Для нас энергоэффективность — это не только вопрос экономический, но и, прежде всего, экологический. Сейчас мы работаем над новым 8 Гб RDIMM-модулем памяти, c помощью которого удастся экономить до 40-50% энергии. Работающий на базе экологичной технологии Green DDR3 DRAM, TSV-модуль уже успешно прошел тестирование.
Cквозные кремниевые межсоединения
По сравнению с предыдущими разработками, он отличается большей производительностью. Это стало возможным в основном за счет трехмерной технологии сквозных кремниевых межсоединений (англ. 3D TSV — Three-Dimensional Through-Silicon Via).
Смысл 3D TSV состоит в управляемом корпусировании кристаллов полупроводников, обеспечивающим в конечном счете значительно большую плотность межсоединений (например, за счет использования вертикальных микронных отверстий с медной заливкой в кремниевых платах), а, значит, и увеличить скорость передачи информации, и снизить энергозатраты. Вообще это одна из самых передовых и прорывных технологий в полупроводниковой отрасли на сегодняшний день.
Образно говоря, это тот же принцип, что и с дорожной сумкой — если правильно паковать вещи, поместится гораздо больше.
«Зеленая» память
Наши модули регистровой оперативной памяти RDIMM класса40-нм являются первыми в экологичной серии Green Memory.
Испытания показали, что8 Гб RDIMM-модуль памяти, использующий технологию 3D TSV, экономит до 40% энергии по сравнению с обычной памятью RDIMM. При этом технология TSV позволит увеличить плотность записи более чем на 50% и снизить энергопотребление серверов, увеличив при этом емкость памяти и производительность.
Широкое распространение трехмерной TSV-технологии начнется ориентировочно в 2012 году. Samsung планирует применить преимущества технологии TSV в узлах, выполненных по технологии30-нм и других, более современных, процессах.
Более подробную информацию о Samsung Green DDR3 есть на сайте Green Memory.
Cквозные кремниевые межсоединения
По сравнению с предыдущими разработками, он отличается большей производительностью. Это стало возможным в основном за счет трехмерной технологии сквозных кремниевых межсоединений (англ. 3D TSV — Three-Dimensional Through-Silicon Via).
Смысл 3D TSV состоит в управляемом корпусировании кристаллов полупроводников, обеспечивающим в конечном счете значительно большую плотность межсоединений (например, за счет использования вертикальных микронных отверстий с медной заливкой в кремниевых платах), а, значит, и увеличить скорость передачи информации, и снизить энергозатраты. Вообще это одна из самых передовых и прорывных технологий в полупроводниковой отрасли на сегодняшний день.
Образно говоря, это тот же принцип, что и с дорожной сумкой — если правильно паковать вещи, поместится гораздо больше.
«Зеленая» память
Наши модули регистровой оперативной памяти RDIMM класса
Испытания показали, что
Широкое распространение трехмерной TSV-технологии начнется ориентировочно в 2012 году. Samsung планирует применить преимущества технологии TSV в узлах, выполненных по технологии
Более подробную информацию о Samsung Green DDR3 есть на сайте Green Memory.
