор-эмиттер (эффект Эрли), то есть даже если подаем одинаковое база-эммитер, но нагрузочные сопротивления разные, то уже возникает дисбаланс. Для вашей схемы эффект сильнее если мосфет с меньшим сопротивлением, а утечка источника маленькая (R4 больше в моей схеме модели). В этом случае падение между точками 1 и 2 меньше милливольта, и уже очень все чувствительно. Желательно R1<R2, как правильно уже написали выше.
А еще модель показывает что даже при одинаковых сопротивлениях, если транзисторы будут с разницей температур 10 градусов, то тоже зависает по тем же причинам, перекос база-эмиттер. А есть же еще и обычный технологический разброс.
Симуляторы не причем, они как раз позволяют физику проверить.
Как всегда, правы Хоровиц и Хилл: если схема зависит от параметров транзистора, то это не очень хорошая схема.
Спасибо за статью.
Но вот как учили Хоровиц и Хилл, если схема зависит от параметров транзистора, то это плохая схема :) Там имелось ввиду, что не должно зависеть от таких параметров как h21, Vth и т.д.
Это правило никогда не подводило.
Пусть источник света и приемник на расстоянии 1мм от идеальной плоской земли. Расстояние между ними 1метр. Ослабление при этом для прямого и отраженного одинаковое приблизительно. То есть провалы интерференции будут до 100%. Думаю понятие существенной зоны возможно для объектов по размеру меньших растояния между приемником и передатчиком. Ошибаюсь?
Спасибо за труд.
Проясните, пожалуйста момент. Пусть у нас есть идеальная гладкая плоская земля и она не попадает в существенную зону. В тоже время есть интерференция от земли. Вопрос: будут ли провалы в коэффициенте распространения?
Я обычно перестраховываюсь, ставлю 100 нан, да. Думаю, что если в воздухе висит, то может и пусть висит, а вот если к нему цепь подключена, как у вас резистор (уже антенна), то наверное, лучше перестраховаться.
Спасибо за статью.
У вас на входе REGIN нет bypass конденсвтора. А еще, там стандартно ставятся ограничители выбросов на стабилитронах. А так, при большой индуктивности кабеля можно повредить устройство.
И RST вход тоже желательно фильтровать.
Это все для надежности и EMC.
То есть pm=4/3*pi*R^3*Br/mu0=0.853A*m^2.
То есть я взял материал с определенным Нс и пересчитал эквивалентный виток тока по формуле.
Поле в контрольных точках хорошо совпадают.
Я бы попробовал так. Магнитный момент намагниченного шара pm=4/3*pi*R^3*I, где I — намагниченность, то есть магнитный момент единицы объема. (Кириченко Н.А. Электричество и магнетизм. МФТИ, c. 113). Что бы найти I, возьмем бесконечно плоский и широкий диск из вашего материала (неодимовый магнит). Поле в центре B=0, так как молекулярные токи на большом расстоянии. Тогда из H=B/mu0-I, I=-H. H при этом равен Hc, то есть коэрцитивной ммф, где точка BH характеристики магнита при B=0.
Поэтому pm=4/3*pi*R^3*Hc, то есть можно по Hc из справочников определять.
Что-то непонятно с моделю 2sc1815. У вас она где-то во внешнем файле? В 12м микрокапе не находит…
1. Если у транзистора емкость базы 2пФ, как мы можем измерять емкость меньше 2пФ, если постоянная времени R2*C1 намного меньше R3*Cбаз? R3*Сбаз ФНЧ просто отфильтруют короткие импульсы.
2. Есть еще конечная длительность фронта сигнала МК, допустим 10нс. И если это время длиннее R2*C1, то мы тоже не сможем детектировать малые емкости.
Не могли бы поделиться файлом модели?
Может надо было хотя бы по двум точкам, может там еще смещение влияло.
Еще можно расчитать укорочение для настройки в резонанс на средней частоте.
В данном случае ток нагрузки очень мал, поэтому пульсации напряжения будут малыми все-таки.
А еще модель показывает что даже при одинаковых сопротивлениях, если транзисторы будут с разницей температур 10 градусов, то тоже зависает по тем же причинам, перекос база-эмиттер. А есть же еще и обычный технологический разброс.
Симуляторы не причем, они как раз позволяют физику проверить.
Как всегда, правы Хоровиц и Хилл: если схема зависит от параметров транзистора, то это не очень хорошая схема.
Но вот как учили Хоровиц и Хилл, если схема зависит от параметров транзистора, то это плохая схема :) Там имелось ввиду, что не должно зависеть от таких параметров как h21, Vth и т.д.
Это правило никогда не подводило.
Пусть источник света и приемник на расстоянии 1мм от идеальной плоской земли. Расстояние между ними 1метр. Ослабление при этом для прямого и отраженного одинаковое приблизительно. То есть провалы интерференции будут до 100%. Думаю понятие существенной зоны возможно для объектов по размеру меньших растояния между приемником и передатчиком. Ошибаюсь?
Вот в IEEE, они позволяют и препринт выкладывать и после публикации, только чтобы выложена была не последняя версия из журнала.
А вот если публиковаться в открытых источниках, например, arxiv.org. Или это не престижно?
Спасибо за труд.
Проясните, пожалуйста момент. Пусть у нас есть идеальная гладкая плоская земля и она не попадает в существенную зону. В тоже время есть интерференция от земли. Вопрос: будут ли провалы в коэффициенте распространения?
У вас на входе REGIN нет bypass конденсвтора. А еще, там стандартно ставятся ограничители выбросов на стабилитронах. А так, при большой индуктивности кабеля можно повредить устройство.
И RST вход тоже желательно фильтровать.
Это все для надежности и EMC.
У меня просто check list начинается с этих установок, и шаблоны уже с ними созданы.