Южнокорейская компания SK hynix сообщила (2), что начнет разработку оперативной памяти нового типа HBM4 в 2024 году. До этого момента лишь компании Micron и Samsung выражали свои планы на разработку и внедрение памяти HBM4, предполагая выпуск нового поколения памяти примерно к 2025–2026 годам.
Старший менеджер SK hynix Ким Ван Су заявил, что компания начнет массовое производство улучшенной версии существующей памяти HBM3, названной HBM3E, в 2024 году. Эта новая память будет предлагать увеличенные скорости и емкость по сравнению с HBM3. Ким Ван Су также упомянул, что в следующем году компания планирует начать работу над разработкой памяти HBM4, что станет значимым шагом в дальнейшем развитии линейки продуктов HBM компании.
«С началом массового производства и продаж HBM3E в следующем году наша позиция на рынке усилится. Также начало разработки нашего следующего продукта, HBM4, запланировано на следующий год, что отметит новую эру продуктов HBM для SK hynix», — написал Ким Ван Су.
Учитывая, что разработка HBM4 начнется в 2024 году, первые продукты с этим типом памяти появятся на рынке не ранее 2025 или 2026 года. Аналитики TrendForce сообщают, что организация JEDEC планирует утвердить окончательные характеристики памяти HBM4 во второй половине 2024 или в начале 2025 года. Известно, что память будет выпускаться в стеках объемом до 36 Гбайт, а первые образцы для потребителей ожидаются в 2026 году.
На основе 36-гигабайтных стеков памяти HBM4 можно будет создавать продукты, такие как ускорители вычислений, оснащенные до 288 Гбайт оперативной памяти. В будущем планируется выпуск еще более емких чипов HBM4. Память HBM3E имеет скорость до 9,8 Гбит/с на контакт, поэтому от HBM4 ожидается скорость выше 10 Гбит/с на контакт.
Ожидается, что будущие специализированные графические ускорители NVIDIA Blackwell будут использовать память HBM3E, так что память HBM4 можно увидеть в ускорителях, которые NVIDIA представит после них. Также возможно, что HBM4 появится в обновленных версиях ускорителей Blackwell, как это было с текущим поколением ИИ-ускорителей Hopper H200, получивших память HBM3E.
