Micron Technology заявила о создании HBM3E памяти с передачей данных свыше 1,2 Тб/с, вызывая конкуренцию с южнокорейской SK hynix. На данный момент клиенты тестируют образцы Micron HBM3E, и компания планирует начать продажи уже в следующем году.
Микроновская HBM3E память обладает структурой из восьми уровней и имеет 24 Гбайт на стек. Производится по технологии 1β, память отличается высокой энергоэффективностью.
По заявлениям представителей Micron, её эффективность превосходит конкурентов настолько, что некоторые клиенты находятся в недоумении от результатов тестов.
Массовые поставки начнутся в следующем году, в настоящее время идёт процесс сертификации для NVIDIA, так как HBM3E-память используется в производстве таких ускорителей, как NVIDIA H100, спрос на которые сейчас зашкаливает из-за бума нейросетей.
Первые данные о HBM3E были представлены компанией SK hynix в конце мая этого года. Это обновлённая версия памяти HBM3, разработанная для более высоких частот, чем у текущего HBM3, хотя конкретные цели частоты, по-видимому, зависят от производителя. На релизе технологии SK hynix раскрыла, что их модули памяти HBM3E смогут достигать скоростей передачи данных до 9 GT/сек, что соответствует пиковой пропускной способности 1.15 ТБ/сек для одного блока памяти.
Самсунговская HBM память также будет доступна для NVIDIA в этом году, что делает Micron, Samsung и SK hynix главными поставщиками. Несмотря на свою новизну в сегменте HBM3E, Micron ожидает значительной выручки от продажи в следующем году. Ожидается, что рост в этой области поможет компенсировать слабый спрос в других секторах. В следующем году Micron вкладывает значительные ресурсы в производство и упаковку HBM3E чипов, с ожидаемым ростом продаж к концу августа.
Также компания, при общей потере 2,3 млрд выручки в начале 2023 года, получила целый ряд инвестиций и запустила несколько крупных проектов. Например, Micron буквально в начале этой недели приступила к возведению предприятия по производству полупроводников в Индии за 2,75$ млрд. Также компания получила от правительства Японии 1,5$ млрд на стимулирование производства полупроводников на территории страны.
