Комментарии 103
но чиновники сказали что это ненужно.
Вот с Китаем — сложнее:)
Даже старое 65нм оборудование годами пылилось на складе. Просто потому что-то России нафиг оно не нужно.
У нас слишком мало людей чтобы окупить локальное производство чипов, а на экспорт дорогие и неконкурентоспособные устройства тем более не нужны.
ЕМНИП Микрон и так находится под санкциями, так что даже при наличии денег и желания ничего не продадут.
Пока не стоит вопрос выживания, никто и палец о палец не ударит.
Вот у Huawei уже стоит вопрос выживания. Они запускают своё производство.
wccftech.com/huawei-45nm-chip-fabrication-year-end
Даже старое 65нм оборудование годами пылилось на складе. Просто потому что-то России нафиг оно не нужно.С одной стороны, да. С другой стороны, сейчас такое оборудование, но на 28 нм, согласно множеству заявлений, очень нужно, а вот купить его что-то не получается.
Huawei стартует серийное производство 45 нм уже в этом году. Видимо, на оборудовании Nikon.
Научные разработки, которые потенциально могут быть кому-то интересны, в России есть, но от науки до масс-продакшена — пропасть и времени, и денег.
В России есть оборудование ASML. К сожалению, последние года его чаще выкупают обратно, так как не используется. А в других странах есть спрос..
Пример систем которые выкупали — PAS5500.
Если точнее PAS5500/500. Больше, к сожалению, сказать не могу. Хотя история очень занимательная. Целое «Приключение Голландцев в России». Может по своим каналам узнаете?
Просто хочу сказать, что Ваше «к сожалению, чаще выкупают» выглядело уж больно эпатажно. Даже, если по штукам оно и будет истинно, то сути происходящего в целом не раскрывает совершенно, и людей «не в теме» вводит в совершенно превратные толкования.
И, возвращаясь к Вашему сообщению. Насколько я себе представляю, дефицит (да, об этом мне говорили торговые представители) на 5500 в мире ASML создала искусственно (читай умышленно), сняв эти системы с производства и, собственно, усугубив всю эту историю с выкупом на рефёрб. Так что спрос есть, и мы знаем почему. И дело вовсе не в том, что де в России установки не нужны, и ASML чуть не вынуждена утерев слезу забирать свои железки у неблагодарных папуасов. Во всяком случае, мне домыслился именно такой контекст. Прошу прощения, если не прав.
А по поводу развития микроэлектроники я вот что скажу. Вся микроэлектроника на сегодня — это один большой тупик. EUV, по сути, точно такой же экстенсивный шаг, в масштабе принципов устройства интегральных схем, как и иммерсия с MP и много других до него, начиная со второй ИС в мире. Но расклад на сегодня такой, что ASML и товарищи вложили всё что было в этот проект, им ничего другого не остаётся, как жить теперь с этим, а за одно раскручивать жёсткий маркетинг попутно добивая конкурентов и хоть как-то пересекающиеся инициативы. Если EUV сейчас упадёт, то это будет очень больно для слишком многих. Да, они смогут, наверное, и в 2-4 нм, возможно, и в ангстремы залезть, но дальше что? Если со стороны пользователя посмотреть, то EUV это такой же «прорыв» как и много раз до него было. Да, железка впечатляет впечатлительных, но это очередной «молоток» для забивания всё тех же старых добрых «гвоздей». Микроэлектроника полным ходом идёт к физическому пределу миниатюризации и он уже очень близок, вероятно, EUV позволит уже упереться лбом в эту стену. Что дальше с этим делать, пока не понятно…
Мы наблюдаем интересный исторический момент. Можно построить такой ряд: даже самый первый транзистор был меньше самой миниатюрной электронной лампы -> даже самая первая ИС была меньше той же схемы на самых маленьких дискретных элементах -> даже самое первое, что???, будет меньше самой продвинутой технологии ИС. Понимаете к чему я клоню? Это что-то должно принципиально отличаться от твердотельной микросхемы и иметь какие-то новые уникальные свойства, которые невозможно реализовать в ИС. А многие (по разным причинам, в том числе и диктуемым бизнесом) сейчас хотят развития по пути «а давайте запихаем ещё больше транзисторов в кремний». Нет, так это не сработает. Я пока не вижу технологии способной занять это место и не смогу ответить на Ваш вопрос. Похоже, что никто ещё не может. Может нам повезёт и мы всё-таки узнаем ответ :)
Путей для развития ещё ой как много. Просто все идут по самому простому и дешёвому пути. Это как с нефтью. Раньше были дешёвые и варварские методы добычи, которые позволяли по-быстрому и дешёво накачать нефти и испортить месторождение, которые может давать при других методах добычи гораздо больше.
Это я про современное программирование. Пока закон Мура позволяет, никто не заморачивается, и используются варварские, но быстрые методы программирования в духе "фреймворк для фреймворка" вместо, грубо говоря, ассемблера.
Вы понимаете что это означает для других отраслей? Я не говорю сейчас про ширпотреб — телефончики и планшеты. Я говорю об IT индустрии в целом, на сколько быстрые и доступные компьютеры как минимум изменили представление о проектировании (CAD, CAM, CAE системы), как это перевернуло производство, и как повлияло на фармацевтику, синтез новых материалов и медицину. Без развития «старых» технологий, всего этого не было бы.
Это очень хорошо искать новые подходы, разрабатывать принципиально новые технологии, одно другому не мешает, но ваше заявление «ASML — все тот же молоток для забивания гвоздей», и этот поиск «принципиально новых» технологий без ясных сроков — напоминает что-то из серии надежд на лучшую загробную жизнь и скорое наступление коммунизма.
Что дальше с этим делать, пока не понятно…Да понятно, что делать. Переходить от FinFET к многоэтажным нанолентам. Там еще лет н двадцать-тридцать вперед возможности для прогресса есть.
«как работать с отказами на жизненном цикле суперсложного изделия» — как-то работаем, вон современный телефон взять — изделие там внутри суууперсложное, однако для потребителя становится всё проще и надёжнееЯ тут имел в виду другое. Уже сейчас избыточность ячеек памяти или отключенные на этапе тестирования дефектные ядра не являются чем-то уникальным. Если продолжать задирать сложность схем ещё выше, то вероятность отказа может стать совершенно неприемлемой для практического применения, причём (я так подозреваю, но хотелось бы, конечно, мнение спецов по надёжности услышать) отказы начнут активно вылезать и в период эксплуатации. Потребуется автономная система тестирования блоков схемы и ещё большая избыточность. Аппаратные средства для управления всем этим, уже со своими вероятностями отказа и т.д.
Потом, Вы же понимаете, что всё хорошо в меру. Если натолкать «холодных» резервных блоков, которые будут подхватывать работу при отказе основных, то это кратные потери площади схемы. Ради чего тогда уменьшать размеры, когда можно сделать крупнее, но надёжнее и один раз? Ну или заложенная деградация. Вы уверены, что рынок примет новый дорогой продукт, который за 1000 часов работы скажем, деградирует до состояния тупо идентичного более дешёвому, но на вводе в эксплуатацию покажет более высокий результат?
В итоге с «суперинтегральными» (не пинать, сам только что придумал) схемами будет та же ситуация, что была с ЭВМ на лампах, а потом на дискретных элементах: создание и обслуживание системы обходится дороже, чем польза, которую эта система в состоянии принести. Я это назвал «ситуацией с нереализуемым ТЗ». Потому, что будет потеряно главное преимущество интегральной технологии: на многие порядки большая надёжность ИС, по сравнению с дискретным решением. Точнее, надёжности опять станет мало. Решение возможно только через полную замену технологии, на мой взгляд. Как говорится, мнение автора может не совпадать с объективной реальностью :)
Пока используется старая технология, любопытно, насколько возможно ещё снизить напряжение питания для микросхем, выпускаемых по технологиям 5-4-3 нм? Частоты для сохранения вменяемого тепловыделения замерли на уровне 2,5-3 ГГц, уменьшать напряжение особо некуда при используемых технологии и материалах. А тепловыделение чипа упёрлось в предел возможностей воздушных систем охлаждения.
Питание при этом уменьшать не обязательно, геометрические размеры отдельных транзисторов вряд ли будут уменьшаться, разница будет в том, что они будут паковаться вертикально, а не горизонтально. И упрется технология, соответственно, в проблемы «темного кремния»и теплоотвода. Но это нормальные проблемы, можно будет зато паковать в каждый чип пачку специализированных сопроцессоров на все случаи жизни.
Не умаляя заслуг ASML, ничего принципиально нового в физике они сами не открывали
Как по мне, с ИТЭР, например, очень даже сравнимо. Там ведь тоже не фундаментальная физика сейчас, а этап сложной инженерной работы, как раз по тщательному проектированию и доведению технологий для промышленной эксплуатации. Теоретически-то всё понятно — вот бублик плазмы нужного нам размера, вот такие электромагниты для его удержания, вот такая нужна напряженность поля для удержания бублика. Чтобы эту напряженность получить, нужно вот столько-то тока обеспечить. Чтобы этот ток обеспечить, нужно иметь толстые-толстые сверхпроводники, чтобы иметь сверхпроводники, нужно столько-то жидкого гелия, да ещё такие-то мегарезисторы для сброса энергии, если что-то пойдёт не так… характеристики-то в теории просчитаны, а теперь нужен титанический труд инженеров для их обеспечения. И примерно та же ситуация и со степперами, может, всё-таки в несколько меньших масштабах.
Как по мне, с ИТЭР, например, очень даже сравнимо.С ИТЭР сравнимо, пожалуй, строительство альфа демо тула в 2006 году. Там как раз было: «Задача
Кстати, вот теперь всё внимание переключилось на «стоящую в тени» ASML. Давайте тогда вытащим на свет стоящую уже в тени от ASML Cymer, которая собственно разработала и сделала для ASML LPP источник, а не только продала ASML мощный углекислотный лазер, как можно подумать из статьи. Хотя теперь Cymer и принадлежит ASML, это компания с большой самостоятельной историей. Для желающих узнать больше про разработку LPP источника: LPP source system development for HVM За одно обратите внимание, сколько русских фамилий встречается в числе авторов.
Вот непонятно, почему всякие ИТЭР и адронные коллайдеры строит куча стран совместно и пользуются их ресурсами так же все участники, а создание установки для литографии, сопоставимое по сложности...
Бюджет адронного коллайдера по состоянию на ноябрь 2009 года составил 6 млрд долл (из Википедии).
Годовой оборот ASML — 9 млрд долл (опять же из Википедии), из которых она тратит на R&D около 1 млрд долл в год (это уже, так скажем, инсайдерская информация). ASML разрабатывает EUV с начала 2000-x. Понятно, что не весь R&D ASML это EUV, но по моему скромному мнению, разработка EUV обошлась дороже адронного коллайдера. Просто БАК и Маск во всех новостях, а про ASML мало кто знает (хотя все пользуются результатами их деятельности).
разработка EUV обошлась дороже адронного коллайдераЭто вообще очень большое заблуждение. Все эти научные суперпроекты на самом деле довольно недорогие, если начать сравнивать. Например, тот факт, что бюджет NASA за всю историю меньше годового бюджета Минобороны США, вообще мозговзрывательный. Получай космонавты сравнимые с военными деньги, мы бы уже все жили на Марсе.
И с микроэлектроникой то же самое, никто не осознает, что LHC и ITER за всю историю вполне сравнимы с RnD компаний типа ASML или TSMC буквально за пару-тройку лет.
с помощью первого поколения 7-нм техпроцесса TSMC может разместить 66 миллионов транзисторов на квадратном миллиметре, в то же время с помощью 10-нм техпроцесса Intel может разместить на аналогичной площади 100 миллионов транзисторов[43].
ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A2%D0%B5%D1%85%D0%BD%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%BF%D1%80%D0%BE%D1%86%D0%B5%D1%81%D1%81_%D0%B2_%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE%D0%B9_%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%BC%D1%8B%D1%88%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%BD%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B8#7_%D0%BD%D0%BC
Тогда как вы объясните то, чтоДовольно просто: маркетинговые нанометры Intel отличаются от маркетинговых нанометров других компаний примерно на одно поколение.
Но если вы будете сравнивать между собой разные техпроцессы Intel или разные техпроцессы TSMC, вы увидите хорошую корреляцию проектных норм и плотности упаковки.
Это для TSMC.
А вот сравнение нанометров разных компаний.
лучше указывать не маркетинговые нанометры, а плотность компоновки транзисторовНе лучше. Неспециалисту гораздо удобнее одна простая для понимания цифра. Поэтому специалисты и не имеют ничего против маркетологов, которым эта простая цифра помогает продавать.
Техпроцесс TSMC N7 (HD) может разместить 91 миллион транзисторов на мм².
Также в реальном продукте плотность размещения транзисторов в различных частях чипа отличается. SRAM имеет максимальную плотность, логика меньше.
Чипы для смартфонов используют HD процесс и получают высокую плотность (A12 — 82МТр из 91МТр в теории). Но такие процессоры не работают на больших частотах, необходимых AMD/Intel. Поэтому в продуктах этих фирм используются HP библиотеки с меньшей плотностью и большими транзисторами.
Насколько меньшей? Можно судить по размеру ячеек SRAM.
Wikipedia это такой ресурс, который превращает любую чушь в подобие правды путём копи-пасты информации и размещением ссылки на неё.
Поэтому давайте обратимся к данным производителя:
newsroom.intel.com/newsroom/wp-content/uploads/sites/11/2017/03/Kaizad-Mistry-2017-Manufacturing.pdf
Стр. 26
HP 0.0441 µm²
LV 0.0367 µm² (Low Voltage)
HD 0.0312 µm²
Ячейка памяти по HP процессу в 1.4x крупнее чем при HD.
Т.е. «средняя» плотность процессоров Intel гораздо ниже чем маркетинговые 100миллионов и скорее всего аналогична 7нм процессорам AMD.
В целом, вообще не зашла подача а-ля детский сад: «вы только не пугайтесь», «сейчас всё объясню», и т.п. А по сути текста следующее:
1) ASML «стоит тенью», «тёмная лошадка»? Нет, я не хочу на это отвечать в подобной же подаче «да вы наркоманы што ле», но надо отдавать отчёт, что очень многие ключевые компании выпускающие продукцию не для потребительского сектора мало кому известны из «непосвящённых», это же не повод вешать такие характеристики. Хайпа больно много, сути мало. Естественно, никто бы не вкладывал миллиарды в неизвестность, если бы ASML не шла к результату долгой, упорной и успешной работой и не имела бы практически идеального бэкграунда лидера отрасли с 2000-х годов. Поскольку Вы явно работали с материалами ASML, то могли бы прорисовать историю компании более адекватно. Да и картину по оборудованию ФЛ в целом дать, благо там для пересчёта производителей проекционного оборудования хватит пальцев одной жестоко покалеченной руки. И там есть о чём поразмышлять за рюмкой чая.
2) «По-настоящему больших скачков» в технологии ФЛ до EUV было вагон и телега. Опять много эмоций, мало информации. Вся история ФЛ, это вечные страдания, что «вот доска кончается, сейчас я упаду». Потом что-то удачно внедрялось, и до следующего раза. Из последнего, я ничего не услышал про иммерсионную литографию (кроме одного слова на не переведённом графике), а это ключевая технология на сегодняшний день. Кроме того, раз уж речь тут об ASML, то можно было бы упомянуть, что удачное внедрение иммерсионки в свои TWINSCAN'ы являлось одим из факторов выхода ASML в лидеры на рынке. По мне, так это был переломный момент истории компаний.
3) Картинку с принципом наноимпринта я не понял, зачем Вы её туда поместили? Это вообще не про EUV.
4) Объяснение формулы разрешающей способности скомкали почти полностью. Понятно, что это не для студентов лекция, но откуда Вы 50 нм выводите остаётся читателю непонятным. Про k-фактор ничего вообще не написали, а с ним все пляски и происходили (и происходят) до появления EUV.
5) Внимательнее с терминологией: «множественное экспонирование» (в понимании авторов) я вообще ни разу не видал нигде, т.к. таковое практической ценности не имеет вовсе, в связи с физическими ограничениями, а техника «double exposure» не имеет прямого отношения к техникам «double/triple/quadro/multiple patterning». Это вообще разные подходы. Слово patterning на русский язык по-человечески не переводится, его либо калькой заменяют: «паттернирование», что я лично считаю уродцем, либо не переводят, либо можно завести словосочетание, вполне в духе русского инженерного, многопроходное формирование структуры. Ключевой момент, что это не только экспонирование, это многократно выполняемый блок операций ФЛ+ПХТ+хренова куча вспомогательных. Поэтому и дорого и сложно. Вы картинки вставляете, а что на них нарисовано не смотрите даже, отсюда и косяки в изложении. А там как раз принципы и отличия трёх техник показаны.
Буквально только что досмотрел видно на YouTube и тут оп! "Вашу маму и там и тут передают"
Этот год тяжелый для всех, но в тоже время — посмотрите какими шагами начинают развиваться технологии, все шире и шире. Нас ждут новые процессоры с мощностями, которые нам и не снились.
Вроде раньше на Хабре была статья про проблемы дальнейшего развития этой технологии и текущие ограничения в которые эта технология упёрлась.
И ограничений там было много. А в этой статье освещена только одна проблема — создание лазера с более короткой длиной волны.
Насколько я припоминаю, там была ещё одна проблема — фоторезист изменяет свои свойства химическим путём. А для этого энергия фотонов должна быть в определённом диапазоне. И у ультрафиолетового лазера энергия фотонов уже оказывается за пределами этого диапазона. Эти фотоны не меняют свойства фоторезиста предсказуемым и контролируемым образом, а тупо разрушают его.
Еще одна проблема вроде была связана с шириной или толщиной затвора полевого транзистора. При толщине меньше некоторой электроны начинают туннелировать через барьер и транзистор самопроизвольно переключается.
Например чтобы самостоятельно изготовить ПП с использованием плёночного фоторезиста — необходимо экспериментальным путём узнать время засветки, время проявления, температуру и время дубления, температуру растворов, химию, бесконечные эксперименты с лазерными принтерами… Это потом когда уже всё известно (вам лично) — ПП изготавливается за пол часа. Но до момента просветления вам не помогут публикации в интернете — потому как руки у всех разной кривизны.
Чего нет: тех самых точных параметров техпроцесса, химии, материалов и их структуры. Можно даже приврать или допустить явную ошибку — важно указать насколько трудно было добиться того или иного параметра, и какие вселенские проблемы дают столь небольшие отклонения. Цифры и символы — в большом количестве, специально для ботаников.
А для домохозяек уже есть 100500 роликов в силе «как это работает».
Чего нет: тех самых точных параметров техпроцесса, химии, материалов и их структуры.Это все под NDA обычно.
Сэм Зеелоф говорил, что ему удалось добиться в гараже разрешения литографии порядка 1 мкм и сносного выхода годных на 10 мкм для схем из десятка транзисторов. Но в его гараже стоит списанное и купленное на барахолках профессиональное оборудование, в ваше условие задачи это не укладывается.
Впрочем, имея неограниченный бюджет, наверное можно большую часть машинерии такого уровня сделать самому.
Впрочем, имея неограниченный бюджет, наверное можно большую часть машинерии такого уровня сделать самому.Я имею в виду, без собственных разработок, чтобы чисто инженерная и технологическая работа, т.е. открытые чертежи и техпроцессы.
если все это самостоятельно подобрать руками под ваши конкретные условияЯ вот этот момент не понимаю: если есть справочник объёмов красных резиновых мячей или формулы расчёта, то самостоятельное производство возможно, а если очень общая теория, то скорее нет. Тут, как по мне, разница как между публичным instruction set для Е2К и «Руководство по эффективному программированию на платформе Эльбрус», которое описывает архитектуру, но не даёт понимания, что напихали в данный конкретный процессор и не позволяет сделать свой компилятор под Эльбрус.
Я вот этот момент не понимаю: если есть справочник объёмов красных резиновых мячей или формулы расчёта, то самостоятельное производство возможноДопустим, формулы для расчета в учебнике даны в первом приближении, а на самом деле в них есть параметры, зависящие от чистоты воздуха, температуры и влажности в вашем конкретном помещении. И эти параметры влияют на процент выхода годных.
Или более тривиальный пример: разница в температурных режимах некоторых операций (+-10%) серьезно влияет на радстойкость готового продукта, но в учебниках об этом тоже подробно не пишут.
А для домохозяек уже есть 100500 роликов в силе «как это работает».Сурово. Хорошо, вот Вам простенькая обзорная статья от главных разработчиков техпроцесса EUV: First EUV lithography high-volume manufacturing solution for N5 BEOL
А вот кратенькое описание одной важной проблемы с EUV и как с ней пытаются бороться: EUV lithography: sailing along the stochastic cliffs. Imec takes a great leap forward in understanding and pushing the limits of extreme ultraviolet lithography – part II Там же в конце есть ссылки и на научные публикации по теме для интересующихся.
Ну а то, что Вы запросили, это действительно NDA, а кроме того ещё и стоит денег весьма приличных и не наших, нулями так с шестью в конце и выше.
2. Ну и всё же глубже хотелось бы. За 193 нм цеплялись не потому, что цифра красивая, а потому что это последний собственно лазер из реально доступных материалов. Т.е. с когерентным излучением, которое просто не знает, что такое «хроматические аберрации». В EUV светит не лазер, а плазма (нагретое до тысяч градусов газообразное олово), со спектром абсолютно черного тела. По факту — пока что — получается плюс-минус то же, что и со всеми «трюками» для DUV.
Как на самом деле делают процессоры? РАЗБОР