Samsung завершила разработку первого в своём роде чипа памяти GDDR7 DRAM. Он обеспечит пропускную способность 32 Гбит/с. Чип будет предназначаться для приложений ИИ, высокопроизводительных вычислений и транспортных средств.
GDDR7 предлагает повышение производительности в 1,4 раза наряду с ростом энергоэффективности на 20% по сравнению с существующими GDDR6 DRA (24 Гбит/с).
Такие усовершенствования стали возможными благодаря методу передачи сигналов с амплитудно-импульсной модуляцией (PAM3), принятому для нового стандарта памяти вместо NRZ. PAM3 позволяет передавать на 50% больше данных за один цикл.
Энергоэффективность удалось повысить благодаря технологии энергосбережения, оптимизированной для высокоскоростных операций. Для требовательного к энергопотреблению использования (ноутбуки) Samsung предлагает вариант с низким рабочим напряжением.
Чтобы свести к минимуму тепловыделение, для упаковочного материала используется эпоксидный формовочный компаунд (ЭМС) с высокой теплопроводностью. Эти улучшения снижают тепловое сопротивление на 70% по сравнению с GDDR6.
Чипы начнут поставлять клиентам уже в этом году.
В 2022 году Samsung выпустила 14-нм LPDDR5X DRAM на платформе Qualcomm Snapdragon со скоростью 8,5 Гбит/с.
