Huawei и SMIC запатентовали технологию производства 3-нанометровых полупроводников методом SAQP. Технология позволяет производить чипы без оборудования для литографии в глубоком ультрафиолете, использовать которое Huawei не позволяют санкции США.
В конце марта 2024 года Huawei Technologies запатентовала технологию производства 5 нм чипов SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning, литография самовыравнивающимся четырёхкратным рисунком). Партнёром компании стал государственный поставщик оборудования SiCarrier.
Метод заключается в четырёхкратном нанесении (quadruple pattering) линий на кремниевые пластины. Он повышает плотность размещения транзисторов на пластине, а с ней и производительность чипа. Метод позволяет использовать оборудование для фотолитографии в глубоком ультрафиолете для производства чипов по техпроцессу 7 нм и выше.
Как отмечает Tom’s Hardware, стоимость производства чипов 5 нм или 3 нм с использованием SAQP почти наверняка будет существенно выше, чем при использовании EUV-оборудования. Тем не менее, патент на производство 3 нм методом SAQP очень важен для полупроводниковой отрасли Китая (в частности, для развития суперкомпьютеров).
На сегодняшний день освоить техпроцесс 3 нм смогла только тайваньская TSMC – самый крупный поставщик полупроводников в мире. Она занимается производством чипов для Apple и Qualcomm.
