Вот хороший туториал про подключение тензодатчика при использовании ардуины — morf.lv/modules.php?name=tutorials&lasit=19. Инструментальный усилитель собран на трех простых LM741.
Да, действительно первый байт записывается в лучшем случае за 0.1мс, но кого интересует запись одного единственного байта данных? Если взглянуть сюда , то можно увидеть, что даже в случае случайной записи 4KB с глубиной QD=1 некоторые девайсы выдают больше 500MB/s. И даже если взять посредственные 125MB/s мы получим 1нс на запись одного бита данных. В случае с Angelbird Crest 6 XTC получается 240пс.
Не заметил ни одного упоминания о магниторезистивной памяти от FakeFactFelis. Вообще говоря, используемый BiFeO3 является мультиферроиком с выраженными сигнеэлектрическими и магнитными свойствами.
Никто не спорит, что MRAM существует и её используют, например в составе некоторых микроконтроллеров, т.е. в полностью электронной системе. Представленная фотоэлектрическая память уже может быть частью фотонного «микроконтроллера» или гибридной оптоэлектронной микросхемы.
Ну уж никак не «в 100 тыс. раз больше» (1мс). Не за что не поверю, что в продуктах, использующих 22нм техпроцесс (или даже 19нм) могут быть напряжения в 15В.
Вот интересный и познавательный ролик из архивов AT&T про свойства волн, которые не зависят от их природы. Затронуты вопросы отражения, скорости распространения, изменения фазы, согласования различных нагрузок и прочее.
Для чтения и записи требуется менее 10 наносекунд, а запись требует 3 вольта напряжения. Для сравнения: энергонезависимая флэш-память требует приблизительно в 100 тыс. раз больше времени и требует 15 вольт для записи.
Не очень понятно откуда такие данные. Вот если взять обычную e-MMC от Micron — напряжение питания от 2.7В до 3.6В, время чтения и записи тоже примерно 10нс.
Только сейчас заметил отсыл к статье, где показано, что в графене можно получить больше одного электрона на один фотон и вот уже в этой самой статье графен рассматривается как перспективный датчик изображения.
Предположим, когда-то в прошлом КЭ была 50%, сейчас его довели до 90%. Прогресс? Прогресс! Возможно когда-то будет 150%. И это по-вашему никому не нужный результат?
Ну а как же вот эта статья, где получили внешнюю квантовую эффективность (109 ± 1)% без усиления количества электронов электронами? Сейчас это конечно не фотодетектор, но получение более 1-го электрона на один фотон возможно и вероятнее всего этот эффект можно использовать для детектирования фотонов.
Не очень понятно откуда такие данные. Вот если взять обычную e-MMC от Micron — напряжение питания от 2.7В до 3.6В, время чтения и записи тоже примерно 10нс.