Pull to refresh

Comments 25

UFO landed and left these words here
Не закопирайтят, а запатентят. И не хрен увидим, а дорого заплатим.
Я бы сказал, заплатим как обычно. Потому что пока оно не станет стоить, как текущее технологическое поколение, оно не сможет его, текущее, сменить.
Если будет прирост скорости в полтора раза, то найдутся те, кто заплатит в десять раз больше.
Отнюдь.
Вспомним хотя бы Itanium.

В десять раз больше я уж лучше заплачу за десять серверов и получу прирост скорости не в полтора, а в десять раз.

А компании, которые работают с плохокластеризуемыми задачами, купят сервер с вдвое бОльшим числом ядер. Или построят кластер на Infiniband.
Думаю, сначала все разработки уйдут в военный сектор лет на 5. А уже потом патентование и широкий рынок.
транзистор, способный работать на частоте 427 гигагерц
Как я понимаю, это далеко не частота потенциального микропроцессора на графеновых транзисторах. Кремний-германиевые транзисторы, которые используются (использовались?) в микропроцессорах, тоже способны работать на частотах в 300-500 гигагерц.
UFO landed and left these words here
В тепловыделении скорее
Эти значения практически не отличаются )
UFO landed and left these words here
Нашелся умник и назвал всех профанами ;)
Отдельно забавляет тот факт, что у вашего коммента 3 минуса, видимо один из профанов просто еще не прочитал
Один из профанов ждёт, когда artemonster снизойдёт и объяснит почему профан не прав.
Тоже хотел выпендриться, но дошел до вашего коментария :)
Кремниевые транзисторы планку в 300 гигагерц не пробили пока что, так что можно ожидать увеличения тактовой частоты процессоров раза в полтора.
Насколько я помню рекорд сейчас принадлежит транзисторам на основе арсенида индия-галлия, и он ~700 гигагерц.
Ученые Иллинойского университета создали самый быстрый в мире транзистор — он демонстрирует частоту 845 GHz, что почти на 300 GHz больше показателей опытных устройств, полученных другими исследовательскими группами. Таким образом, сделан еще один шаг для на пути преодоления частоты 1 TGz.

Образец нового транзистора выполнен из фосфида индия и арсенида галлия, в областях базы и коллекторов использовано псевдоморфное смешение структуры материалов, что позволяет уменьшить ширину запрещенных зон этих областей, увеличить скорость электронов, снизить плотность и время зарядки.

Ученые также усовершенствовали процесс производства, что привело к уменьшению вертикальных размеров компонентов транзистора (например база имеет толщину 12,5 нм). Таким образом удалось сократить расстояние, на которое перемещаются электроны, и повысить скорость транзистора.

При комнатной температуре (25 град. Цельсия) учеными была зафиксирована скорость образца транзистора 765 GHz, а при -55 град. Цельсия — 845 GHz.
И, кстати, стократное ускорение вряд ли возможно. Есть принцип Ландауэра и эффективность современных процессоров (кпд, если угодно) уже доли процента.
Нет, не способны. Есть теоретическое ограничение в подвижности носителей — в кремнии составляет 0,15 м2/В·с, в арсениде галлия – 0,85 м2/В·с.
У графена — 20 м2/В·с (сами понимаете — электрон «бегает» по проводам далеко не со скоростью света )
UFO landed and left these words here
Only those users with full accounts are able to leave comments. Log in, please.